- 滿足適合無線應用的直接數字頻率合成(DDS)技術的要求需要快速跳變和掃描。Analog Devices, Inc. (NASDAQ: ADI)，全球領先的高性能信號處理解決方案供應商，最近宣布，公司將以前的DDS集成電路(IC)時鐘速度提升了三倍以上。
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ADI RF
- 通過與傳統的儀器進行比較，了解軟件定義的PXI RF儀器在速度上的優勢。如WCDMA測量結果所示，基于多核處理器并行執行的LabVIEW測量算法與傳統儀器相比可以實現明顯的速度提升。
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NI RF PXI
- 標簽：RF 漏極調制無線設備行業竭力削減設備的成本、尺寸和功耗，而提升高功率放大器的功率附加效率(PAE)仍然是一個極具挑戰性的目標。目前有多種技術正在研發之中。大多數情況下，任何技術的商業化都將取決于能否開
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調制 系統 實現 包絡檢 RF 利用
- 摘要 基于CSMC 2P2M 0 6mu;m CMOS工藝設計了一種ESD保護電路。整體電路采用Hspice和CSMC 2P2M的0 6mu;m CMOS 工藝的工藝庫(06mixddct02 x24)仿真，基于CSMC 2P2M 0 6mu;m CMOS工藝完成版圖設計，并在一款多功能故
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ESD 保護 電路設計 芯片 數字 CMOS 多功能 基于
- 摘要：設計了一種用于高速ADC中的高速高增益的全差分CMOS運算放大器。主運放采用帶開關電容共模反饋的折疊式共源共柵結構，利用增益提高和三支路電流基準技術實現一個可用于12～14bit精度，100MS／s采樣頻率的高速流
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CMOS 增益提高 運算 放大器設計
- CMOS針對CCD最主要的優勢就是非常省電，不像由二極管組成的CCD，CMOS 電路幾乎沒有靜態電量消耗，只有在電路接通時才有電量的消耗。這就使得CMOS的耗電量只有普通CCD的1/3左右，這有助于改善人們心目中數碼相機是ld
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傳感器 哪里 區別 CMOS CCD
- CMOS傳感器的感光度一般在6到15Lux的范圍內，CMOS傳感器有固定比CCD傳感器高10倍的噪音，固定的圖案噪音始終停留在屏幕上好像那就是一個圖案，因為CMOS傳感器在10Lux以下基本沒用，因此大量應用的所有攝像機都是用了
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CMOS 攝像機 什么
- CMOS傳感器CMOS傳感器是一種通常比CCD傳感器低10倍感光度的傳感器。光度一般在6到15Lux的范圍內，CMOS傳感器有固定比CCD傳感器高10倍的噪音，固定的圖案噪音始終停留在屏幕上好像那就是一個圖案，因為CMOS傳感器在10
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/SDDS 傳感器 CMOS 什么
- 自從傳送出第一筆無線電波之后，工程師就持續發明新方法，以優化電磁微波訊號。RF 訊號已廣泛用于多種應用，其中又以無線通信與 RADAR 的 2 項特殊應用正利用此常見技術。就本質而言，此 2 項應用的獨到之處，即是利用電磁波的空間維度 (Spatial dimension)。直到今天，許多無線通信系統整合了多重輸入/輸出 (MIMO) 天線架構，以利用多重路徑的訊號傳播 (Propagation) 功能。
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NI RF MIMO
- 每年生產10多億部手機的手機市場已成為半導體產業中競爭最激烈的領域。一直有這種說法：諸如砷化鎵（GaAs）、橫向 ...
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CMOS 功率放大器 單芯片手機
- IA4420/21是射頻收發一體芯片，IA4420工作在315/433/868/915MHz頻段，IA4421工作在 433/868/915MHz頻段。芯片的工作電壓為2.2～5.4V，采用低功耗模式，待機電流為0.3mu;A，采用FSK調制模式，發射功率為 5～8dbm，接
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無線 數據傳輸 應用 及其 簡介 芯片 IA4420 RF
- 電子產品世界,為電子工程師提供全面的電子產品信息和行業解決方案,是電子工程師的技術中心和交流中心,是電子產品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網絡家園
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基準比較測試 RF WCDMA PXI RF儀器
- 設定相位同調 RF 量測系統：從 MIMO 到波束賦形概觀自從傳送出第一筆無線電波之后，工程師就持續發明新方法，以優化電磁微波訊號。RF 訊號已廣泛用于多種應用，其中又以無線通信與 RADAR 的 2 項特殊應用正利用此常見
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MIMO RF 設定 量測系統
- AMD公司高級副總裁兼首席技術官Mark Papermaster表示，AMD在2013年芯片生產工藝將有重大變化，將完全從現有的SOI制造工藝切換到28nm Bulk CMOS工藝。至于GPU制造，AMD并不打算作出任何改變。目前南方群島系列GPU，已經采用臺積電28nm工藝，而AMD秋季即將推出的海島系列GPU將繼續采用相同工藝，海島系列GPU已經進入樣品試生產階段，在2012年年底開始生批量生產，在2013年第一季度正式發布。
在評論異構系統架構(HSA)聯盟，是否用來應對英特爾和NVIDI
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ARM CMOS
- 摘要：由于CMOS器件靜電損傷90％是延遲失效，對整機應用的可靠性影響太大，因而有必要對CMOS器件進行抗靜電措施。本文描述了CMOS器件受靜電損傷的機理，從而對設計人員提出了幾種在線路設計中如何抗靜電，以保護CMOS
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研究 措施 抗靜電 器件 CMOS
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