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ReRAM

　　日本富士通的川崎實驗室透露，他們研發除了一種新型的非揮發ReRAM(電阻式記憶體)，能提供更低的功耗。 　　包含鈦鎳氧化物結構的ReRAM，在刷寫時只需要100mA的電流甚至更少，相比傳統ReRAM，研究人員還降低了90%的波動電阻值，這一技術指標在反復高速寫入和擦除時會影響產品質量和壽命。 　　新的技術可以更快地完成存取，5毫秒內存取10000次。 　　這種ReRAM未來可以替代目前的FlashRAM，并且成本較低，表現也非常突出。查看更多>>

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