據悉，在高壓變頻器中，約有一半的成本來自絕緣柵雙極晶體管(IGBT)等電力電子元器件。相比中低壓變頻器，這類產品的價格與質量對高壓變頻器而言要重要得多。因此高壓變頻器廠商對電力電子元器件行業的關注從來沒有放松過。2010年，他們發現國家對于電力電子元器件的重視程度也越來越高。
2010年3月19日，國家發改委辦公廳發布《關于組織實施2010年新型電力電子器件產業化專項的通知》，明確指出將組織實施新型電力電子器件產業化專項，以大力推進新型電力電子器件產業發展，努力掌握自主知識產權的芯片和器件的設計
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高壓變頻器 IGBT
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出全新的絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 在線選擇工具。該工具可有效優化多種應用設計，包括馬達驅動、不間斷電源系統 (UPS)、太陽能逆變器和焊接。
IR全新的IGBT在線選擇工具能評估總線電壓、開關頻率和短路保護要求等應用條件。新在線工具位于mypower.irf.com/IGBT，不但可以提供預估損耗，還可以建議一些能夠在給定限制條件內運行的器件。該工具還為每個零件提供了定價，使設計人員能夠考慮有關器件的選擇對系統
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IR IGBT
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出全新的絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 在線選擇工具。該工具可有效優化多種應用設計，包括馬達驅動、不間斷電源系統 (UPS)、太陽能逆變器和焊接。
IR全新的IGBT在線選擇工具能評估總線電壓、開關頻率和短路保護要求等應用條件。新在線工具位于mypower.irf.com/IGBT，不但可以提供預估損耗，還可以建議一些能夠在給定限制條件內運行的器件。該工具還為每個零件提供了定價，使設計人員能夠考慮有關器件的選擇對系統
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IR IGBT
摘要：開關電源中緩沖電路性能的好壞直接影響到系統的品質。文中給出了一種結構簡單、安裝方便的RC緩沖電路的設計方法，該方法不僅能降低開關管的關斷損耗，而且還能降低變壓器的漏感和尖峰電壓。
關鍵字：
設計 電路 緩沖 RC 開關電源
摘要：電子鋸齒波產生器在電子設備中擔當著重要角色。文中設計了一個性能良好、結構簡單、成本低廉、維護方便的電子鋸齒波產生器。介紹了這種電子鋸齒波產生器的結構，說明了它的工作原理，定量地用自動控制理論分析
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優化 設計 產生 鋸齒 電子 RC
士蘭微擬同意在子公司士蘭集成內組建多芯片高壓功率模塊制造生產線，計劃從2010年起在未來的2--3年內安排投資13,500萬元，其中2010年投資2,500萬元。
士蘭微7月29日發布公告稱，公司第四屆董事會第九次會議審議通過《關于控股子公司組建功率模塊生產線項目的議案》。
多芯片高壓功率模塊組件因其具有較高的功率密度和可靠性、較高的集成度、安裝使用便捷等優點，而越來越受到市場的關注，應用的領域也越來越廣。目前采用芯片設計與制造一體化運行的士蘭微電子，通過芯片設計、器件結構開發、工藝開發等
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士蘭微 IGBT 芯片設計
Infineon 公司的EconoDUAL 3模塊是600A/1200V的IGBT,主要的典型應用包括自動驅動系統的頻率變換器,光伏電壓系統的中央逆變器,汽車柴油發動機驅動器(CAV),同等封裝尺寸,可增加功率30%.本文介紹EconoDUAL 3模塊主要特性,典型應用電路以及EconoDUAL?3模塊驅動板主要特性,評估板電路,以及IGBT各種驅動電路和驅動板材料清單(BOM).
