意法半導體（STMicroelectronics）的 STM32V8 系列專為高性能、高可靠性嵌入式應用設計，可提供穩定存儲、網絡連接及基礎人工智能（AI）支持。該系列基于 800 兆赫茲 Arm Cortex-85 內核，支持 Helium/MVE 指令集，EEMBC CoreMark 跑分高達 5072 分。全耗盡絕緣體上硅（FD-SOI）晶體管與嵌入式相變存儲器（ePCM）是 STM32V8 系列采用的兩大核心技術（圖 1）。1. 完全耗盡的硅絕緣體（FD-SOI）晶體管（左）和嵌入式相變存儲器（e
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FD-SOI 相變存儲器 意法半導體
關鍵FD-SOI 技術可針對激光故障注入 （LFI） 提供強大的防御，這是一種可能危及加密和安全關鍵型硬件的精確方法。LFI 是在受控條件下探測硅漏洞的黃金標準，隨著金屬層的厚度越來越大，背面訪問的使用越來越多，這使得基板工程對于安全至關重要。FD-SOI 消除了體 CMOS 中發現的主要 LFI 故障機制，顯著降低了激光故障的脆弱性，并需要更多的激光射擊來誘發故障。FD-SOI 的物理彈性簡化了對 ISO/SAE 21434 等汽車網絡安全標準的合規性，并有助于實現更高的保證級別，而無需采取廣泛的額外對
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FD-SOI 汽車電子 SOITEC
新型超低噪聲開關穩壓器具有超低噪聲、高效率、小尺寸和大電流的特點，非常適合各種對噪聲敏感的射頻應用場景，包括5G/無線通信、防務領域、儀器儀表等。Silent Switcher 3進階型開關穩壓器系列擁有超低的輸出噪聲，在低頻范圍（0.1 Hz至100 kHz）內，其噪聲甚至比大多數低壓差(LDO)穩壓器還要低。本文研究了與傳統的降壓式穩壓器加LDO穩壓器解決方案相比，在噪聲敏感型RF系統中應用超低噪聲開關穩壓器所面臨的挑戰和帶來的系統優勢。
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穩壓器 射頻 RF ADI
我們探討了用于線性化射頻放大器的模擬預失真的基本概念，并回顧了一些常見的實現方式。現代通信系統使用具有時變包絡和相位角的信號。為了處理這些信號，發射機需要線性功率放大器（PA）。然而，它們也需要高效率的功率放大器。正如我們所知，這樣的放大器不可避免地是非線性的。幸運的是，有許多方法可以線性化功率放大器的響應。我們在上一篇文章中了解到的一種方法是找到失真并將其從功率放大器的輸出信號中減去。這被稱為前饋線性化。預失真是另一種常用的線性化技術。它不是在輸出端校正信號，而是在功率放大器之前放置一個非線性電路，使組
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線性化射頻放大器 RF
1. 什么是射頻？射頻簡稱RF，是高頻交流變化電磁波的簡稱。電磁波其實就是比較熟悉的概念了，依據麥克斯韋的電磁場理論：振蕩的電場產生振蕩的磁場，振蕩的磁場產生振蕩的電場，電磁場在空間內不斷向外傳播，形成了電磁波。下圖可以大致體現體現這個過程，E代表電場，B代表磁場。在軸上同一位置的電場、磁場的相位和幅度均會隨著時間發生變化。通常情況下，射頻（RF）是振蕩頻率在300KHz-300GHz之間的電磁波的統稱，被廣泛應用于雷達和無線通信。2. 射頻基本特征為了描述給定射頻信號，可以從頻率、波長、幅度、相位四個角
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射頻 RF
全球公認的卓越的模擬/混合信號晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）近日宣布一項非易失性存儲領域的重大創新。該創新利用X-FAB同類最佳的SONOS技術：基于其高壓BCD-on-SOI XT011這一110nm工藝節點平臺，X-FAB可為客戶提供符合AECQ100 Grade-0標準的32kByte容量嵌入式閃存IP，并配備額外的4Kbit EEPROM。此外，從2025年起，X-FAB還計劃推出更大容量的64KByte、128KByte閃存以及更大存儲空間的EEPRO
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X-FAB BCD-on-SOI 嵌入式數據存儲
晶相光電 JX-K302P 是一款全新四百萬分辨率 CMOS 圖像傳感器，提供了背照式+近紅外線(BSI/NIR)技術。該技術能夠明顯提升近紅外靈敏度，實現優異的圖像質量。通過BSI NIR+技術，安防監控攝像頭可以使用較少的紅外LED燈，并在低光源和近紅外條件下仍能獲得高質量的圖像。搭配不同平臺SOC，可適用于安防監控、車載高清、USB攝影機、打獵相機、紅外夜視儀、運動攝影機和物聯網 AI 相機等領域。?場景應用圖?產品實體圖?展示板照片?方案方塊圖SOI-SOI?核心技術優勢1. SOI JX-K30
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晶像光電 SOI JX-K302P 物聯網感測器
