DIGITIMES Research觀察，大陸半導體產業近期積極擁抱全空乏絕緣上覆矽(Fully Depleted Silicon-on-Insulator;FD-SOI，有時也稱Ultra-Thin Body;UTB)制程技術，包含拜會關鍵晶圓片底材供應商、簽署相關合作協議、于相關高峰論壇上表態等。大陸選擇FD-SOI路線，而非臺積電(Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.;TSMC)、英特爾(Intel)的FinFET(鰭式場效電晶體)路線，估與手機產業鏈、貿易政策考量相關。

　　FD-SOI的特點在于較低的導通電壓、運作電壓，電路運作時的省電性較佳，同時支持者強調FD-SOI每閘電路成本較低。不過，現階段FD-SOI的微縮制程不如FinFET，相同面積內的電晶體密度較低，電路運作效能也較低。

　　目前支持FD-SOI的晶圓代工廠主要為美國格羅方德(GlobalFoundries)、南韓三星半導體(Samsung Semiconductor)的晶圓代工業務，以及歐洲意法半導體(STMicroelectronics;STMicro)，大陸晶圓代工廠華虹(HH Grace)也可能加入，不過即將已表態支持的業者營收加總，其合計營收總額仍遠不及臺積電營收，此連帶反映代工產能，并影響晶片商的制程路線選擇。

　　DIGITIMES Research推測，現階段僅有代工產量少、價位中低，無法在現有晶圓代工排程中獲得優先順位的晶片商轉投FD-SOI。高量、高價晶片以及高效能、高密度晶片，仍會傾向FinFET生態圈。

　　半導體節點制程持續精進的兩個路線