日前，瑞典皇家科學院宣布，博伊爾和史密斯因發明了CCD圖像傳感器而與高錕分享了2009年的諾貝爾物理學獎。CCD圖像傳感器如今已經大規模應用于數碼相機、手機、攝像機、掃描儀、工業領域以及醫學設備中，年出貨量在億顆以上。不過，隨著照相手機市場的大規模增長，八十年代開始出現的CMOS圖像傳感器的出貨量在2004年超越了CCD，并開始逐步蠶食數碼相機等CCD傳統應用市場。
圖像傳感器領域的這一變化只是傳感器技術變化的一個縮影。傳感器技術的最大特點就是不斷引入多學科的新技術發展新功能，現在，隨著電子、M
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傳感器 CMOS
本文提出一種新穎的射頻功率放大器電路結構，使用一個射頻功率放大器實現GSM/DCS雙頻段功率放大功能，銳迪科的RDA6218就是采用這種結構。射頻功率放大器管芯由原來的兩個減少為一個，同時此結構射頻功率放大器及輸
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射頻 前端 設計 RF GSM/DCS 功率放大器 基于 頻段
摘要：此振蕩器專門針對恒壓恒流(CV-CC)控制、頻率抖動(Frequency Shuffling)技術。采用電流模脈寬調制控制方案的電池充電芯片設計，鋸齒波信號的線性度較好，當負載電路減小時，自動進入Burst Mode狀態提高系統的效
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控制器 振蕩器 電路 DC AC CMOS 綠色 模式 一種
摩爾定律在自1965年發明以來的45年中，一直引領著世界半導體產業向實現更低的成本、更大的市場、更高的經濟效益前進。然而，隨著半導體技術逐漸逼近硅工藝尺寸極限，摩爾定律原導出的“IC的集成度約每隔18個月翻一倍，而性能也將提升一倍”的規律將不再適用。為此，國際半導體技術路線圖組織(ITRS)在2005年的技術路線圖中，即提出了“后摩爾定律”的概念。近年的技術路線圖更清晰地展現了這種摩爾定律與“后摩爾定律”相結合的發展趨勢，并認為&
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摩爾定律 MEMS CMOS
賽普拉斯公司日前宣布，推出一款用于高端機器視覺市場的高敏感度、高速CMOS圖像傳感器。全新的250萬像素VITA25K傳感器擁有市場上單器件最大的數據吞吐能力，并帶有流水線和觸發式全域快門。該傳感器具有32個10-bit數字低壓差分信號(LVDS)輸出，可以允許圖像數據通過標準的工業協議進行低功耗、低噪聲傳輸。每個通道以620Mbps的速率運行，從而實現53幀每秒(fps)的無畸變高幀頻和快速讀出。VITA25K是高端機器視覺應用的理想選擇，適用于檢驗機、生物檢測(如下一代掌紋讀取儀)以及智能交通系統
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Cypress 圖像傳感器 CMOS
基于RF電路設計中的常見問題及解決方案, 單片射頻器件大大方便了一定范圍內無線通信領域的應用,采用合適的微控制器和天線并結合此收發器件即可構成完整的無線通信鏈路。它們可以集成在一塊很小的電路板上,應用于無線數字音頻、數字視頻數據傳輸系統,無線遙
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解決方案 常見問題 電路設計 RF 基于
向低碳社會挺進的美國打算控制智能電網領域的主導權，并聲稱將為此竭力取得智能電網的國際標準。目前，NIST(美國國家標準技術研究所)已開始與日本經濟產業省展開標準化討論，而且IEC(國際電工委員會)也在美國主導下展開了研究。包括政府保證的額度在內，美國準備向可再生能源等綠色產業投入 1000億美元的資金，力爭在2020年之前將溫室氣體比2005年削減14%。這一目標的實現要依靠節能、可再生能源及環保汽車(插電混合動力車)為主力軍，而作為可為此提供依托的基礎設施，智能電網被寄予了厚望。
對標準的掌控
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半導體 MCU RF
恩智浦半導體(NXP Semiconductors)近日宣布，公司增加在射頻研發的投資，2010年上半年先后在中國上海以及美國馬塞諸塞州比爾里卡市開設兩家恩智浦高性能射頻(RF)產品技術中心。中心主要從事射頻/微波集成電路(IC)設計，涉及領域包括國防航空、工業、科學和醫學衛星接收器及寬帶通信中等。其中，于年內第一季度成立的上海恩智浦高性能射頻產品技術中心主要關注從射頻前端到末級放大器的射頻器件設計開發、技術支持、售后服務等一條龍全方位射頻解決方案。目前上海公司市場部、技術部人才招聘正在進行。
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NXP RF
本文設計并實施了一款基于最新MEMS(微電子機械系統)技術的可以空中使用的鼠標產品，以滿足當前計算機快速家電化、娛樂化的需求。本設計集成了先進的微電子機械系統技術(MEMS)、2.4G低功耗無線射頻通信技術(2.4G/RF)、USB接口技術以及實時多任務操作系統uC/OS技術。本產品可以讓鼠標脫離桌面環境，方便易用，讓用戶獲得家電化的計算機操作體驗，是一款真正“可以飛的鼠標”。同時，其所用的技術還可以滲透到其他傳統的遙控器中，以大幅提升用戶體驗。
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時代民芯 MEMS 空中鼠標 2.4G RF
瑞薩電子開發出了一種新型SRAM電路技術，可克服因微細化而增加的CMOS元件特性不均現象，還能在維持速度的同時，以更小的面積實現合適的工作裕度。以上內容是在半導體電路技術相關國際會議“2010 Symposium on VLSI Circuits”上發布的(論文序號：10.2)。作為40nm工藝的產品，該公司試制出了bit密度達到業界最高水平的SRAM，并確認了其工作性能。主要用于實現40nm工藝以后SoC(system on a chip)的低成本化及低功耗化。
在So
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瑞薩電子 SRAM CMOS
全球領先的芯片制造協會SEMATECH和先進無線芯片供應商Qualcomm宣布Qualcomm已與SEMATECH簽署了合作協議，共同推進CMOS技術進一步發展。Qualcomm是第一家進入SEMATECH的芯片設計公司，Qualcomm將深入參與和SEMATECH的研發項目，共同探索延續摩爾定律的新技術。
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Qualcomm CMOS 芯片設計
本文的低壓低功耗 CFOA,它在只需1V 電源電壓情況下，僅產生0.7mW 功耗，84.2dB 的開環增益，62°的相位裕度，高達138dB 的共模抑制比, -0.85V～0.97V 的輸出電壓范圍
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CMOS 0.5 um 電流反饋
用來計算TTL集電極開路輸出電路靜態功耗的公式如下：其中：VT=上拉電阻的有效端接電壓
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CMOS TTL 集電極開路 功耗
端到端網絡流的介紹
NI端到端網絡(P2P)流技術使用PCI Express接口在多個設備之間直接，點對點傳輸，而不必通過主處理器或存儲器。這可使同一個系統中的設備共享信息而不必占用其它的系統資源。NI P2P技術被以下設備支持：PXI Express NI FlexRIO現場可編程門陣列(FPGA)模塊(NI PXIe-7961R, PXIe-7962R, and PXIe-7965R)，PXI Express數字化儀和矢量信號分析儀，包括NI PXIe-5122，PXIe-5622和 PXI
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NI RF 端到端
引言
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CMOS 高線性度 調幅 電路技術
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