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- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出首款采用PowerPAK? 1212-8封裝的30V P溝道第三代TrenchFET?功率MOSFET --- Si7625DN。在這種電壓等級和3.3mmx3.3mm占位面積的P溝道MOSFET中，該器件的導通電阻是最低的。
新款Si7625DN可用于筆記本電腦、上網本和工業/通用系統中的適配器、負載和電池開關。適配器開關(在適配器、墻上電源和電池電源之間切換)通常是開啟并且吸收電流。Si7625DN更低的
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Vishay MOSFET PowerPAK TrenchFET
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，其CWR06和CWR16 TANTAMOUNT?固態鉭電容器現可滿足MIL-PRF-55365為宇航級應用制定的“T”-level要求。
為達到T級的可靠性，Vishay的CWR06和CWR16進行了額外測試，對原材料和產品批次定義進行嚴格控制，并達到Weibull C或D故障率，在-55℃、+0℃和+85℃下進行了100%的C浪涌試驗。此外，電容器進行了完備的視覺和
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Vishay 電容
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出首款采用芯片級MICRO FOOT®封裝的P溝道第三代TrenchFET®功率MOSFET --- Si8499DB。在1.5mmx1mm的占位面積內，這款20V器件提供業內P溝道MOSFET最低的導通電阻。
新的Si8499DB是采用第三代TrenchFET P溝道技術的首款芯片級產品。這種最先進的技術能夠實現超精細、亞微米的節距工藝，將業內P溝道MOSFET所能實現的最低導通電阻減小了一半：在4.5V、2
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Vishay MOSFET TrenchFET
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用1212外形尺寸的新款IHLP®小尺寸、高電流電感器 --- IHLP-1212BZ-11。IHLP-1212BZ-11是迄今為止Vishay最小的IHLP器件，具有3.0mm x 3.6mm的占位、2.0mm的超小尺寸以及0.22µH至1.5µH的標準感值，其最高頻率可達1.0MHz。
IHLP-1212BZ-11具有0.22µH~1.5µH的感值范圍，飽和電流范
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Vishay IHLP 電感器
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出為鉆井和航空等極端高溫環境優化的新系列打線式、裸芯片貼片式電阻 --- Vishay Sfernice RMKHT和電阻網絡。
新的Vishay Sfernice RMKHT打線式貼片電阻的工作溫度范圍為-55℃～+215℃，最高儲存溫度可達+230℃，是業界首款達到如此高溫范圍的薄膜電阻。該器件甚至在215℃的高溫下經過1000小時后的負載壽命穩定率依然可達0.5%，并同時保持嚴格的TCR和容差。
新款分立電阻的
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Vishay 貼片電阻 電阻元件
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出采用0402、0603、0805和1206外形尺寸的電阻器件，擴充了MC AT系列專用薄膜貼片式電阻。此外，該系列中具有更低TCR和容差的新款精密版本也已經發布了。
越來越多的電子設計要求器件能夠耐受高溫和潮濕效應，因為這些效應會影響到器件的穩定性和性能。Vishay的MC AT專業和精密電阻能夠在這些應用當中提供穩定的性能。
今天發布的新款專業系列器件可在175℃的高溫下工作1000小時
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Vishay 電阻器
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出通過了DSCC Drawing 10004認證的超高容值液鉭電容器 --- DSCC 10004。Vishay的新款DSCC 10004器件具有業內最高的容值，采用軸向T1、T2、T3和T4外形編碼。對于高可靠性應用，擴展的SuperTan® 10004采用玻璃至金屬的密封封裝，工作溫度范圍為-55℃~+85℃，電壓降額情況下的溫度可達+125℃，在120Hz下的最大ESR低至0.25Ω。
10004
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Vishay 液鉭電容器 DSCC
- 日前，Vishay宣布推出新款500V N溝道功率MOSFET --- SiHF8N50L-E3。與前一代器件相比，該器件的開關速度和損耗均得到了改善。SiHF8N50L-E3適用于ZVS拓撲，具有低至63ns的trr和114nC的Qrr，柵極電荷為34nC。
SiHF8N50L-E3改善了反向恢復特性，從而能夠更好地抵御EMI，實現更高的效率，同時避免出現導致MOSFET燒毀的內部體二極管恢復故障。
