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power-fet 文章 最新資訊

TI 小貼士：圖例理FET知識

  • 您可以通過周期性地收集大量的ADC輸出轉換采樣來生成FFT圖。一般而言，ADC廠商們將一種單音、滿量程模擬...
  • 關鍵字： FET  

手把手教你讀懂FET選取合適器件

  • 現在；一臺臺電源，幾乎都能發現FET的影子。幾乎每個電源工程師都用過這東西，或用來逆變；或用來整流；或就當個開關...
  • 關鍵字： FET  

LinkSwitch-PH系列LED驅動器IC【Power Integrations】

  • owerIntegrations推出多款適用于通用照明的全新LinkSwitch-PH系列LED驅動器IC。其新器件的效率最高可達88%...
  • 關鍵字： LED  驅動器  IC  Power  Integrations  通用照明  

Power Integrations發布超薄表面貼裝型封裝電源IC

  • ???????用于高能效電源轉換的高壓集成電路業界的領導者Power Integrations公司今日宣布其行業領先的TOPSwitch-JX電源轉換IC系列新增了創新的eSOP?超薄功率封裝形式。這款全新的超薄表面貼裝型封裝非常適合最大功率在65 W以下、不使用散熱片的緊湊敞開式設計，如超薄LCD電視輔助電源、機頂盒、PC待機和DVD播放器等產品的電源。
  • 關鍵字： Power Integrations  TOPSwitch-JX  eSOP  PCB  

首爾半導體推出高亮度LED新品加速攻克照明市場

  • 　　今天宣布正式推出高亮度Z-Power LED Z系列新品Z7和 Z6。LED照明市場前景看好，為此，首爾半導體計劃將每月推出1到2款新品滿足客戶的多樣化需求。 　　Z-Power LEDZ7系列(4W)是采用特殊的陶瓷PCB生產的高亮度白光LED產品，提供了5500K色溫和440lm照明亮度。值得一提的是，作為可代替P7系列LED產品的Z7系列，以9mm x7mm x 3.2mm的超小型封裝，輕松滿足各類室內、室外用照明產品的應用需求。 　　與現有的P7系列產品相比，Z7系列的占位面積大幅減小(僅
  • 關鍵字： 首爾半導體  LED  照明  Z-Power   

CISSOID推出高溫度30V小訊號P-FET場效應管

  • 　　CISSOID，在高溫半導體方案的領導者推出了一個行星家族(高溫度晶體管及開關)的新成員.火星是一個高溫度30V小訊號P-FET場效應管, 適合于-55 ° C至+225° C高溫可靠運作. 由于它耐于極端溫度,只有14pF的輸入電容值及于+225° C下最高只有400nA閘極漏電流. 所以這30V晶體管非常適合于高溫度傳感器介面,例如壓電傳感器或保護放大器. 　　
  • 關鍵字： CISSOID  P-FET  

Power Integrations推出集成高壓MOSFET并可實現功率因數校正的控制器芯片

  • 　　用于高能效電源轉換的高壓集成電路業界的領導者Power Integrations公司今日宣布推出全新的HiperPFS產品，一款集成高壓MOSFET并可實現功率因數校正(PFC)的控制器芯片。HiperPFS器件采用創新的控制方案，可提高輕載條件下的效率。此外，與使用分立式MOSFET和控制器的設計相比，HiperPFS器件能大幅減少元件數和縮小電路板占用面積，同時簡化系統設計并增強可靠性。HiperPFS器件采用極為緊湊的薄型eSIP?封裝，適合75 W至1 kW的PFC應用。 　
  • 關鍵字： Power Integrations  HiperPFS  

Power Integrations推出PI Expert Suite V8

  • 　　用于高能效電源轉換的高壓集成電路業界的領導者Power Integrations公司今日發布其廣受歡迎的電源設計軟件PI Expert Suite的最新版本V8。最新版軟件能夠大幅縮短首個原型的設計時間，顯著減少在實現成品之前所需的原型迭代次數，從而進一步提高電源設計團隊的工作效率。 　　
  • 關鍵字： Power Integrations  電源設計軟件  

Power Integrations推出創新離線式開關LinkZero-AX

  • 　　用于高能效電源轉換的高壓集成電路業界的領導者Power Integrations公司今日推出集成離線式開關IC - LinkZero-AX，新器件能使設計師設計出零瓦待機功耗的輔助電源。LinkZero-AX采用創新的斷電模式，可在最終產品閑置時有效關斷輔助電源。
  • 關鍵字： Power Integrations  輔助電源  IC - LinkZero-AX  

POWER PCB內電層分割及鋪銅

  • 　　PCB新手看過來]POWER PCB內層屬性設置與內電層分割及鋪銅　　看到很多網友提出的關于POWER PCB內層正負片設置和內電層分割以及鋪銅方面的問題，說明的帖子很多，不過都沒有一個很系統的講解。今天抽空把這些東西
  • 關鍵字： POWER  PCB  內電層  分割    

IBM為Power芯片設計無電源“深休眠”模式

  • 　　IBM正在為Power處理器開發一種深休眠模式，該模式可以讓芯片在空閑時幾乎不耗費能源。IBM的Power7芯片已經有三種休眠模式，分別為 nap，sleep和heavy sleep。這三種模式是否執行或執行哪種方式由當時處理器的負載和某應用程序能容忍多大的延遲來決定。 　　這種新的休眠模式會幾乎完整的切斷處理器的電源，同理，從該模式恢復過來的時間也比較長，大約10到20毫秒。 　　IBM已將這種模式定名為“Winkle”。但哪款芯片將采用新的休眠模式還未可知，官方也沒有更
  • 關鍵字： IBM  Power  處理器  

如何對反向轉換器的FET關斷電壓進行緩沖

  • 　　圖 1 顯示了反向轉換器功率級和一次側 MOSFET 電壓波形。該轉換器將能量存儲于一個變壓器主繞組電感中并在 MOSFET 關閉時將其釋放到次級繞組。由于變壓器的漏極電感會使漏電壓升至反射輸出電壓 (Vreset) 以上，因
  • 關鍵字： 進行  緩沖  電壓  關斷  轉換器  FET  如何  

MOS-FET開關電路

  • MOS-FET雖然與JFET結構不同，但特性極為相似，N溝道和P溝道各分增強型和耗盡型，可在許多電路中代替J-FET，如圖5.4-97所示，電路用MOS-FET代替J-FET更簡單，如釁5.4-100所示短路開關對應圖5.4-96中的A、C、D三個電路
  • 關鍵字： MOS-FET  開關電路    

J-FET開關電路工作原理

  • 1、簡單開關控制電路圖5.4-97為簡單J-FET開關電路。當控制電壓VC高于輸入電壓V1時，VGS=0，J-FET導通，傳輸信號至VO；當VC比V1足夠負，VD導通而J-FET截止，VO=0。2、改進的J-FET開關電路圖5.4-98電路是圖5.4-97電路的
  • 關鍵字： J-FET  開關電路  工作原理    

與萬用表結合使用的FET VP、VOO檢驗器

  • 電路的功能場效晶體管漏極飽和電流IDSS和夾斷電壓VP等有很大差別，所以確定置偏很麻煩。雖然在生產廠已分了幾種等級，但一個等級內仍有差別，如果在組裝電路之前測量實際工作電流狀態下的VP和VOS則比較方便。測量時，
  • 關鍵字： VOO  檢驗  VP  FET  結合  使用  萬用表  
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