三菱電機將攜同多種系列的第五代IGBT模塊，在3月18至20日于上海新國際博覽中心舉行之2008慕尼黑上海電子展（展位5102）上，為不同領域的客戶提供與其相應的應用解決方案。
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三菱電機采用最新開發的載流子存儲式溝槽型雙極晶體管（Carrier Stored Trench-gate Bipolar Transistor，CSTBTTM）功率硅片，實現了第五代IGBT模塊的產品化，其具有低損耗、低飽和壓降、高功率循環和壽命長等優點。分別針對不同應用開發了A、 NF、 NFM、NFH和NX系
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三菱 IGBT 電子展 200802
上世紀60年代，開關電源的問世，使其逐步取代了線性穩壓電源和SCR相控電源。40多年來，開關電源技術有了飛迅發展和變化，經歷了功率半導體器件、高頻化和軟開關技術、開關電源系統的集成技術三個發展階段。
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開關電源，IGBT 碳化硅 AC/DC
l 前言
絕緣柵場效應晶體管(IGBT)作為一種復合型器件，集成了MOSFET的電壓驅動和高開關頻率及功率管低損耗、大功率的特點，在電機控制、開關電源、變流裝置及許多要求快速、低損耗的領域中有著廣泛的應用。本文對應用于有源電力濾波器的IGBT的特性及其專有EXB84l型驅動器的設計進行討論，并提出一種具有完善保護功能的驅動電路。
有源電力濾波器設計中應用4個IGBT作為開關，并用4個EXB84l組成驅動電路，其原理如圖l所示。在實驗中，根據補償電流與指令電流的關系，用數字信號處理器(DSP
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IGBT MOSFET 場效應晶體管 電源
將IGBT用于變換器時，應采取保護措施以防損壞器件，常用的保護措施有：
（1） 通過檢出的過電流信號切斷門極控制信號，實現過電流保護；
（2） 利用緩沖電路抑制過電壓并限制du/dt；
（3） 利用溫度傳感器檢測IGBT的殼溫，當超過允許溫度時主電路跳閘，實現過熱保護。
下面著重討論因短路而產生的過電流及其保護措施。
前已述及，IGBT由于寄生晶閘管的影響，當流過IGBT的電流過大時，會產生不可控的擎住效應。實際應用中應使IGBT的漏極電流不超過額定電流，以避免出現擎住現
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IGBT 半導體材料
一、IGBT的工作原理
電力MOSFET器件是單極型（N溝道MOSFET中僅電子導電、P溝道MOSFET中僅空穴導電）、電壓控制型開關器件；因此其通、斷驅動控制功率很小，開關速度快；但通態降壓大，難于制成高壓大電流開關器件。電力三極晶體管是雙極型（其中，電子、空穴兩種多數載流子都參與導電）、電流控制型開關器件；因此其通-斷控制驅動功率大，開關速度不夠快；但通態壓降低，可制成較高電壓和較大電流的開關器件。為了兼有這兩種器件的優點，棄其缺點，20世紀80年代中期出現了將它們的通、斷機制相結合的新一代半導
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IGBT 半導體材料
引言
IGBT常用的驅動模塊有TLP250，以及EXB841/840系列的驅動模塊。但在燃料電池城市客車DC/DC變換器的研制過程中發現，由于車載DC/DC變換器常常工作在大功率或超大功率的狀態中，而處在這種狀態下的IGBT瞬時驅動電流大，要求可靠性要高，使得傳統的驅動電路已經不能滿足其使用要求，經過研究分析，選用瑞士CONCEPT公司生產的用于驅動和保護IGBT或功率MOSFET的專用集成驅動模塊2SD315A作為大功率IGBT(800A/1200V)的驅動器件，該驅動器集成了智能驅動、自檢、
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模擬技術 電源技術 IGBT 2SD315A 模擬IC 電源
引言
隨著電力電子技術朝著大功率、高頻化、模塊化發展，絕緣柵雙極品體管(IGBT)已廣泛應用于開關電源、變頻器、電機控制以及要求快速、低損耗的領域中。IGBT是復合全控型電壓驅動式電力電子器件，兼有MOSFET和GTR的優點：輸入阻抗高，驅動功率小，通態壓降小，工作頻率高和動態響應快。目前，市場上500~3000V，800～l800A的IGBT，因其耐高壓、功率大的特性，已成為大功率開關電源等電力電子裝置的首選功率器件。
