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ram 內存 文章 最新資訊

內存DRAM芯片價格達谷底即將回調達到波谷

  • 亞洲芯片制造商上周末召開了會議，研究結果表明內存DRAM芯片價格已經達到了波谷，未來將有所上浮。在上周四的全球市場上，DRAM內存平均售價再次下滑了五個百分點，而該數(shù)字在周五也處于下滑態(tài)勢。計算機內存制造商三星電子和現(xiàn)代半導體甚至表示，內存產品的售價迅速下調，有可能影響到公司4到6月季度盈利情況。實際上，自從今年開始，某些內存產品的售價足足下滑了70％。  “如今的價格已經幾乎達到了最低點，我們都在等待重新的上浮。”Daiwa研究所分析家JaeLee先生表示，“如果庫存量下滑，價格上浮
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內存價格終于反彈 業(yè)內持不同意見

  • 在5月18-25日，DRAM內存價格終于出現(xiàn)了反彈，業(yè)界分析家對該現(xiàn)象是標志著大范圍的調整開始還是僅僅是一個短期現(xiàn)象持有不同意見。 據(jù)DRAMeXchange的數(shù)據(jù)顯示，從5月18日開始，包括eTT在內各種頻率型號的512MB DDR2內存現(xiàn)貨價格據(jù)呈上升勢頭。在所有類型當中，eTT壓低內存升幅最大，達到16%。 一些業(yè)內人士擔心DRAM現(xiàn)貨市場的價格反彈將會影響DRAM合同價格的調整。來自DRAM內存廠商的消息稱現(xiàn)還沒有收到電腦廠商需求急劇變化的反饋，而來自內存模組廠的消息稱，由于DRAM廠商
  • 關鍵字： 內存  消費電子  存儲器  消費電子  

內存價格終于反彈 業(yè)內持不同意見

  • 　　在5月18-25日，DRAM內存價格終于出現(xiàn)了反彈，業(yè)界分析家對該現(xiàn)象是標志著大范圍的調整開始還是僅僅是一個短期現(xiàn)象持有不同意見。 　　據(jù)DRAMeXchange的數(shù)據(jù)顯示，從5月18日開始，包括eTT在內各種頻率型號的512MB DDR2內存現(xiàn)貨價格據(jù)呈上升勢頭。在所有類型當中，eTT壓低內存升幅最大，達到16%。 　　一些業(yè)內人士擔心DRAM現(xiàn)貨市場的價格反彈將會影響DRAM合同價格的調整。來自DRAM內存廠商的消息稱現(xiàn)還沒有收到電腦廠商需求急劇變化的反饋，而來自內存模組廠的消息稱，由于DRA
  • 關鍵字： 內存  存儲器  

PC大廠刻意壓低內存 上下游博弈仍在繼續(xù)

  • 內存顆粒在最近一兩天終于價格開始反彈，DDR2 512Mb ETT顆粒昨天收盤于1.58美元，而DDR2 512Mb 667MHz則從1.7美元反彈至1.76美元。 內存業(yè)者表示，DRAM制造廠不再殺低出貨，再加上部份模組廠開始趁低收貨，是帶動近日DRAM現(xiàn)貨價跌深反彈的主因。只是目前終端市場需求依然疲軟，因此DRAM價格是否就此落底，仍待進一步觀察。 創(chuàng)見上海代表處的總經理顏明吉表示，此前內存之所以狂跌，戴爾和惠普等PC大廠故意觀望是非常重要的因素。 去年年末Vi
  • 關鍵字： PC  內存  消費電子  存儲器  消費電子  

內存狂跌引發(fā)質量嚴重下滑 不良率數(shù)倍提升

  • “憑良心來講，現(xiàn)在內存的品質整體來說真的很差。”某品牌內存的一位高管向PConline產業(yè)資訊這樣透露。 根據(jù)相關人士透露，內存晶元的測試，是晶元廠要另外要付費給專門的測試廠商。按照業(yè)界的概況，DDR2的顆粒一般好一點的原廠要測試800秒，普通的廠商是測試400秒。一般來說，原廠的品牌顆粒不太敢完全不測試，多少會測一下。但是現(xiàn)在測試時間變成了200秒或者100秒，甚至有些廠商只測50秒。 一般來說，如果經過800秒完全測試，內存顆粒的不良率可以低于500PPM(注1)，非常的低。當測試時間從800秒
  • 關鍵字： 不良率  內存  消費電子  質量  存儲器  消費電子  

一種嵌入式系統(tǒng)的內存分配方案

  • 1 嵌入式系統(tǒng)中對內存分配的要求 　　 　　①快速性。 　　 　　嵌入式系統(tǒng)中對實時性的保證，要求內存分配過程要盡可能地快。因此在嵌入式系統(tǒng)中，不可能采用通用操作系統(tǒng)中復雜而完善的內存分配策略，一般都采用簡單、快速的內存分配方案。當然，對實性要求的程序不同，分配方案也有所不同。例如，VxWorks采用簡單的最先匹配如立即聚合方法；VRTX中采用多個固定尺寸的binning方案。 　　 　?、诳煽啃?。 　　 　　也就是內存分配的請求必須得到滿足，如果分配失敗可能會帶來災難性的后果。嵌入式系
  • 關鍵字： 分配  內存  嵌入式  存儲器  