Vishay今天推出的新MOSFET具有500V電壓等級，在10V柵極驅動下的最大導通電
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Vishay MOSFET
- 日前，Vishay宣布，推出采用6767外形尺寸、低外形、高電流的新款IHLP®電感器 --- IHLP-6767DZ-01。IHLP-6767DZ-01具有4.0mm的超薄外形，具有高最高頻率、高達92A的飽和電流和0.22μH至10.0μH的標準感值。
新款IHLP-6767DZ-01的頻率范圍達2MHz，是終端產品中電壓調節模塊(VRM)和DC-DC應用的高效能、節省空間和低功耗的解決方案，這些應用領域包括下一代移動設備、桌面電腦、服務器、圖形卡和汽車電子系統，低外形、
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Vishay 電感器 IHLP
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出兩款新的集成功率光敏，分別是輸出電流為0.9A的VO2223和輸出電流為1A的VO2223A，擴充了其光電產品組合。這些新款功率光敏集成了以往需要由光敏和電源TRIAC兩個器件完成的功能。由于不需要采用外部功率TRIAC，這些器件可節省電路板空間和降低成本。這些光耦產品采用8引腳的DIP封裝，可保護人體免受電擊，在家電和很多其他系統中，可對低壓控制電路與高壓電源進行光電隔離，避免出現過流情況。
VO2223和VO2223A的
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Vishay 功率光敏 VO2223 VO2223A
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出2010年的“Super 12”高性能產品。這些系列器件具有業內領先的標準，如容值電壓、電流等級和導通電阻。這些創新產品在http://www.vishay.com/landingpage/super12/2010/進行展示，是很多關鍵應用的理想選擇，也是Vishay廣泛的產品線組合的典型代表產品。
2010年將要發布的Super 12產品是：
597D和T97多模鉭電容：對于+28V應
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Vishay 電容 導通電阻 MOSFET
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出具有低容值和低漏電流的新款ESD保護陣列 --- VBUS053BZ-HNH-G-08，可保護USB-OTG端口免受瞬態電壓信號的損害。新的VBUS053BZ-HNH-G-08在5.5V工作電壓范圍內可提供3路USB ESD保護，在12V工作電壓范圍內提供1路VBUS保護。
VBUS053BZ-HNH-G-08采用無鉛的LLP1713-9M,封裝，具有0.6mm的超低外形，可在高速數據應用中減少有源ESD保護所需的電路板
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Vishay ESD USB-OTG
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出旗下microBUCK系列集成同步降壓穩壓器中的新器件 --- SiC414。6A SiC414是DC-DC轉換器解決方案，具有先進的控制器IC和柵極驅動器、兩個針對PWM控制優化的N溝道MOSFET(高邊和低邊)、在獨立降壓穩壓器配置中的自啟動開關，采用節省空間的MLPQ 4mm x 4mm的28引腳封裝。
microBUCK系列的產品綜合了Vishay獨特的分立MOSFET設計、IC專長和封裝工藝，為客戶提供了具有成本效
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Vishay microBUCK MOSFET 封裝
- 日前，Vishay宣布，為幫助客戶了解在應用中使用環境光傳感器的益處，Vishay公司將在官方網站上發布其光電產品組的視頻產品演示。
Vishay的環境光傳感器采用獨家的紅外濾波環氧樹脂技術，能夠使感光光譜匹配人眼的敏感度特性，而對非可見光的敏感度則很小。這種特性可避免自然光、白熾燈和鹵素燈泡等人工照明中紅外成分對傳感器的干擾。這段5分鐘的新視頻演示了亮度測試，顯示出Vishay的TEMT6200FX01在性能上優于競爭產品和標準的硅光敏晶體管。
這段演示表明，在不同的光源下，其他技術
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Vishay 傳感器 TEMT6200FX01
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出集成的DrMOS解決方案 --- SiC762CD。在緊湊的PowerPAK® MLP 6x6的40腳封裝內，該器件集成了對PWM信號優化的高邊和低邊N溝道MOSFET、完整功能的MOSFET驅動IC，以及陰極輸出二極管。新的SiC762CD完全符合DrMOS®規定的服務器、PC、圖形卡、工作站、游戲機和其他高功率CPU系統中電壓調節器(VR)標準。該器件的工作頻率超過1MHz，效率高達92%。
SiC7
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Vishay 驅動IC PowerPAK SiC762CD
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