- 繼海力士(Hynix)和惠普(HP)宣布合作開發新世代內存ReRAM(Resistive Random-Access Memory)技術和材料，爾必達(Elpida)與夏普(Sharp)亦宣布共同研發ReRAM，讓次世代內存技術研發掀起跨領域結盟熱潮，內存業者預期，未來ReRAM、3D NAND Flash、相變化內存(Phase Change RAM;PRAM)和磁性隨機存取內存(Magnetic RAM;MRAM)等次世代內存，將會有一番激烈競爭。
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爾必達 ReRAM 次世代內存
- 日經新聞報道，夏普正與爾必達聯手開發下一代ReRAM可變電阻式閃存芯片，預計在2013年實現量產。
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夏普 閃存芯片 ReRAM
- 據國外媒體報道，惠普周二宣布與韓國海力士半導體(Hynix Semiconductor)達成合作協議，共同研發下一代內存技術電阻式內存并將其推向市場。
據一份聲明顯示，兩家公司將合作開發新型材料和技術，實現電阻式內存(ReRAM)技術的商業化。海力士將會采用由惠普實驗室研發出的新型元件憶阻器(memristor)。憶阻器相比現有的固態存儲技術能耗更低，速度更快，而且能在斷電時存儲數據。惠普今年春季稱表示，憶阻器也能夠執行邏輯。
ReRAM技術的初衷是成為低功耗Flash的替代品。ReRAM
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海力士 內存 ReRAM
reram介紹
日本富士通的川崎實驗室透露,他們研發除了一種新型的非揮發ReRAM(電阻式記憶體),能提供更低的功耗.
包含鈦鎳氧化物結構的ReRAM,在刷寫時只需要100mA的電流甚至更少,相比傳統ReRAM,研究人員還降低了90%的波動電阻值,這一技術指標在反復高速寫入和擦除時會影響產品質量和壽命.
新的技術可以更快地完成存取,5毫秒內存取10000次.
這種ReRAM未來可以替代目前的 [
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