關于射頻模擬設計中的噪聲分析，通過示例了解噪聲系數度量，包括本規范的關鍵方面。除了一些特定的應用，例如，當需要抖動效果時，噪聲通常是一種不想要的現象。科學家和工程師已經表征了不同電路元件產生的噪聲，并開發了可用于分析電路噪聲性能的方法。在模擬電路設計中，我們通常將噪聲效應建模為輸入參考噪聲電壓和電流源。然而，在射頻（RF）設計中，噪聲系數度量可以是表征電路噪聲性能的更有用的方法。在本文中，我們將介紹噪聲系數度量，強調該規范的一些微妙之處，最后看一個例子來澄清所討論的概念。射頻模擬設計中的噪聲分析我們通常用
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噪聲系數度量，射頻電路，噪聲，RF
本文要點：? 小信號 RF 放大器的用途。? 用于小信號 RF 放大器的分壓器晶體管偏置電路。? 單級小信號 RF 放大器的設計步驟。幾乎所有的電子電路都依賴于放大器，放大器電路會放大它們接收到的輸入信號。基本的放大器電路由雙極結型晶體管組成，晶體管偏置使器件在有源區運行。晶體管的有源區用于放大目的。當晶體管偏置為有源區時，施加在輸入端子上的輸入信號會使輸出電流出現波動。波動的輸出電流流過輸出電阻，產生經過放大的輸出電壓。有些放大器能放大微弱 RF 輸入信號且（與靜態工作點相比）輸出電流波動較小，它們稱為
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RF 放大器
在采樣速率和可用帶寬方面，當今的射頻模數轉換器(RF ADC)已有長足的發展，其中還納入了大量數字處理功能，電源方面的復雜性也有提高。那么，RF ADC為什么有如此多不同的電源軌和電源域？為了解電源域和電源的增長情況，我們需要追溯ADC的歷史脈絡。早期ADC采樣速度很慢，大約在數十MHz內，而數字內容很少，幾乎不存在。電路的數字部分主要涉及如何將數據傳輸到數字接收邏輯——專用集成電路 (ASIC) 或現場可編程門陣列 (FPGA)。用于制造這些電路的工藝節點幾何尺寸較大，約在180 nm或更大。使用單電壓
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ADI RF ADC
近期，Guerrilla RF宣布收購了Gallium Semiconductor的GaN功率放大器和前端模塊產品組合。Guerrilla RF表示，通過此次收購，公司獲得了Gallium Semiconductor 所有現有的元件、正在開發的新內核以及相關知識產權(IP)。公司將為無線基礎設施、軍事和衛星通信應用開發新的GaN器件產品線并實現商業化。Guerrilla RF官方經銷商Telcom International的一位員工表示，公司計劃向韓國市場供應Guerrilla RF的射頻晶體管，并將其
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Guerrilla RF Gallium GaN
晶相光電 JX-F355P 是一款全新2百萬分辨率 CMOS 圖像傳感器，提供了背照式+近紅外線(BSI/NIR)技術。可搭配不同平臺SOC，適用于安防監控、車載高清、USB攝影機、打獵相機、紅外夜視儀、運動攝影機和物聯網 AI 相機等領域。?場景應用圖SOI-SOI?產品實體圖SOI-SOI?展示板照片SOI-SOISOI-SOI?方案方塊圖SOI-SOI?核心技術優勢1. SOI JX-F355P BSI NIR+ 近紅外線加強 像素技術，可為在低光或無光環境中運行的應用提供新的可能性，同時降低總功耗
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晶像光電 SOI JX-F355P 物聯網感測器
6月14日，純化合物半導體代工廠穩懋半導體（WIN Semiconductors Corp）宣布，公司擴大了其RF
GaN技術組合，推出了基于碳化硅（SiC）的毫米波氮化鎵（GaN）技術測試版NP12-0B平臺。目前，NP12-0B鑒定測試已經完成，最終建模/PDK生成預計將于2024年8月完成，并計劃于2024年第三季度末發布完整的生產版本。據穩懋半導體介紹，該平臺的核心是0.12μm柵極RF GaN
HEMT技術，該技術結合了多項改進，以增強直流和射頻的耐用性，并增加芯片級防潮性。NP12-0
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純化合物 半導體 RF GaN
意法半導體(ST)宣布基于 18 納米全耗盡絕緣體上硅(FD-SOI) 技術并整合嵌入式相變存儲器 (ePCM)的先進制造工藝，支持下一代嵌入式處理器升級進化，并將此技術應用在通用32位MCU市場領先的STM32系列MCU產品。
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意法半導體 MCU FD-SOI STM32
在低頻下工作的普通電路與針對RF頻率設計的電路之間的關鍵區別在于它們的電氣尺寸。RF設計可采用多種波長的尺寸，導致電壓和電流的大小和相位隨元件的物理尺寸而變化。這為RF電路的設計和分析提供了一些基礎的核心原理特性。基本概念和術語假設以任意負載端接傳輸線路（例如同軸電纜或微帶線），并定義波量a和b，如圖1所示。圖1.以單端口負載端接匹配信號源的傳輸線路。這些波量是入射到該負載并從該負載反射的電壓波的復振幅。我們現在可以使用這些量來定義電壓反射系數Γ，它描述了反射波的復振幅與入射波復振幅的比值：反射系數也可以
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ADI RF 波反射
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