- 為了限制油耗，一些汽車制造商在其新一代車型中應用了“啟動/停止”(Start/Stop)功能。當汽車停下來時，這些創新的新系統關閉發動機;而當駕駛人的腳從剎車踏板移向油門踏板時，就自動重新啟動發動機。這就幫助降低市區駕車及停停走走式的交通繁忙期時的油耗。
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MOSFET 二極管 PCB 穩壓器 P-FET
- 電子產品世界,為電子工程師提供全面的電子產品信息和行業解決方案,是電子工程師的技術中心和交流中心,是電子產品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網絡家園
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反向轉換器 FET 關斷電壓 緩沖 漏極電感
- 最近，碳化硅(SiC)的使用為BJT賦予了新的生命，生產出一款可實現更高功率密度、更低系統成本且設計更簡易的...
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光伏逆變器 SiC BJT
- 通過減薄SiC二極管的基片厚度來減小導通電阻的研發日趨活躍。這一趨勢在耐壓1.2kV以下的低中耐壓產品中最為突出。其背景在于，越是低耐壓產品，基片上層積的漂移層就越薄，因此在SiC二極管的導通電阻中，基片的電阻成分所占比例就越大。
目前，SiC基片的厚度以350μm為主流，超薄產品也要達到230μm左右。為了進一步減薄厚度，許多大型SiC功率元件廠商都在致力于相關研發。
比如，羅姆通過研磨等工序將SiC基片減薄至50μm，并用其試制出了耐壓700V的SiC肖特基勢壘二極管
- 關鍵字：
三菱電機 SiC
- 通過減薄SiC二極管的基片厚度來減小導通電阻的研發日趨活躍。這一趨勢在耐壓1.2kV以下的低中耐壓產品中最為突出。其背景在于，越是低耐壓產品，基片上層積的漂移層就越薄，因此在SiC二極管的導通電阻中，基片的電阻成分所占比例就越大。
目前，SiC基片的厚度以350μm為主流，超薄產品也要達到230μm左右。為了進一步減薄厚度，許多大型SiC功率元件廠商都在致力于相關研發。
比如，羅姆通過研磨等工序將SiC基片減薄至50μm，并用其試制出了耐壓700V的SiC肖特基勢壘二極管
- 關鍵字：
SiC 二極管
- 新日本無線的這款新MUSES音頻系列產品 MUSES7001 是采用了粗銅線絲焊方式的音頻碳化硅肖特基二極管(SiC-SBD:Silicon Carbide-Schottky Barrier Diode)，粗銅線有利于降低損耗提高效率，SiC-SBD專長于高速開關動作，再加上注重最佳音質的制造工藝技術，能夠實現高音質音響效果。
- 關鍵字：
新日本無線 SiC-SBD MUSES
- 致力于提供幫助功率管理、安全、可靠與高性能半導體技術產品的領先供應商美高森美公司(Microsemi Corporation，紐約納斯達克交易所代號：MSCC) 擴展碳化硅(SiC)肖特基產品系列，推出全新的650V解決方案產品系列，新型二極管產品瞄準包括太陽能逆變器的大功率工業應用。
- 關鍵字：
美高森美 SiC
- GaN和SiC將區分使用 2015年，市場上或許就可以穩定采購到功率元件用6英寸SiC基板。并且，屆時GaN類功率元件 ...
- 關鍵字：
功率 半導體 SiC GaN
- 在SiC及GaN等新一代功率半導體領域，以韓國和中國為代表的亞洲企業的實力不斷增強。不僅是元件及模塊，零部件領域也顯著呈現出這種趨勢。在2013年9月29日～10月4日舉行的SiC功率半導體國際學會“ICSCRM2013”(日本宮崎縣PhoenixSeagaiaResort)上，最近開始擴大SiC晶圓業務的亞洲企業紛紛出展。
山東天岳先進材料科技有限公司(SICC)展出了將從2014年4月開始對外銷售的直徑2～4英寸(50mm～100mm)的SiC裸晶圓。該公司當前的目標
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SiC 晶圓
- 碳化硅（SiC）功率元件正快速在太陽能（PV）逆變器應用市場攻城掠地。SiC功率元件具高頻和耐高溫特性，不僅可較傳...
- 關鍵字：
PV 逆變器 SiC 功率元件
- SiC企業不斷增多，成本不斷下降”一文中，作者根津在開篇寫道：“下一代功率半導體已經不再特別。”這是因為，隨著使用SiC和GaN等“下一代功率半導體”的大量發布，在學會和展會的舞臺上，這種功率半導體逐漸帶上了“當代”的色彩。
那么，在使用功率半導體的制造現場，情況又是如何呢?雖然使用SiC和GaN的產品目前尚處開始增加的階段，仍屬于“下一代”，但在功率半導體使用者的心目中，此類產品已逐漸由
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SiC GaN
- 經典FET輸入甲類前級本電路是參照《無線電與電視》雜志2000第一期的《電池供電高級純A類分立件前級放大 ...
- 關鍵字：
FET 甲類前級
- GT Advanced Technologies(納斯達克：GTAT)日前推出其新型SiClone(TM) 100碳化硅(SiC)生產爐。 SiClone100采用升華生長技術，能生產出高品質的半導體SiC晶體塊，可最終制成最大直徑為100毫米的芯片。 在其初步階段，SiClone100主要針對本身已經擁有熱場、合格的晶體塊生產配方及正準備開始量產的客戶。
- 關鍵字：
GT SiC 晶體
- 在未來十年，受電源、光伏(PV)逆變器以及工業電動機的需求驅動，新興的碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率半導體市場將以18%的驚人速度穩步增長。
據有關報告稱，至2022年SiC和GaN功率半導體的全球銷售額將從2012年的1.43億美元增加到28億美元。據預測，未來十年這一市場的銷售額將實現兩位數的年增長率。
SiC肖特基二極管已存在十多年，SiC金氧半場效晶體管(MOSFET)、結晶性場效應晶體管(JFET)和雙極型晶體管(BJT)在最近幾年出現。GaN功率半導體則剛剛進入市場。G
- 關鍵字：
GaN 半導體 SiC
- 在未來十年，受電源、光伏(PV)逆變器以及工業電動機的需求驅動，新興的碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率半導體市場將以18%的驚人速度穩步增長。
據有關報告稱，至2022年SiC和GaN功率半導體的全球銷售額將從2012年的1.43億美元增加到28億美元。據預測，未來十年這一市場的銷售額將實現兩位數的年增長率。
SiC肖特基二極管已存在十多年，SiC金氧半場效晶體管(MOSFET)、結晶性場效應晶體管(JFET)和雙極型晶體管(BJT)在最近幾年出現。GaN功率半導體則剛剛進入市場。G
- 關鍵字：
GaN 半導體 SiC
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