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rf-soi 文章 最新資訊

大容量的全新市場正在推動半導體商機的涌現

  • 預計半導體和代工市場將在2016-2020年出現強勁成長,半導體年復合增長率達4.4%,代工業年復合增長率達7.1%,而且中國代工廠的年復合增長率更高,達20%。2017年2月10日,格芯公司CEO Sanjay Jha博士在格芯成都工廠奠基典禮之后,向部分國內媒體介紹了格芯對全球半導體市場的看法及其業務擴展計劃。
  • 關鍵字: 半導體市場  FD-SOI  22FDX  12FDX  代工  20170203  

Xilinx發布RF級模擬技術的背景資料

  •   簡介  隨著通信行業逐漸向 5G 標準靠攏,移動設備制造商十分鐘情于技術試驗和概念驗證測試?,F在,這些技術的商業可行性正在進行嚴格評估,然而原型設計所使用的很多技術都無法很好地轉化為商業部署?! ∮捎谀繕耸且愿凸耐ㄟ^頻譜效率、高度致密化以及新頻譜來提高網絡容量,因此制造商正在依靠軟件、硬件和系統級的技術突破來實現目標?! ∮行┘夹g對滿足嚴苛的網絡容量目標具有至關重要的作用,而大規模多輸入多輸出(MIMO)天線陣列就屬于這類技術。與這些天線陣列進行接口連接的射頻單元必須滿足極其嚴
  • 關鍵字: Xilinx  RF  

莫大康冷靜看待成都的“格芯”

  •   全球代工巨頭格羅方德(GF)在成都落子,與成都市政府合資建12英寸生產線,GF占51%,并引入中國半導體業非常有興趣的22FDX(FD-SOI)技術。   “格芯”之所以引起業界關注有兩點:   1)與廈門的”聯芯”一樣是合資企業,它不同于之前英特爾、海力士、三星及臺積電的獨資模式;   2)導入SOI技術,目前計劃是2018年開始成熟制程量產,以及2019年是22納米的FD-SOI技術量產。   為什么SOI技術對于中國是個亮點?   在摩爾
  • 關鍵字: SOI  格芯  

胡正明續寫摩爾傳奇 FinFET/FD-SOI廠商如何押寶?

  •   近日格羅方德12英寸晶圓廠落戶中國成都引起業界關注,為何?因為FD-SOI技術。   眾所周知,當柵極長度逼近20nm大關時,對電流控制能力急劇下降,漏電率相應提高。FinFET與FD-SOI恰是半導體微縮時代續命的高招。   盡管FinFET與FD-SOI師出同門,但是,兩者卻被“陣營化”,FinFET陣營占據絕對優勢。格羅方德是為數不多的FD-SOI技術堅守與推動者了。FD-SOI能是否叫板FinFET?希望格羅方德12英寸晶圓廠能給出答案。   今天我們就來談談Fi
  • 關鍵字: FinFET  FD-SOI  

SOI與finFET工藝對比 中國需要發展誰才正確

  • 中國半導體業發展可能關鍵不在于方向在那里?而是確定方向之后,如何踏實去干,去解決一個一個難題。任何進步沒有捷徑,其中骨干企業的責任尤為重要。
  • 關鍵字: SOI  finFET  

八條規則助你降低RF電路寄生信號

  •   RF電路布局要想降低寄生信號,需要RF工程師發揮創造性。記住以下這八條規則,不但有助于加速產品上市進程,而且還可提高工作日程的可預見性。   規則1:接地通孔應位于接地參考層開關處   流經所布線路的所有電流都有相等的回流。耦合策略固然很多,不過回流通常流經相鄰的接地層或與信號線路并行布置的接地。在參考層繼續時,所有耦合都僅限于傳輸線路,一切都非常正常。不過,如果信號線路從頂層切換至內部或底層時,回流也必須獲得路徑。   圖1就是一個實例。頂層信號線路電流下面緊挨著就是回流。當它轉移到底層時,回
  • 關鍵字: RF  寄生  

