- 致力于豐富數字媒體體驗、提供領先的混合信號半導體解決方案供應商 IDT 公司(Integrated Device Technology, Inc.; )今天宣布,推出全硅 CMOS 振蕩器 MM8202 和 MM8102,使 IDT 成為業(yè)界首家采用晶圓和封裝形式 CMOS 振蕩器提供石英晶體級性能的公司。這些集成電路滿足小型化要求,在消費、計算和存儲應用中無需使用石英諧振器和振蕩器,為所有常見串行有線接口提供優(yōu)異的鏈接性能,其中包括 S-ATA、PCIe、USB 2.0 和 USB 3.0。產品提供
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IDT 振蕩器 CMOS
- 海力士(Hynix)唯一還在運作中的8寸晶圓廠M8產線,下周將確定往后的運用方案,海力士的選擇受到業(yè)界矚目。海力士正在尋找解決辦法,因為持續(xù)運作,早晚會遭遇收益性問題,而要以出銷方式處理也不是件容易的事情。部分IC設計業(yè)者提議將此設施作為代工專用廠使用,另外也有建構成韓國代表性純代工廠的意見。
海力士社長權五哲22日在財報說明會中,針對M8 廠是否會改變?yōu)榇S脧S的問題表示,目前正在多方探討M8廠長期性的活用方案,5月底前可定案。
位于韓國忠清北道清州的M8廠主要生產低容量快閃存儲器,并
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Hynix 晶圓 CMOS
- 介紹Cypress公司的圖像傳感器IBIS5-B-1300,分析其特性和工作原理,并對其兩種快門方式進行了比較。在此基礎上設計它所需要的時序控制電路。選用Xilinx公司的Spartan3系列FPGA芯片XC3S50作為硬件設計平臺,對采用不同配置和快門的時序控制電路進行了仿真。實驗結果表明,設計的驅動電路能夠滿足成像器的工作需求。
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時序 設計 驅動 IBIS5-B-1300 圖像 傳感器 CMOS 數字信號
- 日前,德州儀器 (TI) 宣布推出支持廣泛開發(fā)商社群、可提供完整可擴展軟硬件的 CC430F513x 微處理器 (MCU),進一步推動了單芯片射頻 (RF) 解決方案的發(fā)展。該 CC430F513x MCU 將業(yè)界領先的超低功耗 MSP430™ MCU 與 1GHz 以下的高性能 CC1101 RF 收發(fā)器進行了完美結合,并采用 7 毫米 x 7 毫米小型封裝,不但可實現高達 20 MIPS 的性能,而且還可支持如集成型 AES 硬件模塊等安全選項。此外,TI 還推出 CC430F61xx
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TI MCU RF
- 日本DRAM大廠爾必達今天宣布,已經成功開發(fā)出4Gbit容量DDR3內存顆粒。這是目前市場上DDR3顆粒的最大容量,只需單面8顆即可組成 4GB容量內存條,雙面16顆即可構成單條8GB內存。該顆粒使用40nm CMOS工藝制造,相比同工藝的2Gb顆??晒?jié)能30%。支持x4、x8、x16 bit位寬,其中x4/x8位寬版本采用78-ball FBGA封裝,x16bit產品采用96-ball FBGA封裝。除DDR3標準的1.5V電壓外,還可支持1.35V低壓標準。
爾必達計劃將該顆粒使用在單條32
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爾必達 40nm CMOS DDR3
- 本文介紹的視頻電路組合了音頻副載波陷波器、群延遲均衡器和幅度調節(jié)電路,在NTSC應用中用于驅動RF視頻調制器。
圖1所示視頻電路組合了ITU-470標準所要求的音頻副載波陷波器和群延遲均衡器。電路還包括一個幅度調節(jié)
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調制器 RF 驅動 成本 利用
- 低成本CMOS圖像傳感器對醫(yī)學技術的推動作用, 醫(yī)學技術一直是CCD(電荷耦合設備)圖像傳感器的重要應用領域之一?,F在,CMOS傳感器已進入高速發(fā)展時期。究其原因,首先,CMOS圖像質量可與CCS圖像相媲美。其次,利用標準半導體制造工藝,CMOS傳感器在價格方面占據很
