- 使用光學鼠標傳感器實現旋轉測量- 本設計實例使用光學電腦鼠標中的傳感器測量圓盤的旋轉，其中的圓盤可以通過機械方式連接到任何一種旋轉裝置。通過沿著圓盤半徑改變傳感器位置，該方案可以調整每次旋轉的脈沖。
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光學鼠標 傳感器 測量 SPI
- 帶你詳細解析串行外設接口(SPI)總線時序-SPI是一個環形總線結構，由ss（cs）、sck、sdi、sdo構成，其時序其實很簡單，主要是在sck的控制下，兩個雙向移位寄存器進行數據交換。
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SPI 串行外設接口 數據交換
- 單片機SPI通信接口-SPI 是一種高速的、全雙工、同步通信總線，標準的 SPI 也僅僅使用 4 個引腳，常用于單片機和 EEPROM、FLASH、實時時鐘、數字信號處理器等器件的通信。
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單片機 spi
- Nand Flash存儲器是flash存儲器的一種，為固態大容量內存的實現提供了廉價有效的解決方案。NAND存儲器具有容量較大，改寫速度快等優點，適用于大量數據的存儲，如嵌入式產品中包括數碼相機、記憶卡、體積小巧的U盤等。 1989年，東芝公司發表了Nand Flash結構，強調降低每比特的成本，更高的性能，并且像磁盤一樣可以通過接口輕松升級。經過十幾年的發展，NAND應用越來越廣泛，但是大多數工程師卻仍然不知道關于NAND應用的一些難點：分區、ECC糾錯、壞塊管理等。只有真正了
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Nand Flash 東芝
- SPI、I2C、UART三種串行總線協議的區別和SPI接口介紹，以及SPI接口詳解-SPI接口在Master控制下產生的從器件使能信號和時鐘信號，兩個雙向移位寄存器按位傳輸進行數據交換，傳輸數據高位在前，低位在后（MSB）。在SCK的下降沿上數據改變，上升沿一位數據被存入移位寄存器。
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spi 總線 uart
- 一招教你如何使用嵌入式參數代碼，入門必懂知識-如果有幾個設置參數需要存儲到Flash中，我們一般會怎么存儲呢？將不同的參數都存儲到不同的頁中，還是將這幾個參數捆綁成一種結構體，每次修改都同時寫入一次呢？將參數存儲到固定的地址，則每個參數都將占用Flash的一個塊。而將全部參數捆綁一起存入Flash塊中，那么只有一個參數修改時，也需要將全部參數一起存一遍。那么有什么更好的方法嗎？
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ram flash 源代碼
- 帶SPI接口、尺寸最小的1Mb FRAM器件誕生，它到底有多小？-富士通半導體（上海）有限公司日前宣布，成功推出擁有1 Mb內存的FRAM產品---MB85RS1MT。由于該器件采用晶圓級芯片尺寸封裝（WL-CSP），使得其體積僅為3.09× 2.28 × 0.33 mm，一舉成為業內擁有SPI接口的、尺寸最小的1 Mb FRAM器件。
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富士通 fram spi
- 在某產品測試過程中，工程師反饋偶爾會出現數據異常，經過系統性的分析，致遠電子測試團隊推測可能是ADC芯片的SPI通信總線的時序存在偶發異常，但由于異常出現概率很低，該如何對SPI通信總線偶發的時序問題進行定位呢? 一、搭建測試環境 SPI總線測試點位于主機的主板底部，時鐘頻率大約為33MHz，屬高頻信號，所以對探頭的端接方式比較講究;為了方便測試，如圖1所示，用短線將測試點引出，探頭的地線也從前端自繞線引出，這樣可以提高信號完整性，減少示波器采樣對時序分析過程的影響。
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時序 SPI
- 科普SPI：是一種高速的，全雙工，同步的通信總線，并且在芯片的管腳上只占用四根線，分別是：SCK(時鐘)、MOSI(主機發送數據)、MISO(主機接收數據)、NSS(片選)，其中NSS的片選信號，大部分情況下我們使用的是軟件NSS，即為使用一個GPIO進行軟件控制片選。值得注意的是，其中SPI有4中模式：分別是空閑時SCLK的電平高\低、MISO采樣時第1\2個變化沿。 stm8s的SPI結構如下圖，
如果用形象的比喻的話：SCK像一個發條齒輪，只有當發
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stm8s SPI
- “串口下載”是大多數工程師最早接觸的程序下載方式，尤其是一開始使用51單片機的工程師們。隨著硬件集成度越來越高，芯片資源不斷被壓縮，工程師也想到了另一種“串口下載”方式，只需一根數據線即可。 隨著半導體行業的飛速發展，芯片集成度越來越高，隨之研發設計出來的PCBA大小已經能和硬幣比肩，功能卻一點都沒有受到影響，是如何做到的呢?在不影響功能的情況下盡量裁剪硬件資源，這是每個工程師都頭疼的問題，關鍵在于裁剪后如何保證編程能夠正常進行。 編程接口多種多樣，包括工程師們熟悉的UART、I2C、SPI、SW
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SPI 串口下載
- 隨著各大供應商對NOR Flash的不斷加大投入，未來其市場將會逐漸趨于飽和，利潤也會越來越小，至于整體趨勢還有待觀察。
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NOR 兆易創新
- 集邦咨詢內存儲存研究(DRAMeXchange)調查顯示，2017年第二季的DRAM產業營收表現再度創下新高。從價格方面來看，由于客戶端已經將庫存水位逐步往上提升，第二季供不應求狀況雖不至于像第一季度嚴重，但整體仍處于供貨吃緊的狀況。標準型內存與服務器用內存第二季價格上漲逾一成，行動式內存則因中國品牌手機廠下修出貨數量，價格僅小幅上漲5%內。
DRAMeXchange研究協理吳雅婷指出，觀察市場面，受惠于平均銷售單價的上揚與新制程的持續轉進，大規模的擴張產能至今年年底仍未見，全球DRAM市場第二
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DRAM NOR
- 曾經飛索的破產和三星的退出使NOR FLASH行業重新洗牌，同年美光稱霸，臺灣廠商崛起，NOR FLASH漲價，行業迎來一波反彈。
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硅晶圓 NOR
- 供給端：原材料價格調漲，大廠退出
原材料漲價
今年以來半導體硅晶圓市場出現八年以來首度漲價情況，其主要原因在于供需失衡。晶圓代工大廠臺積電、三星電子、英特爾等提高制程，20nm以下先進工藝占比不斷提高，加大對高質量大硅片的需求。三星、SK海力士、英特爾、美光、東芝等全力轉產3D NAND，投資熱潮刺激300mm大硅片的需求。同時工業與汽車半導體、CIS、物聯網等IC芯片開始快速增長，大陸半導體廠商大舉建廠擴產，帶來新的硅片需求增量。供給方面，硅片廠集中在日韓臺，前六大廠商市占98%，在硅片
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NOR 晶圓
- 自1970年，美國英特爾的半導體晶體管DRAM內存上市以來，已經過去47年，美國、日本、德國、韓國、中國臺灣的選手，懷揣巨額籌碼，高高興興地走進來，卻在輸光光之后黯然離場。目前，只有韓國三星和海力士，占據絕對壟斷地位，在DRAM市場呼風喚雨，賺得盆滿缽滿。
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DRAM Flash
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