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日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出6款單芯片和雙芯片80-V TMBS® Trench MOS勢壘肖特基整流器。這些整流器采用4種功率封裝，具有10A～30A的電流額定范圍。
今天發布的器件包括單芯片的V(B,F,I)T1080S、V(B,F,I)T2080S、和V(B,F,I)T3080S，以及雙芯片的V(B,F,I)T1080C、V(B,F,I)T2080C和V(B,F,I)T3080C。每款器件均提供功率TO-22
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Vishay 整流器
日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出采用兩種分裝版本的新款表面貼裝白光LED --- VLMW321xx LED和VLMW322xx LED。為了與類似器件保持大范圍的引腳兼容，VLMW321xx LED提供了3個陽極和1個陰極，VLMW322xx LED提供了3個陰極和1個陽極。
今天發布的這些器件采用PLCC-4封裝，優化的引線框使熱阻降低至300K/W，功率耗散高達200mW，從而使器件能夠使用高達50mA的驅動電流，使亮度
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Vishay 器件 LED照明
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出內置熔絲的新系列TANTAMOUNT®低ESR固鉭貼片電容器 --- TF3。TF3系列電容器采用三種模壓外形尺寸，可在以安全為首要考慮的應用中為短路故障提供非常高級別的保護。
TF3系列器件具有一個內部的電子式熔斷裝置，在+25℃、最小5A電流條件下，熔斷裝置可以0.1秒的時間內起作用。在因電流過大引發故障的情況下，可以防止對電路元器件造成損傷。
這些電容器在+25℃和100kHz條件下的ESR低至0.25&
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Vishay 貼片電容器 TF3 TANTAMOUNT
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出4款新的600V MOSFET --- SiHP22N60S(TO-220)、SiHF22N60S(TO-220 FULLPAK)、SiHG22N60S(TO-247)和SiHB22N60S(TO-263)，將其Super Junction FET®技術延伸到TO-220、TO-220F、TO-247和TO-263封裝。
新的SiHP22N60S(TO-220)、SiHF22N60S(TO-220 FULLPAK
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Vishay MOSFET FET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出通過AEC-Q200認證、ESD級別高達2kV的新款PAT系列精密車用薄膜電阻。該電阻的標準TCR低至±25ppm/℃，經過激光微調后的容差低至±0.1%，可滿足汽車行業對溫度、濕度提出的新需求，同時具有可靠的可重復性和穩定的性能。
由于在高純度的氧化鋁基板上涂上了一層氮化鉭電阻薄膜，使PAT電阻實現了穩定的薄膜，在+70℃下經過10,000小時后的性能特性為1000ppm。器件針對混合動力/電控
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Vishay ESD 薄膜電阻
日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，其101/102 PHR-ST螺旋式接線柱功率鋁電容器新增了90mm x 146mm、76mm x 220mm及90mm x 220mm三種更大的外形尺寸，接線柱的長度為13mm。
101/102 PHR-ST 器件現在共有從35mmx 60mm至90mm x 220mm的11種外形尺寸，圓柱形的鋁外殼與圓盤里的藍色套筒和減壓裝置保持絕緣。新的外形尺寸使器件實現了從1F、25V至10,000F、45
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Vishay 電容器
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出電流密度高達2A~4A、采用低尺寸表面貼裝SMA和SMB封裝的新款100V TMBS® Trench MOS勢壘肖特基整流器。
今天發布的器件包括采用DO-214AC(SMA)封裝的VSSA310S和VSSA210，以及采用DO-214AA(SMB)封裝的VSSB410S和VSSB310。SMA和SMB封裝的厚度分別只有2.29mm和2.44mm。
由于器件具有0.56V的極低典型前向電壓降和優異的雪崩容量
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Vishay 整流器 TMBS
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，在網站上新增了低尺寸、大電流IHLP電感器的視頻產品演示，幫助客戶了解在應用中使用這種電感器的好處。
視頻演示顯示，當電流增大時，采用其他技術的電感器會硬飽和，導致感值急劇下降至幾乎為零。IHLP器件能夠軟飽和，使得感值能夠緩慢地滾降。
