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抗干擾能力 GSM蜂窩電話 RF 噪聲抑制
- 制定行業公認的標準是研究納米技術必不可少的先期工作
就像1849年出現的加利福尼亞淘金熱一樣，納米技術的出現也帶來了巨大機遇和極大風險。正如在淘金熱時代出現了很多新技術、利益和挑戰一樣，人們對納米技術的探索也將不可避免地促使人們開發一些新工具突破納米關鍵技術，抓住創造巨大財
富的機遇，但是也存在給環境、健康和安全帶來災難性影響的可能性。盡管納米技術將毋庸置疑地形成很多爆炸性的技術，催生很多新的研究領域，但是也可能對那些不了解
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納米 CMOS
- 本文介紹了電荷俘獲的原理以及直流特征分析技術對俘獲電荷進行定量分析的局限性。接下來，本文介紹了一種超快的脈沖I-V分析技術，能夠對具有快速瞬態充電效應（FTCE）的高k柵晶體管的本征（無俘獲）性能進行特征分析。
先進CMOS器件高k柵技術的進展
近年來，高介電常數（高k）材料，例如鉿氧化物（HfO2）、鋯氧化物（ZrO2）、氧化鋁（Al2O3）以及
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脈沖 CMOS
- SuVolta日前宣布推出PowerShrink?低功耗平臺。該平臺可以有效降低CMOS集成電路2倍以上的功耗，同時保持性能并提高良率。SuVolta和富士通半導體有限公司(Fujitsu Semiconductor Limited)今天還共同宣布，富士通已獲得授權使用SuVolta創新型PowerShrink?低功耗技術。
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SuVolta CMOS
- ?????? 6月9日，應用于高能效電子產品的首要高性能硅方案供應商安森美(ON Semiconductor)半導體推出五款超小封裝的低壓降(LDO) 線性穩壓器，強化用于智能手機及其他便攜電子應用的現有產品陣容。這些新器件基于互補金屬氧化物半導體(CMOS)技術，均能提供150毫安(mA)的輸出電流。
NCP4682和NCP4685超低電流穩壓器的供電電流僅為典型值1微安(μA)，輸出電壓范圍為1.2伏(V)至3.3 V。
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安森美 CMOS NCP4682
- 致力實現智能、安全，以及互連世界的半導體技術領先供應商─美高森美公司(Microsemi Corporation，紐約納斯達克交易所代號：MSCC)宣布，公司已于2011年5月27日完成對AML Communications, Inc. (OTCBB:AMLJ) 之收購。
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Microsemi RF
- 基準電壓源可廣泛應用于A/D、D/A轉換器、隨機動態存儲器、閃存以及系統集成芯片中。使用0.18 μm CMOS工藝設計了具有高穩定度、低溫漂、低輸出電壓為0.6 V的CMOS基準電壓源。
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設計 電壓 基準 CMOS 0.18
- 在不了解會受到何種損害的情況下，具備高深的數字電子知識的設計師發現，當需要給無線器件確定濾波器參數時...
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RF 微波 濾波器
- 固定WiMAX標準基于正交頻分復用(OFDM) 技術，使用256個副載波; 該標準支持1.75~ 28 MHz范圍內的多個信道帶寬，同時支持多種不同的調制方案，包括BPSK、QPSK、16QAM 和64QAM。 1 主要芯片完成功能
本設備采用
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系統 設計 RF WiMAX OFDM 基于
- 關于激光頭的準電感諧振技術。為了使輸入射頻沿激光器長度，電壓分布均勻，加入一對電感并聯在諧振腔上下電極之間。這樣，由于電感負導納的補償作用，使激光器沿長度上的駐波比大大下降，失配角小于9°，理論計算結果電壓不均勻度小于3％。
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類別 原理 電源 激光 CO2 RF
- AnalogDevices,Inc.（紐約證券交易所代碼：ADI），全球領先的高性能信號處理解決方案供應商，最新推出五款針對衛星通信、無線基站、點到點無線電鏈路、儀器儀表和軍事設備等高動態范圍應用的單通道RF混頻器系列，從而擴充了其 RF IC 產品系列。
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ADI RF
- 隨著工程師們需要遵循的輻射電磁干擾(EMI)規范的不斷增多，市場上開始出現各種類型的EMI吸波材料。一般而言，市場上所提供的這些吸波材料的厚度很薄并具有很好的外形柔韌性，再加上其背面帶有粘合劑的設計使得我們能
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EMI RF 吸波材料 性能比較
- 最常見的遙控器使用紅外(IR)技術，這主要是因為紅外元件成本相對較低，但這些基于IR的控制器有許多缺陷，包括需要在視角范圍內、操作角度限制、傳輸距離短、與IR LED相關的反射和高電流消耗等，這些缺陷大大縮短了電池壽命。RF遙控器解決了這些問題，并且由于可帶給用戶更好的使用體驗，產品也日益豐富。此外，技術改進正在使得RF-IR元件之間的價格差越來越小。
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遙控器 設計 RF 簡化 發射器 SoC
- 摘要：設計了一種寬帶軌對軌運算放大器，此運算放大器在3．3 V單電源下供電，采用電流鏡和尾電流開關控制來實現輸入級總跨導的恒定。為了能夠處理寬的電平范圍和得到足夠的放大倍數，采用用折疊式共源共柵結構作為前
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CMOS 運算放大器
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