高效率、高可靠性LED驅動器IC領域的世界領導者Power Integrations公司今日推出LYTSwitch-3產品系列 — 該公司LYTSwitch系列LED驅動器IC的最新成員。LYTSwitch-3非常適合于最大輸出功率達20 W的燈泡、燈管和筒燈應用，無論使用前沿還是后沿可控硅調光器均可提供出色的調光性能，并且支持隔離和非隔離拓撲結構。
Smart News Releases(智能新
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Power Integrations LYTSwitch-3
橫跨多重電子應用領域、全球領先的半導體供應商意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST)近日展示了最新的智能駕駛解決方案。隨著半導體在先進汽車技術中的作用日益重要，意法半導體不斷地開發出最先進的智能駕駛技術，包括先進駕駛輔助系統(ADAS)、設備互聯通信接口和先進的安全/環保性能。
在先進駕駛輔助系統方面，意法半導體展示了一款與以色列公司Autotalks合作開發的車聯網 (V2X) 通信芯片組。該芯片組整合基帶處理器、主微控制器(MCU)、安全微控制器和V2X通信技術，利用GP
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意法半導體 Power
e絡盟日前宣布進一步擴展其電纜電線與電纜配件的產品范圍，以Pro-Power為代表，用于設計、教育、制造、維修及維護。超過5300種的最新并且完整的產品系列包括：設備線纜、數據傳輸電纜、工業及自動化電纜、同軸電纜和電纜配件，用戶可訪問http://cn.element14.com/pro-power 查看并選擇整卷或定長裁剪的相關產品。 Pro-Power 三級(Tri Rated)電纜用途廣泛、易彎曲，其設計適用于電氣柜、開關控制、繼電器、儀表板以及小型電氣設備的接線
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e絡盟 Pro-Power
蘋果(Apple)宣布以182萬美元從美信半導體(Maxim Integrated)買下位于加州圣荷西的一座8吋晶圓廠。專家分析認為，此舉并不會影響與蘋果合作的晶圓代工廠生意。
據SemiWiki報導指出，SEMI World Fab Watch Database資料顯示，蘋果買下的晶圓廠于1987年建立，即使全面開工每月也只能生產1萬片晶圓，規模相對小且老舊，無法生產蘋果所需的應用處理器(AP)。
蘋果最新AP采16/14納米FinFET制程，而10納米制程也正在開發中。8吋晶圓近日才微
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三星 FD-SOI
DIGITIMES Research觀察，大陸半導體產業近期積極擁抱全空乏絕緣上覆矽(Fully Depleted Silicon-on-Insulator;FD-SOI，有時也稱Ultra-Thin Body;UTB)制程技術，包含拜會關鍵晶圓片底材供應商、簽署相關合作協議、于相關高峰論壇上表態等。大陸選擇FD-SOI路線，而非臺積電(Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.;TSMC)、英特爾(Intel)的FinFET(鰭式場效電晶體)路線，估與手
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半導體 FD-SOI
據國外媒體報道，去年拋棄x86服務器業務后，IBM已經重新調整了其硬件策略。IBM倒貼15億美元也沒有把Power處理器業務嫁出去，該公司已經認識到打鐵還需自身硬。雖然它的服務器系統在某些行業依然保持著很高的利潤，但是IBM昂貴的Power服務器正在快速失去市場份額。圍繞英特爾處理器構建的系統，在超大規模數據中心和高性能計算市場已經將IBM幾乎完全拋在后面。
兩年前，IBM為了扭轉Power服務器的頹勢。建立了OpenPower開源項目，現在擁有約150家會員企業。O
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IBM Power
關注高能效電源轉換的高壓集成電路業界領導者Power Integrations公司今日發布InnoSwitch™-EP系列恒壓/恒流離線反激式開關IC。新的IC產品系列采用集成式725 V MOSFET、同步整流和精確的次級反饋檢測控制，因此可提供出色的多路輸出交叉調整率，同時提供全面的輸入電壓保護和即時動態響應，并且空載功耗低于10 mW。InnoSwitch-EP IC還采用Power Integrations創新的FluxLink™技術，可設計出無需光耦的高效率、高精度和
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Power Integrations MOSFET