1 驅動保護電路的原則
由于是電壓控制型器件，因此只要控制IC
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嵌入式系統 單片機 IGBT 集成驅動 嵌入式
全球對于節能和綠色能源的需求使得馬達變頻驅動在工業應用領域不斷增長，甚至還擴展到民用產品和汽車領域。因此在過去幾年，市場對變頻器的需求量和相應的產量一直在持續增長。隨著產量的不斷擴大和技術趨向成熟，變頻器市場競爭也日益激烈，對產品性價比的要求不斷提高。 標準的三相交流驅動變頻器使用絕緣柵雙極晶體管(IGBT) 來實現主電路中的6個開關，現在除少量小功率、低成本變頻器采用分立IGBT器件外，一般工業變頻器均采用模塊化IGBT(包括IPM)。模塊化概念為用戶提供了一個采用絕緣封裝且經過檢驗
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選型 元器件 變頻器 IGBT 元件 制造
飛兆半導體公司(FairchildSemiconductor)日前推出一顆電流檢測用點火IGBT器件FGB3040CS，可以在應用中省去用于檢測大電流的檢測電阻，從而將功耗降低30%并減少由此帶來的熱量。FGB3040CS具有電流檢測功能，能以小型的低電流檢測電阻替代高功率的檢測電阻，成功簡化系統元件的需求及降低總體成本。FGB3040CS采用EcoSPARK技術設計，提供了高能量密度的點火IGBT。這項技術可讓芯片尺寸縮減到能夠裝入D-Pak封裝中而不會影響性能。 &n
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模擬技術 電源技術 飛兆 電流檢測 IGBT FGB3040CS 基礎儀器
Microsemi Corporation日前新推出一系列采用SP3緊湊封裝的標準IGBT三相橋式電源模塊。該系列電源模塊設計用于電機控制，采用快速NPTIGBT的3相IGBT橋用于20～50KHz高頻應用，采用場溝漕截止IGBT用于5～20KHz的低頻應用。所有新款整流器都集成有用于監控模塊內部溫度的傳感器以實現過熱保護。 快速NPT類IGBT的電流等級分別為：30A～50A/600V、15～25A/1200V；場溝漕截止型IGBT的電流等級分別為：20A～75A/600V，25A
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模擬技術 電源技術 Microsemi IGBT 電源模塊 電源
摘要：介紹一種基于四時鐘周期、高速8051內核的混合信號8位單片機MAX7651。探討在開發基于MAX7651的應用系統時所面臨的問題，并推薦相應的解決方案。
關鍵詞：MAX7651 AT89LV55 8XC51RA/RB/RC ALL-07 Flash 四時鐘周期
在全球8位單片機領域，英特爾（Intel）生產的MCS-51系列是毋庸質疑的領導者。借助英特爾廣泛的授權行為，基于8051內核的8位單片機兼容產品早已根深葉茂。Dallas Semicondu
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MAX7651 AT89LV55 8XC51RA/RB/RC ALL-07 Flash 四時鐘周期 MCU和嵌入式微處理器
引言自MOSFET及IGBT問世以來，電壓控制型電力電子器件，特別是IGBT正經歷一個飛速發展的過程。IGBT單模塊器件的電壓越做越高，電流越做越大。同時，與之配套的驅動器件也得到了迅速發展。隨著器件應用領域越來越廣，電源設備變換功率越來越大，電磁T擾也相應增強。為此必須提高控制板的抗干擾能力，提高驅動耐壓等級。于是，光纖的使用也就成為了必然。
1 ICBT驅動的幾種方式不同功率等級的IGBT，對驅動的要求不盡相同，表1給出了目前常用的幾種驅動方式的比較。
由表l可知，在大功率
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IGBT 大功率 光纖 通訊 網絡 無線
電子產品世界,為電子工程師提供全面的電子產品信息和行業解決方案,是電子工程師的技術中心和交流中心,是電子產品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網絡家園
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IGBT MOSFET 汽車
本文使用單片機數據采集系統可以直觀了解RC電路的過渡過程，用數據采集系統得出的數據計算該RC電路的時間常數 ...
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