- 異質異構Chiplet正成為后摩爾時代AI海量數據處理的重要技術路線之一，正引起整個半導體行業的廣泛關注，但這種方法要真正實現商業化，仍有賴于通用標準協議、3D建模技術和方法等。然而，以拓展摩爾定律為標注的模擬類比芯片技術，在非尺寸依賴追求應用多樣性、多功能特點的現實需求，正在推動不同半導體材料的異質集成研究。為此，復旦大學微電子學院張衛教授、江南大學集成電路學院黃偉教授合作開展了Si CMOS+GaN單片異質集成的創新研究，并在近期國內重要會議上進行報道。復旦大學微電子學院研究生杜文張、何漢釗、范文琪等
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復旦大學 Si CMOS GaN 單片異質集成
- 1. 什么是射頻？射頻簡稱RF，是高頻交流變化電磁波的簡稱。電磁波其實就是比較熟悉的概念了，依據麥克斯韋的電磁場理論：振蕩的電場產生振蕩的磁場，振蕩的磁場產生振蕩的電場，電磁場在空間內不斷向外傳播，形成了電磁波。下圖可以大致體現體現這個過程，E代表電場，B代表磁場。在軸上同一位置的電場、磁場的相位和幅度均會隨著時間發生變化。通常情況下，射頻（RF）是振蕩頻率在300KHz-300GHz之間的電磁波的統稱，被廣泛應用于雷達和無線通信。2. 射頻基本特征為了描述給定射頻信號，可以從頻率、波長、幅度、相位四個角
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射頻 RF
- onsemi
AR0823AT 是一款 1/1.8 英寸的 CMOS 數位影像感測器，擁有 3840 H x 2160 V
的有效像素陣列。這款先進的汽車用感測器能以高動態范圍 (HDR) 并結合 LED 閃爍抑制 (LFM) 捕捉影像。AR0823AT
可在每一幀中同時捕捉低光與極高亮度的場景，其 2.1 μm 超級曝光像素能實現高達 150 dB
的動態范圍，而無需進行自動曝光調整。這顯著降低了場景依賴的汽車關鍵系統的延遲，實現更快速且更安全的數據收集與決策。AR0823AT 的雙輸出
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安森美 AR0823AT Hyperlux CMOS Digital Image Sensor
- 根據相機及影像產品協會（CIPA）公布的數據，2024 年 1 月至 5 月，中國市場相機出貨量全球占比達到 23.4%，躍居繼美洲之后的全球第二大市場。在智能手機沖擊下曾一度遇冷的相機市場，如今因直播電商、短視頻等新興產業的崛起而重新煥發生機。產品創新與流量經濟的交織，正在為傳統行業打開一條全新的消費路徑。日本佳能副社長、執行董事小澤秀樹也表示，2023 年中國數碼相機市場實現了 25% 的增長，其中無反相機更是增長了 31%，預計 2024 年這一增長勢頭將持續，無反相機的增長有望達到 35%。隨著近
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無反相機 CMOS 傳感器
- 關于射頻模擬設計中的噪聲分析，通過示例了解噪聲系數度量，包括本規范的關鍵方面。除了一些特定的應用，例如，當需要抖動效果時，噪聲通常是一種不想要的現象。科學家和工程師已經表征了不同電路元件產生的噪聲，并開發了可用于分析電路噪聲性能的方法。在模擬電路設計中，我們通常將噪聲效應建模為輸入參考噪聲電壓和電流源。然而，在射頻（RF）設計中，噪聲系數度量可以是表征電路噪聲性能的更有用的方法。在本文中，我們將介紹噪聲系數度量，強調該規范的一些微妙之處，最后看一個例子來澄清所討論的概念。射頻模擬設計中的噪聲分析我們通常用
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噪聲系數度量，射頻電路，噪聲，RF
- 本文要點：? 小信號 RF 放大器的用途。? 用于小信號 RF 放大器的分壓器晶體管偏置電路。? 單級小信號 RF 放大器的設計步驟。幾乎所有的電子電路都依賴于放大器，放大器電路會放大它們接收到的輸入信號。基本的放大器電路由雙極結型晶體管組成，晶體管偏置使器件在有源區運行。晶體管的有源區用于放大目的。當晶體管偏置為有源區時，施加在輸入端子上的輸入信號會使輸出電流出現波動。波動的輸出電流流過輸出電阻，產生經過放大的輸出電壓。有些放大器能放大微弱 RF 輸入信號且（與靜態工作點相比）輸出電流波動較小，它們稱為
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RF 放大器
- 8月19日消息，今日，晶合集成宣布與思特威聯合推出業內首顆1.8億像素全畫幅（2.77英寸）CMOS圖像傳感器（以下簡稱CIS），為高端單反相機應用圖像傳感器提供更多選擇。據了解，晶合集成基于自主研發的55納米工藝平臺，與思特威共同開發光刻拼接技術，克服了在像素列中拼接精度管控以及良率提升等困難，成功突破了在單個芯片尺寸上，所能覆蓋一個常規光罩的極限。同時確保在納米級的制造工藝中，拼接后的芯片依然保證電學性能和光學性能的連貫一致。晶合集成表示，首顆1.8億像素全畫幅CIS的成功試產，既標志著光刻拼接技術在
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CMOS 晶合 圖像傳感器 索尼
- 8 月 19 日消息，晶合集成今日官宣，該公司與思特威聯合推出業內首顆 1.8 億像素全畫幅（2.77 英寸）CIS（CMOS 圖像傳感器），為高端單反相機應用圖像傳感器提供更多選擇。▲ 產品圖，圖源晶合集成，下同據介紹，為滿足 8K 高清化的產業要求，高性能 CIS 的需求與日俱增。晶合集成基于自主研發的 55 納米工藝平臺，攜手思特威共同開發光刻拼接技術，克服了在像素列中拼接精度管控以及良率提升等困難，成功突破了在單個芯片尺寸上，所能覆蓋一個常規光罩的極限，同時確保在納米級的制造工藝中，拼接后的芯片依