IBM讓芯片堆疊連接 導線作古CPU讀內存快千倍

  • 據(jù)國外媒體報道，周四，美國半導體巨頭IBM公司宣布，他們研發(fā)出了一種垂直方向上以堆疊方式連接不同芯片的技術，這種技術可以大大減少處理器和內存之間的距離，從而加速數(shù)據(jù)的傳輸，并節(jié)省手機或者電腦的功耗。 利用IBM公司的研發(fā)成果，今天的不同芯片之間的導線將失去作用。眾所周知的是，在電腦或者手機中，微處理器和內存芯片之間依然靠導線來傳輸數(shù)據(jù)，相對于芯片內部的晶體管相比，這種“遙遠”的導線距離延緩了數(shù)據(jù)的傳輸，使得內存訪問成為系統(tǒng)性能的一個瓶頸。 在IBM公司的方案中，兩個芯片將被上下堆疊在一起，兩者之間的距離只
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揚長補短發(fā)展FeRAM

  • 　　存儲器在半導體行業(yè)就是一塊萬能膏藥，或者嵌入到SoC里或者當做單獨的存儲元件，有數(shù)據(jù)計算和程序存儲的要求就有它的用武之地。當前的主流半導體存儲器可以簡單的分成易失性和非易失性兩部分，它們各有所長，應用領域也因這一特性而是涇渭分明。 　　易失性的存儲器包括靜態(tài)存儲器SRAM和動態(tài)存儲器DRAM，SRAM和DRAM在掉電的時候均會失去保存的數(shù)據(jù)，但是RAM 類型的存儲器易于使用、性能好。非易失性存儲器在掉電的情況下并不會丟失所存儲的數(shù)據(jù)。然而所有的主流的非易失性存儲器均源自于ROM（只讀存儲器）技術，包
  • 關鍵字： DRAM  FeRAM  RAM  SRAM  存儲器  

構造一個51單片機的實時操作系統(tǒng)的方法

  • 說到實時操作系統(tǒng)，就不能不考慮重入問題。對于PC機這樣的大內存處理器而言，這似乎并不是一個很麻煩的問題。 ...
  • 關鍵字：   容量  源代碼  內存    

采用FPGA IP實現(xiàn)DDR的讀寫控制的設計與驗證

  • 摘要： 本文采用LatticeXP系列FPGA結合IP解決DDR RAM的讀寫控制。并且在硬件上面進行了實際測試。關鍵詞： 嵌入式系統(tǒng)；DDR RAM；FPGA；IP；LattcieXP 前言隨著高速處理器的不斷發(fā)展，嵌入式系統(tǒng)應用的領域越來越廣泛，數(shù)字信號處理的規(guī)模也越來越大，系統(tǒng)中RAM規(guī)模不斷增加，比如視頻監(jiān)控、圖像數(shù)據(jù)采集等領域，圖像處理的實時性對RAM帶寬的要求不斷增加，傳統(tǒng)的SDRAM在帶寬上已經逐漸無法滿足應用要求，DDR SDRAM(雙倍速率SDRAM)采用在時鐘CL
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linux內核編譯步驟

  • 電子產品世界,為電子工程師提供全面的電子產品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術中心和交流中心,是電子產品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網絡家園
  • 關鍵字： 內核  RAM  

Windows CE 進程、線程和內存管理（三）

  • 電子產品世界,為電子工程師提供全面的電子產品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術中心和交流中心,是電子產品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網絡家園
  • 關鍵字： ROM  RAM  

微處理器實時時鐘芯片MM58167B原理與應用

  • 本文詳細介紹了MM58167B的各功能模塊、性能及其應用。
  • 關鍵字：   晶振  RAM  存儲    

利用SPD實現(xiàn)嵌入式系統(tǒng)中內存自動識別和配置

  • 在嵌入式系統(tǒng)設計中經常用大容量的SDRAM，存放RTOS和數(shù)據(jù)。這時用戶可以有兩種選擇：一種是選用合適的內存芯片自己布線，把整個SDRAM做到嵌入式系統(tǒng)的PCB板上，這種方法在小系統(tǒng)中經常采用；另一種就是選用現(xiàn)成的內存條(如筆記本電腦上常用的DIMM內存)，現(xiàn)成的內存條不僅容量大，而且由于用量大，價格也相對便宜。另外現(xiàn)成的內存條還節(jié)省了PCB布線空間，縮小嵌入式系統(tǒng)的內存體積，提高系統(tǒng)的穩(wěn)定性，方便更換和檢測。筆記本內存的型號和種類很多，采購時也可能來自多個廠家。為了使各種內存條在嵌入式系統(tǒng)都能正常使用，
  • 關鍵字： SPD  測量  測試  內存  存儲器  

三星一高層參與壟斷內存芯片價格鋃鐺入獄

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