擁有模擬和數字領域的優勢技術、提供領先的混合信號半導體解決方案的供應商IDT公司 (Integrated Device Technology, Inc.; ) 宣布，已推出兩款面向手機基站設備的低功耗、低失真射頻(RF)至中頻(IF)混頻器以擴展其模擬無線基礎設施產品組合。新的器件可改善系統三階互調(IM3)性能并減少功耗，從而實現改進的服務質量(QoS)和 4G 無線基礎設施應用中更小的附件和增強的可靠性。
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IDT RF 混頻器
CL102型CMOS-LED數碼顯示器電路圖CMOS-LED數碼顯示器的，亦叫十進制技術、譯碼驅動顯示器，是一種功能齊全，使用 ...
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CL102 CMOS-LED 數碼顯示器
來自瑞典歌德堡(Gothenburg)的查默斯理工大學(Chalmers University of Technology)的研究人員發現，以碳納米管來填充采用硅穿孔技術(TSV)連結的 3D芯片堆棧，效果會比銅來得更好。
TSV是將芯片以3D堆棧方式形成一個系統，而非將它們平行排列在電路板上，以提高芯片之間通訊的速度;但遺憾的是，目前用以填充硅晶孔洞的銅，卻會導致熱膨脹(thermal expansion)的問題，因為銅遇熱會比周圍的硅材料膨脹更多。
「碳納米管的許多特性都優于銅，包括熱
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TSV芯片 CMOS
為微波和射頻行業提供信號發生和分析解決方案的全球領導創新廠商--泰克公司日前宣布，推出緊湊型射頻(RF)和微波功率傳感器/功率計產品系列，這些產品具備業內最快的測量速度，覆蓋射頻、微波頻率范圍，并提供從基本平均功率到脈沖參數(pulse profiling)的廣泛功率測量。泰克PSM 功率計系列在全工作溫度范圍內已完全校準，無需傳感器歸零和功率計參考校準。
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泰克 RF 功率計
Crocus科技，領先的強化磁性半導體技術開發商，和中芯國際集成電路制造有限公司(“中芯國際”)，中國內地最大最先進的集成電路晶圓代工企業，今天宣布，正式簽署合作技術開發和晶圓制造協議。根據協議，兩家公司將共同開發針對汽車應用的高溫磁性邏輯單元(MLU)技術。中芯國際將制造和供應基于CMOS先進技術節點的晶圓，這些晶圓將在Crocus納米電子(CNE)的先進磁性生產設備上做進一步加工。
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中芯國際 半導體 CMOS
面向全球最受歡迎的消費電子制造商提供CMOS成像解決方案的領先提供商Aptina今天宣布推出AS0260 SOC(片上系統)成像解決方案。這一200萬像素的原裝1080p SOC可提供出色的性能并能滿足以視頻為中心的消費電子市場中超薄全高清視頻應用嚴格的尺寸要求(z-高度不超過3.5mm)。
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Aptina CMOS SOC
ADL5354是高度線性雙平衡(RF和LO平衡)RF混頻器,輸入頻率從2300 MHz 到2900 MHz.平衡的無源混頻器具有良好的LO-RF泄漏,優于-35dBm.IF頻率范圍從30MHz到450MHz,功率轉換增益8dB,單邊帶(SSB)噪音10dB,輸入IP3為25dBm,輸
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RF 方案 高性能 設計 ADL5354 基于
想像一下，如果電路不工作，隨處添加一個去耦電容（例如0.01μF陶瓷圓盤電容），修好了！或者當電路傳出噪聲時，一塊屏蔽...
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示波器 噪聲系統 RF
焊接絕緣柵（或雙柵）場效應管以及CMOS集成塊時，因其輸入阻抗很高、極間電容小，少量的靜電荷即會感應靜電高壓，導致器件擊穿損壞。筆者通過長期實踐摸索出下述焊接方法，取得令人滿意的效果。1.焊絕緣柵場效應管。
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CMOS 場效應管 集成電路 焊接
1.2 PMOS的變容管連接及其壓控特性分析 圖2為PMOS管連接成壓控可變電容的示意圖。具體是將漏、源和襯 ...
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CMOS PMOS
半導體行業網站Chipworks于近日對尼康新出品的微單相機V1做了非常詳細而且徹底的拆解，在這次拆解過程中我們也發現了不少秘密，首當其沖的就是主CMOS上發現了Aptina的痕跡。Aptina是美國半導體企業鎂光旗下的感光元件生產廠商，也推出過APS-C規格的16M像素CMOS。這也是首次明確發現尼康與Aptina合作，還是讓我們先來看看圖片吧！
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尼康 V1 CMOS
致力于開發可微縮低功耗CMOS技術的公司SuVolta今日在2011年IEDM會議上發布其Deeply Depleted Channel (DDC - 深度耗盡通道)的技術細節。SuVolta的DDC技術是該公司的PowerShrink低功耗CMOS平臺的組成部分。該低功耗技術已向業界證明可以在不影響速度的前提下降低功耗百分之五十。配合先進的電壓降低手段，DDC技術甚至可以降低功耗達百分之八十或更多。
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SuVolta CMOS
摘要 分析了以動態閾值NMOS晶體管作為輸入信號的輸入晶體管，利用4個動態閾值NMOS和2個有源電阻設計和實現的一種1．2 V低功耗CMOS模擬乘法器電路。該電路具有節省輸入晶體管數目、偏置晶體管和偏置電路，以及性能指標
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模擬 法器 CMOS 2V 動態 NMOS 基于
利用共源共柵電感可以提高共源共柵結構功率放大器的效率。這里提出一種采用共源共柵電感提高效率的5.25GHzW ...
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共源 共柵 CMOS 功率放大器
ANADIGICS, Inc. 是全球首屈一指的射頻 (RF) 半導體解決方案供應商。該公司今日宣布其移動4G功率放大器 (PA)系列再添新品。這款新型AWM6268 WiMAX/LTE功率放大器具有世界一流的線性度和集成度，與ANADIGICS最新的WiMAX解決方案相似，為2.5 GHz至2.7 GHz頻段提供了更高的輸出功率，提升了傳輸范圍和吞吐量。該器件還具有出色的線性度和輸出功率，可完美支持LTE應用。ANADIGICS出品的4G功率放大器專門針對高速寬帶無線設備而優化，如智能手機、筆記本電腦、
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ANADIGICS RF AWM6268 WiMAX/LTE
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