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CMOS 圖像傳感器 動作
- 象過去多年來一樣, 在今年的會上臺積電也爆出讓人感到驚奇的新工藝技術。它的新工藝路線圖, 包括CMOS,Analog,MEMS,RF等領域。以下是在一天的會中對于會議的觀察及感受;
1,Morris張去年79歲高令重新執(zhí)掌臺積電, 那時正值全球IC業(yè)混亂時代, 它又重新?lián)P帆啟航。但是在此次會上見到張時仍是如1990年首次見到它時那樣精力充沛而健談。更重要的是在公司經歷40nm的風波后,它似乎為客戶重塑了信心及在它的掌舵下公司又重新采取積極的投資, 研發(fā)與招工策略, 張認為至今年底公司將從今日的2
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臺積電 CMOS Analog MEMS RF
- 韓國三星電子宣布提高CMOS傳感器靈敏度的背面照射技術達到了實用化水平,2010年將批量生產產品。至此,三家大型...
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CMOS 傳感器
- GSM手機的隨處可見正導致不需要的RF信號的持續(xù)增加,如果電子電路沒有足夠的RF抑制能力,這些RF信號會導致電路產生的結果失真。為了確保電子電路可靠工作,對于電子電路RF抑制能力的測量已經成為產品設計必不可少的一
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RF 噪聲 抑制 電路 測試 電波 暗室 利用
- 臺積電總裁張忠謀認為,雖然近期IC業(yè)的形勢越來越好, 但是產業(yè)還是面臨諸多挑戰(zhàn)。
在近期舉行的臺積電技術會上張忠謀表示,摩爾定律正在減緩和芯片制造成本越來越高,因此臺積電將比過去在芯片制造商與代工之間更加加強緊密合作。
它對于大家說,此種合作關系要從芯片設計開始, 并相信未來臺積電會做得更好。
它同時指出,加強合作要依技術為先。從技術層面, 那些老的,包括新的代工競爭者, 如GlobalFoundries,Samsung及UMC,對于臺積電都能構成大的威脅。
非常幸運, 大部分
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臺積電 20nm CMOS
- 提出了減小輸入電容的軌到軌電壓緩沖器。軌到軌操作不僅在電路的輸出端,同樣在電路的輸入端實現。所介紹電路的AB特性導致了低功耗和高的轉換速率,使它很適合驅動大的電容負載。仿真結果已經提供了該電路的操作。
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CMOS 低功耗 轉換速率 模擬
- 從3G升級到LTE-Advance,對下一代移動通信基礎設施的設備和器件供應商提出了諸多挑戰(zhàn)。下一代無線設備要求支持更寬的信號帶寬、更復雜的調制方式,以便在全球范圍內部署的各種運行頻段上都能獲得更高的數據速率。因此
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IC 集成 設計 策略 RF 發(fā)射機 下一代 LTE 基站 針對
- 摘 要: 基于0.18 μm CMOS工藝,采用共源共柵源極負反饋結構,設計了一種3 GHz低噪聲放大器電路。從阻抗匹配及噪聲優(yōu)化的角度分析了電路的性能,提出了相應的優(yōu)化設計方法。仿真結果表明,該放大器具有良好的性能
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3GHz CMOS 低噪聲放大器 優(yōu)化設計
- 這個電路是使用,CMOS集成電路CD4013雙D正反器,分別接成一個單穩(wěn)態(tài)電路和一個雙穩(wěn)態(tài)電路。單穩(wěn)態(tài)電路的作用是對觸摸信號進行脈波寬度整形,保證每次觸摸動作都可靠。雙穩(wěn)態(tài)電路用來驅動晶體管Q1的開通或關閉,進而控
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開關 觸摸 CD4013 集成 CMOS
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