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Weebit Nano 與德州儀器公司達成許可協議

Weebit Nano Limited，一家為全球半導體行業開發和授權的先進存儲技術公司，宣布已將其電阻隨機存取存儲器（ReRAM）技術授權給德州儀器（TI），這是一家設計、制造和銷售模擬及嵌入式處理芯片的全球半導體公司...

Weebit Nano 德州儀器 2026-01-08

TI獲得WeeBit的ReRAM技術授權

Weebit Nano已將其ReRAM技術授權給TI,根據協議條款，Weebit的ReRAM技術將集成到TI用于嵌入式處理器的先進工藝節點中。協議包括知識產權許可、技術轉讓、設計和認證 Weebit ReRAM 在 TI...

TI WeeBit 2025-12-30

新興存儲，開始走嵌入式路線

新興內存已不再只是未來的前景。在嵌入式系統中，它正在成為現實。...

MRAM ReRAM 2025-06-03

晶圓代工開始關注新型存儲

新型存儲器能夠滿足未來更加多樣化的存儲需求。...

ReRAM FRAM 2023-04-10

迷人的新型存儲

多年來，各大廠商多年來孜孜不倦地追求閃存更高層數和內存更先進制程。現代社會已經進入大數據、物聯網時代——一方面，數據呈爆炸式增長，芯片就必須需要具備巨大的計算能力；另一方面，依據傳統摩爾定律微縮的半導體技術所面臨的挑戰...

MRAM ReRAM 2023-03-17

富士通推出業界最高密度4 Mbit ReRAM量產產品

富士通電子元器件（上海）有限公司近日宣布，推出業界最高密度4 Mbit ReRAM（可變電阻式存儲器）（注1）產品MB85AS4MT。此產品為富士通半導體與松下電器半導體（注2）合作開發的首款ReRAM存儲器產品。ReR...

合作 ReRAM 2020-05-15

ReRAM即將跨入3D時代？

　　莫斯科物理技術學院(MIPT)宣稱成功為ReRAM開發出新的制程，可望為其實現適于3D堆疊的薄膜技術…　　可變電阻式隨機存取存儲器(ReRAM)是一種可望取代其他各種儲存類型的“通用”存儲器，不僅提供了隨機存取存儲器...

ReRAM 存儲器 2017-07-05

中芯國際為何鎖定瞄準ReRAM？

　　比NAND閃存更快千倍 40納米ReRAM在中芯國際投產引起業界關注!曾經一度大舉退出內存生產的中芯國際，為何鎖定瞄準ReRAM?主要原因在于ReRAM應用在物聯網(IoT)裝置擁有愈長的電池續航力，一來可節省維護成...

中芯國際 ReRAM 2017-02-28

比NAND閃存更快千倍 40nm ReRAM在中芯國際投產

　　非揮發性電阻式內存(ReRAM)開發商CrossbarInc.利用非導電的銀離子-非晶硅(a-Si)為基板材料，并透過電場轉換機制，開發出號稱比NAND閃存更快千倍速度的ReRAM組件，同時就像先前在2016年所承諾...

NAND ReRAM 2017-02-14

40nm ReRAM芯片正式出樣中芯國際向上走勢頭勁

中芯未來幾年的擴產布局，可謂遍地開花，包括在北京、上海、深圳、寧波以及杭州等地，都有新的12寸晶圓廠投資計劃，雖然部分投資案目前僅止于土地取得、尚未裝置機臺的階段，但可看出中芯旺盛的企圖心。...

中芯國際 ReRAM 2017-01-19

中芯國際正式出樣40nm ReRAM芯片

　　目前在下一代存儲芯片的研發當中，除了3D XPoint芯片外還有ReRAM芯片(非易失性阻變式存儲器)。2016年3月，Crossbar公司宣布與中芯國際達成合作，發力中國市場。其中，中芯國際將采用自家的40nm C...

中芯國際 ReRAM 2017-01-17

富士通推出業界最高密度4 Mbit ReRAM量產產品

　　富士通電子元器件(上海)有限公司今天宣布，推出業界最高密度4 Mbit ReRAM(可變電阻式存儲器)(注1)產品MB85AS4MT。此產品為富士通半導體與松下電器半導體(注2)合作開發的首款ReRAM存儲器產品。 ...

富士通 ReRAM 2016-11-09

ReRAM公布最新成果,性能接近理論數據

　　可變電阻式ReRAM 作為新的存儲技術，從研發到商用總是要歷經漫長的艱難坎坷。現在ReRAM芯片的研制已經初見成效，日前索尼和Micron就聯手公布了他們的最新研究成果，稱他們試制的產品在性能上已經非常接近理論數據。...

索尼 Micron 2014-12-28

ReRAM將能代替內存和硬盤

　　固態硬盤供應商SanDisk正在研發一種新型的系統存儲器，未來也許能一舉替代內存和硬盤。 ReRAM代表電阻式RAM，將DRAM的讀寫速度與SSD的非易失性結合于一身。換句話說，關閉電源后存儲器仍能記住數據。如果Re...

惠普內存 2012-02-22

次世代內存技術研發掀起跨領域結盟熱潮

　　繼Hynix(海力士)和HP(惠普)宣布合作開發新世代內存ReRAM技術和材料，Elpida(爾必達)與Sharp(夏普)亦宣布共同研發ReRAM，讓次世代內存技術研發掀起跨領域結盟熱潮。內存業者預期，未來ReRAM...

內存 ReRAM 2010-10-19

異業結盟潮起次世代內存再掀熱戰

　　繼海力士(Hynix)和惠普(HP)宣布合作開發新世代內存ReRAM(Resistive Random-Access Memory)技術和材料，爾必達(Elpida)與夏普(Sharp)亦宣布共同研發ReRAM，讓次...

爾必達 ReRAM 2010-10-14

夏普聯袂爾必達開發下一代ReRAM閃存芯片

　　日經新聞報道，夏普正與爾必達聯手開發下一代ReRAM可變電阻式閃存芯片，預計在2013年實現量產。　　...

夏普閃存芯片 2010-10-13

惠普宣布與海力士合作開發新型內存

　　據國外媒體報道，惠普周二宣布與韓國海力士半導體(Hynix Semiconductor)達成合作協議，共同研發下一代內存技術電阻式內存并將其推向市場。　　據一份聲明顯示，兩家公司將合作開發新型材料和技術，實現電阻...

海力士內存 2010-09-01

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ReRAM

Weebit Nano 與德州儀器公司達成許可協議

TI獲得WeeBit的ReRAM技術授權

新興存儲，開始走嵌入式路線

晶圓代工開始關注新型存儲

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ReRAM即將跨入3D時代？

中芯國際為何鎖定瞄準ReRAM？

比NAND閃存更快千倍 40nm ReRAM在中芯國際投產

40nm ReRAM芯片正式出樣中芯國際向上走勢頭勁

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ReRAM將能代替內存和硬盤

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