摘要：文中在應用對數域電路的基礎上，提出了一種新型的連續小波變換方法，它通過對母小波的一種數值逼近得到小波函數的有理公式，并以Marr小波為例來模擬這個逼近過程，并用Matlab對逼近過程進行仿真。仿真結果顯示
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變換 實現 小波 濾波器 SI 基于
摘要：大面積單結集成型a－Si:H太陽電池的結構設計技術，并分析了制備工藝對其性能的影響。關鍵詞：太陽電池設計分析Structural Device and Preparation Analysis of Large AreaSingle Junction Integrated a－ Si:H
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結構設計 制備 分析 電池 太陽 結集 成型 Si:H 大面積
引言 近年來，光伏產業發展迅猛，提高效率和降低成本成為整個行業的目標。在晶體Si太陽電池的薄片化發展過程中，出現了許多嚴重的問題，如碎片、電池片隱裂、表面污染、電極不良等，正是這些缺陷限制了電池的光電
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電池 缺陷 應用 太陽 Si 技術 檢測 晶體 發光
Automated DDR3 Analysis
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Quamtum-SI DDR3 仿真
美國國家儀器有限公司(National Instruments，簡稱NI)于今日發布了Measurement Studio 2009，幫助使用Microsoft Visual Studio 2008、Visual Studio 2005或Visual Studio .NET 2003的工程師縮短創建測試及測量應用的開發時間。Measurement Studio 2009通過提供集成 I/O支持、本地庫和用戶界面更新等功能簡化了數據采集、分析和顯示。軟件引入了對最新PC技術的支持，包括64位 .NET應
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NI 軟件 Measurement Studio
1 引言
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Studio 雷達顯示器 仿真
摘 要：介紹SI-PROG編程器的工作原理，利用PC機串口UART芯片實現單片機的ISP下載。PC機串口8250芯片中SOUT，DTR，RTS，CTS四個引腳的電平可通過其內部的幾個寄存器分別進行控制或讀取，利用引腳可實現單片機的ISP下栽
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及其 程序設計 原理 工作 編程器 SI-PROG
英特爾公司今天正式推出英特爾® Parallel Studio并行程序開發套件，旨在為基于Microsoft® Visual Studio的C與C++程序開發各階段提供簡單、高效的Parallel Studio工具，顯著提高應用程序在英特爾多核處理器上的性能。英特爾還同時推出了該開發套件的新插件英特爾® Parallel Advisor Lite，用戶可登錄http://WhatIf.Intel.com網站下載，它可以幫助架構師確定哪些源代碼最適合并行化并提供詳盡的并行化實施建
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Intel 多核處理器 Parallel Studio 開發套件
合成儀器(SI)由模塊化組件構建并啟用高速處理器和近代總線技術,有望給測試用戶帶來更多的功能與靈活性,較低廉的總成本、更高速操作、更小的物理占用面積以及較長的使用壽命。然而,生產廠家和用戶共同面臨的一個問題是缺乏統一的,能滿足體系結構和商品化要求的設計標準。PXI和VXI模塊儀器是這類應用的最佳候選,但對SI設計人員亦有諸多限制,最終形成具有專用接口與控制模塊包裝的混合系統。
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測試測量 SI LXI
一直以來,信號完整性都是模擬工程師考慮的問題,但是隨著串行數據鏈接的傳輸速率向GHz級發展,數字硬件設計人員現在也必須關注這個重要的問題。
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Tundra SI 串行
合成儀器(SI)利用部件開放結構環境中所用的核心硬件和軟件構建單元組合，合成傳統儀器中的激勵和/或測量功能。合成儀器概念在70年代末和80年代初，主要是集中在軍事項目研究中。此時，其技術不能為商業提供可用性。所能實現的主要是集中在RF/微波應用中的低頻模擬、數字和基帶中。
現代合成儀器發現它們的根是在過去10年通信革命和呈現出的軟件無線電(SDR)概念中。根據SDR的定義，SDR是由DSP、發送器、接收器把數字數據變為無線通信用的調制無線電波和把調制無線電波變換為數字數據。DSP提供無線電功能，
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合成儀器 SI SDR
在當今的電氣設備中,功率半導體和電抗式元件(電容和電感)隨處可見。它們在正常工作過程中會在為其供電的交流電線上產生兩種不希望出現的副作用。
首先，這些器件會引起較小的功率因數。其次，它們會使線電流失真，引起電噪聲或者產生與線電壓之間的相位偏移。
功率因數是指實際使用的功率與交流線上產生的視在功率二者的比值。電氣設備中如果存在大電容或者電感就會導致視在功率大于實際使用的功率，出現較小的功率因數。
功率因數越小，在為設備供電的交流導線上損耗的電能就越多。如果設備中的功率半導體開關操作非常
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模擬技術 電源技術 Si 整流器 二極管 元器件用材料
摘要：隨著目前新技術、新工藝的不斷出現，高速單片機的應用越來越廣，對硬件的可靠性問題便提出更高的要求。本文將從硬件的可靠性角度描述高速單片機設計的關鍵點。
關鍵詞：高速單片機 可靠性 特性阻抗 SI PI EMC 熱設計
引 言
隨著單片機的頻率和集成度、單位面積的功率及數字信號速度的不斷提高，而信號的幅度卻不斷降低，原先設計好的、使用很穩定的單片機系統，現在可能出現莫名其妙的錯誤，分析原因，又找不出問題所在。另外，由于市場的需求，產品需要采用高速單片
關鍵字：
高速單片機 可靠性 特性阻抗 SI PI EMC 熱設計 MCU和嵌入式微處理器
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