混頻器件面貌之變遷

  •   摘要  半導體工藝和RF封裝技術的不斷創新完全改變了工程師設計RF、微波和毫米波應用的方式。RF設計人員需要比以往任何時候都更具體、更先進的技術和設計支持。設計技術持續發展,RF和微波器件的性質在不久的未來將大不相同。本文介紹各種類型的混頻器、各自的優缺點,以及在不同市場中應用的演變。本文討論不同混頻器件(主要是混頻器)不斷變化的面貌,以及技術進步如何改變不同市場的需求。  簡介  在RF和微波設計中,混頻是信號鏈最關鍵的部分之一。過去,很多應用都受制于混頻器的性能。混頻器的頻率范圍、轉換損耗和線性度
  • 關鍵字: 混頻器件  RF  

IF/RF可變增益放大器MAX2063

  • IF/RF可變增益放大器(VGA)MAX2063。該款易于控制的器件具有優異的VGA性能、完全的編程特性和極高的元件集成度。MAX2063提供獨特的“速射”增益選擇,每通道可選擇四種定制的衰減狀態。此外,器件還具有25ns的快速數字切...
  • 關鍵字: IF  RF  可變增益  放大器  MAX2063  

RF CO2激光器電源原理框圖

  • 圖1中第1部分為整流濾波電路,采用全波橋式整流與電容濾波將220V交流變為311V平滑直流。第2部分為開關電源,將311V直流變為100kHz脈沖電流,再經電容、電感濾波后變為30V、8A直流。第3部分包括由振蕩器與放大器兩部分組成...
  • 關鍵字: RF  CO2激光器  電源原理  

RF輸入級電路

基于Basic-RF的家居環境監測預警系統設計

  • 摘要:針對實際應用需求,結合Basic-RF無線通信技術、網絡通信技術和GSM通信技術設計了一種基于Basic-RF的家居環境監測預警系統。系統由信息處理子系統和無線傳感器網絡子系統兩部分組成,無線傳感器網絡子系統利用C
  • 關鍵字: 無線傳感器網絡  環境監測  Basic-RF  ENC28J60  GSM  

淺談無線射頻(RF)的PCB設計

  • 迅速發展的射頻集成電路為從事各類無線通信的工程技術人員提供了廣闊的前景。
  • 關鍵字: RF  PCB設計  

面向消費類媒體產品設計的模擬/RF設計自動化技術

  • 處理器、顯示技術、壓縮算法和無線數據通信等眾多領域的進步正在造就新一代具有豐富功能的消費類電子產品。為了在這個誘人的市場取得成功,制造商們需要新的設計方法,使他們能夠以更快的速度向市場推出更多功能、更
  • 關鍵字: 模擬  RF  

新型智能手表顯示FD-SOI正當時?

  •   在今年,業界對FD-SOI的討論終于從理論性的制程技術比較,轉移到由產品與應用所決定的技術競爭。   因為沒有可見的終端產品能證明其號稱超低功耗的特色,全空乏絕緣上覆矽(fully Depleted Silicon On Insulator,FD-SOI)制程一直得努力克服半導體產業界許多工程師的質疑,例如:該技術的好處在哪?在商業市場上有實際產品嗎?它真正的優勢何在?   終于,現在有實際產品可以做為FD-SOI制程的實證──是一只中國智慧型手機品牌業者小米(Xiaomi)副品牌華米(Huami
  • 關鍵字: 智能手表  FD-SOI  

RF-SOI在中國已建立起完整的生態系統

  •   日前在上海舉辦的“RF-SOI研討會”上,SOI產業聯盟稱,RF-SOI生態系統現已建立完善,并成為天線調諧器與射頻開關的主流技術,占據了95%的市場份額,該系統有利于IoT連接和5G的發展,為了更深層地與射頻前端器件結合,RF-SOI這種突破型技術還需要更多的創新和突破性的方案。        目前,RF-SOI技術主要應用于智能手機、WiFi等無線通訊領域,具有性能高、成本低等優勢。上海新傲科技股份有限公司總經理王慶宇稱,國際上3G/4G手機用的射頻器件
  • 關鍵字: RF-SOI  5G  
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