Vishay的IHLP電感器可處理高瞬態電流尖峰，而不會出現硬飽和。這段4分鐘的視頻介紹了飽和電流性能測試，充分顯示了IHLP器件在5A和25A的額定電流下的出色性能。
為盡可能
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Vishay 電感器 IHLP
日前，Vishay推出采用LLP006封裝的新款雙向對稱(BiSy)單線ESD保護二極管 --- VBUS05L1-DD1-G-08。小尺寸的VBUS05L1-DD1-G-08具有0.3 pF的極低容值，可保護便攜式電子設備中的天線、USB 3.0和HDMI端口免受瞬態電壓信號的損害。
VBUS05L1-DD1-G-08的占位僅有0.6mm x 1.0mm，封裝的厚度小于0.4mm，因此在便攜式游戲機、數碼相機、MP3播放器和手機等設備中進行有源ESD保護時，只需要很小的電路板空間。
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Vishay 二極管 ESD保護
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出副基準、密封充油的Bulk Metal?箔電阻 --- H和HZ系列，在精度、穩定性和速度上都設定了新的行業基準。新的H和HZ系列具有0.001%(10ppm)的容差，5Ω～1.84MΩ的阻值范圍，在至少6年內(未受潮)的工廠壽命穩定率可達2ppm(±0.0002%)，上升時間小于1ns。H系列的最大TCR為±2ppm/℃，Z-Foil HZ系列的最大TCR僅有&plus
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Vishay 箔電阻 Bulk Metal
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款12V P溝道第三代TrenchFET®功率MOSFET --- SiB455EDK。該器件采用熱增強的PowerPAK® SC-75封裝，占位面積為1.6mm x 1.6mm，具有業內P溝道器件最低的導通電阻。
SiB455EDK是采用第三代TrenchFET P溝道技術的最新產品，使用了自對準工藝技術，在每平方英寸的硅片上裝入了10億個晶體管單元。這種最先進的技術實現了超精細、亞微米的節距工藝，將業內
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Vishay MOSFET TrenchFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用SOT-923封裝的60V N溝道功率MOSFET --- SiM400。該器件為業界最小的60V功率MOSFET，比SC-70和SC-90等封裝能節約更多的空間。
SiM400是迄今為止最小的60V功率MOSFET，其SOT-923封裝的尺寸為1mm x 0.6mm，最大厚度僅有0.43mm。器件的占位尺寸比SC-89小77%，厚度則薄了26%。
在VGS為10V、4.5V和3.5V的情況下，新器件的導通電阻分別
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Vishay MOSFET SiM400
日前，Vishay Intertechnology, Inc.今天宣布，推出新系列增強型高電流密度PowerBridge整流器。整流器的額定電流高達30A~45A，最大峰值反向額定電壓為600V~1000V，外殼絕緣強度高達1500V。該系列45A器件是業界首款采用PowerBridge封裝的單列直插橋式整流器，產品尺寸為30mm x 20mm，厚度為3.8mm。
與市場上其他更大尺寸的橋式整流器相比，PowerBridge器件先進的導熱結構使熱量能更有效地散發出去。因此，PowerBrid
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Vishay 整流器 PowerBridge
日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出用于線焊組裝的新系列RF螺旋電感器 --- Vishay Electro-Films PSC系列電感器 --- 具有低DCR、高Q值和寬感值范圍，提供RF等效電路模型，使得設計者可以對器件性能進行高度精確的計算機仿真。
PSC電感器是針對需要線焊器件的RF電路而設計的，包括在通信系統及測試測量儀器中的阻抗調諧電路、集總元件濾波器和混合RF集成電路。
螺旋電感具有1nH~100nH的寬感
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Vishay RF 螺旋電感器
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款20V P溝道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用緊湊的2mm x 2mm占位面積的熱增強PowerPAK SC-70®封裝，具有迄今為止P溝道器件所能達到的最低導通電阻。新款SiA433EDJ是采用第三代TrenchFET® P溝道技術的最新器件，使用了自矯正的工藝技術，在每平方英寸的硅片上裝進了1億個晶體管。這種最先進的技術實現了超精細、亞微米的間距工藝，將目前業界最好的P溝道MOSFET
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Vishay MOSFET SiA433EDJ
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