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CMOS 圖像傳感器 CIS
- 在采樣速率和可用帶寬方面，當今的射頻模數轉換器(RF ADC)已有長足的發展，其中還納入了大量數字處理功能，電源方面的復雜性也有提高。那么，RF ADC為什么有如此多不同的電源軌和電源域？為了解電源域和電源的增長情況，我們需要追溯ADC的歷史脈絡。早期ADC采樣速度很慢，大約在數十MHz內，而數字內容很少，幾乎不存在。電路的數字部分主要涉及如何將數據傳輸到數字接收邏輯——專用集成電路 (ASIC) 或現場可編程門陣列 (FPGA)。用于制造這些電路的工藝節點幾何尺寸較大，約在180 nm或更大。使用單電壓
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ADI RF ADC
- 近期，Guerrilla RF宣布收購了Gallium Semiconductor的GaN功率放大器和前端模塊產品組合。Guerrilla RF表示，通過此次收購，公司獲得了Gallium Semiconductor 所有現有的元件、正在開發的新內核以及相關知識產權(IP)。公司將為無線基礎設施、軍事和衛星通信應用開發新的GaN器件產品線并實現商業化。Guerrilla RF官方經銷商Telcom International的一位員工表示，公司計劃向韓國市場供應Guerrilla RF的射頻晶體管，并將其
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Guerrilla RF Gallium GaN
- 為特定CMOS工藝節點設計的SPICE模型可以增強集成電路晶體管的模擬。了解在哪里可以找到這些模型以及如何使用它們。我最近寫了一系列關于CMOS反相器功耗的文章。該系列中的模擬采用了LTspice庫中預加載的nmos4和pmos4模型。雖然這種方法完全適合這些文章，但如果我們的主要目標是準確模擬集成電路MOSFET的電學行為，那么結合一些外部SPICE模型是有意義的。在本文中，我將介紹下載用于IC設計的高級SPICE模型并在LTspice原理圖中使用它們的過程。然后，我們將使用下載的模型對NMOS晶體管進
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CMOS，MOSFET 晶體管，Spice模型
- 6月14日，純化合物半導體代工廠穩懋半導體（WIN Semiconductors Corp）宣布，公司擴大了其RF
GaN技術組合，推出了基于碳化硅（SiC）的毫米波氮化鎵（GaN）技術測試版NP12-0B平臺。目前，NP12-0B鑒定測試已經完成，最終建模/PDK生成預計將于2024年8月完成，并計劃于2024年第三季度末發布完整的生產版本。據穩懋半導體介紹，該平臺的核心是0.12μm柵極RF GaN
HEMT技術，該技術結合了多項改進，以增強直流和射頻的耐用性，并增加芯片級防潮性。NP12-0
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純化合物 半導體 RF GaN
- 當CMOS反相器切換邏輯狀態時，由于其充電和放電電流而消耗功率。了解如何在LTspice中模擬這些電流。本系列的第一篇文章解釋了CMOS反相器中兩大類功耗：動態，當反相器從一種邏輯狀態變為另一種時發生。靜態，由穩態運行期間流動的泄漏電流引起。我們不再進一步討論靜態功耗。相反，本文和下一篇文章將介紹SPICE仿真，以幫助您更徹底地了解逆變器的不同類型的動態功耗。本文關注的是開關功率——當輸出電壓變化時，由于電容充電和放電而消耗的功率。LTspice逆變器的實現圖1顯示了我們將要使用的基本LTspice逆變器
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CMOS，反相器，功耗 仿真，LTspice
- 本文解釋了CMOS反相器電路中的動態和靜態功耗。為集成電路提供基本功能的CMOS反相器的發展是技術史上的一個轉折點。這種邏輯電路突出了使CMOS特別適合高密度、高性能數字系統的電氣特性。CMOS的一個優點是它的效率。CMOS邏輯只有在改變狀態時才需要電流——簡單地保持邏輯高或邏輯低電壓的CMOS電路消耗的功率非常小。一般來說，低功耗是一個理想的功能，當你試圖將盡可能多的晶體管功能封裝在一個小空間中時，這尤其有益。正如計算機CPU愛好者提醒我們的那樣，充分去除集成電路中的熱量可能很困難。如果沒有CMOS反相
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CMOS，反相器，功耗
- Teledyne Technologies[紐交所代碼：TDY]旗下公司、全球成像解決方案創新者Teledyne e2v宣布擴展其Flash? CMOS圖像傳感器系列，推出Flash 2K LSA，該產品專門適用于需要使用大沙姆角（LSA）的激光輪廓應用。Teledyne
e2v的Flash系列CMOS圖像傳感器專為三維激光輪廓/位移應用和高速/高分辨率檢測量身定制。Flash 2K LSA是Flash
2K傳感器的衍生產品，適用于需要大沙伊姆弗勒角度的應用，其角度響應在30°角度下為四倍以上，在
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CMOS 圖像傳感器 Flash
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