The new EconoDUAL 3 module with the designation FF600
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Infineon EconoDUAL3 汽車驅動 IGBT
【 導讀：在新能源領域的大多數功率變換裝置中，IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)是最為重要的器件，與歐洲、日本和美國相比，中國在該領域還相對落后，盡管國內也有一些企業和科研機構在進行研發，但產業化進程緩慢，技術上也落后于國外。】
今年6月，功率半導體業界的盛會“PCIMChina2010”在上海光大會展中心舉行，國內外知名功率半導體廠商向與會觀眾展示了各自推出的新產品和眾多高能效解決方案。記者觀察到，功率半導體在新能源領域的應用成為本屆展會的熱點，而中國功率器件產業的未來發展
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功率半導體 IGBT
·隨著IGBT升級換代，變頻器性能不斷提高，體積不斷減小。
·三菱電機在功率半導體領域的一個很大的優勢就是貼近系統用戶。
日本從上世紀80年代開始使用工業用的變頻器，還有家庭用的變頻空調，在市場上變頻技術得到了很快的發展。最初變頻器都用晶閘管，但是后來出現了用在變頻器上的IGBT。通過使用IGBT，功率損耗大幅降低。同時，經過25年的發展，出現了各種各樣的研究開發成果，目前三菱電機的IGBT芯片已經發展到第6代?？梢耘e一個直觀的例子來說明IGBT的發展水平：如果
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IGBT 變頻器
摘要：分別針對矩陣變換器的整流級和逆變級IGBT的過流現象進行了討論，提出了一種新的集中式過流保護電路的設計方式。該方式可確保IGBT在短路情況下及時被關斷，從而安全穩定地運行。試驗結果表明：新的集中式過流保
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保護 電路設計 集中式 IGBT 矩陣 變換器 基于
功率半導體下游需求旺盛，發展前景看好。隨著全球經濟復蘇勢頭增強，iSuppli公司預測2010年半導體市場營業收入為2833億美元，增長率達到23.2%.
MOSFET市場前景廣闊。2007年全球MOSFET的銷售額大約為52.89億美元，MOSFET的銷售額占全部功率半導體的比重大約為20%,MOSFET主要應用于消費電子、計算機、工業控制、網絡通信、汽車電子和電力設備六大領域。
IGBT:節能減排的先鋒。2007年全球IGBT的銷售額大約為31.36億美元，IGBT的銷售額占全部功率半
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MOSFET IGBT 功率半導體
本文介紹了集成續流二極管(FWD)的1200V RC-IGBT，并將探討面向軟開關應用的1,200V逆導型IGBT所取得的重大技術進步。IGBT技術進步主要體現在兩個方面：通過采用和改進溝槽柵來優化垂直方向載流子濃度，以及利用“場終
關鍵字：
IGBT 軟開關 損耗
功率半導體下游需求旺盛，發展前景看好。隨著全球經濟復蘇勢頭增強，iSuppli公司預測2010年半導體市場營業收入為 2833億美元，增長率達到23.2%。
MOSFET市場前景廣闊。2007年全球MOSFET的銷售額大約為52.89億美元，MOSFET的銷售額占全部功率半導體的比重大約為20%，MOSFET主要應用于消費電子、計算機、工業控制、網絡通信、汽車電子和電力設備六大領域。
IGBT:節能減排的先鋒。2007年全球IGBT的銷售額大約為31.36億美元，IGBT的銷售額占全部功率
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MOSFET IGBT
近日，中國南車在英國林肯丹尼克斯公司成立了半導體研發中心，并舉行了丹尼克斯第一期六英寸IGBT芯片線開通儀式，為實現功率半導體器件世界第一的戰略目標奠定了更加堅實的基礎。
中國南車2008年10月成功收購了丹尼克斯半導體公司，獲得了戰略性資源，與中國南車現有功率半導體產業形成優勢互補。為尋求更大發展，南車確立了功率半導體器件世界第一的戰略目標，于2009年底成功完成丹尼克斯公司的再融資，進一步加大對功率半導體產業的投資，著力提升六英寸IGBT芯片的生產能力;同時建立世界水平的功率半導體研發中心，
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軌道交通 IGBT
針對汽車功率模塊需求，英飛凌通過增強IGBT的功率循環和溫度循環特性，并增加IGBT結構強度，大大提高了IGBT的壽命預期。
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IGBT 汽車級 混合動力車 中的設計
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