致力于高能效電源轉換的高壓集成電路業界的領導者Power Integrations今日宣布推出ChiPhy™充電器接口IC產品系列的最新器件CHY103D，這是首款兼容Qualcomm Inc.旗下子公司Qualcomm Technologies, Inc.所開發的Quick Charge (QC) 3.0協議的離線式AC-DC充電器IC。
與Power Integrations的InnoSwitch™ AC-DC開關IC一起使用，CHY103D器件可提供支持QC 3
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Power Integrations CHY103D
IBM與合作伙伴成功研制出7納米的測試芯片，延續了摩爾定律，突破了半導體產業的瓶頸。對于IBM而言，7納米制程技術的后續發展將會影響旗下Power系列處理器的規劃藍圖。
據The Platform網站報導，7納米制程芯片背后結合了許多尚未經過量產測試的新技術，IBM與GlobalFoundries、三星電子(Samsung Electronics)等合作伙伴，對何時能實際以7納米制程制作處理器與其他芯片并未提出時程表。
IBM這次利用矽鍺(silicon germanium)制造一部分的電
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IBM Power
今年由歐洲兩大主要研發中心——法國CEA-Leti和比利時IMEC舉辦的年度開放日活動剛好都在六月的同一時期舉行。但這種時程的沖突并不是有意的，至少Leti是這么認為。Leti的一位官方代表指出，“在過去七年來我們一直是在六月的同一周舉行年度活動。對他們來說，我們的排程應該不是什么秘密。”
Leti位于法國格勒諾布爾市創新園區的核心地帶
不過，位于格勒諾布爾的Leti Days和位于布魯塞爾的IMEC技術論壇這兩大
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FD-SOI 物聯網
可控石墨烯薄膜制備方面取得新進展：設計了Ni/Cu體系，利用離子注入技術引入碳源，通過精確控制注入碳的劑量，成功實現了對石墨烯層數的調控，有助于實現石墨烯作為電子材料在半導體器件領域真正的應用。
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石墨烯 SOI
美國時間7月13日GlobalFoundries宣布推出其全新的“22FDX”工藝平臺，成為全球第一家實現22nm FD-SOI(全耗盡絕緣硅)，專為超低功耗芯片打造。
FD- SOI技術仍然采用平面型晶體管，目前并不為業內看好，因為無論Intel還是三星、臺積電，22n時代起就紛紛轉入了立體晶體管，也就是FinFET。GlobalFoundries技術實力欠佳，自己搞不出足夠好的立體晶體管技術，22nm上只能繼續改進平面型，20nm上努力了一
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FD- SOI FinFET
格羅方德半導體(GLOBAL FOUNDRIES)今日發布一種全新的半導體工藝，以滿足新一代聯網設備的超低功耗要求。“22FDX™”平臺提供的性能和功耗媲美FinFET，而成本則與28nm平面晶體管工藝相當，為迅速發展的移動、物聯網、RF連接和網絡市場提供了一個最佳解決方案。
雖然某些設備對三維FinFet晶體管的終極性能有要求，但大多數無線設備需要在性能、功耗和成本之間實現更好的平衡。22FDX 采用業內首個22nm二維全耗盡平面晶體管技術(FD-SOI)工
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格羅方德 FD-SOI
GlobalFoundries今天宣布推出全新的“22FDX”工藝平臺，全球第一家實現22nm FD-SOI(全耗盡絕緣硅)，專為超低功耗芯片打造。 FD-SOI技術仍然采用平面型晶體管， 目前并不為業內看好，因為無論Intel還是三星、臺積電，22n時代起就紛紛轉入了立體晶體管，也就是FinFET。GlobalFoundries技 術實力欠佳，自己搞不出足夠好的立體晶體管技術，22nm上只能繼續改進平面型，20nm上努力了一陣放棄了，14nm索性直接借用三星的。
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GlobalFoundries FD-SOI
在我們大多數人“非黑即白”、“非此即彼”的觀念里，半導體業者應該不是選擇FinFET就是FD-SOI制程技術;不過既然像是臺積電(TSMC)、GlobalFoundrie或三星(Samsung)等晶圓代工廠，必須要同時提供以上兩種制程產能服務客戶，有越來越多半導體制造商也正在考慮也致力提供“兩全其美”的制程技術。
例如飛思卡爾半導體(Freescale Semiconductor)最近就透露，該公司正在14至16奈米節點采用
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FinFET FD-SOI
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