根據TrendForce集邦咨詢最新研究報告指出,NAND
Flash產業2025年持續面臨需求疲弱、供給過剩的雙重壓力。在此背景下,除了Micron(美光)率先宣布減產,Kioxia/
SanDisk(鎧俠/閃迪)、Samsung(三星)和SK hynix/
Solidigm(SK海力士/思得)也啟動相關計劃,可能長期內加快供應商整合步伐。TrendForce集邦咨詢表示,NAND Flash廠商主要通過降低2025年稼動率和延后制程升級等方式達成減產目的,背后受以下因素驅動:第一,需求疲軟
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NAND Flash 減產 TrendForce 集邦咨詢
很多嵌入式硬件設備都集成了OTA功能,以便產品量產后可以通過遠程OTA等方式下載的APP應用程序。在使用帶有OTA功能的固件之前,其實還需要提前下載BootLoader程序,才能進一步下載APP程序,今天就來說說通過OTA方式升級固件時,幾種Flash(閃存)劃分方式。獨立型
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嵌入式 OTA FLASH
根據TrendForce集邦咨詢最新調查,2024年第三季NAND Flash產業出貨量位元季減2%,但平均銷售單價(ASP)上漲7%,帶動產業整體營收達176億美元,季增4.8%。TrendForce集邦咨詢表示,不同應用領域的NAND
Flash價格走勢在今年第三季出現分化,企業級SSD需求強勁,推升價格季增近15%,消費級SSD價格雖有小幅上漲,但訂單需求較前一季衰退。智能手機用產品因中國手機品牌嚴守低庫存策略,訂單大量減少,第三季合約價幾乎與上季持平。Wafer受零售市場需求疲軟影響,合約價反
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NAND Flash 企業級SSD TrendForce 集邦咨詢
業界領先的半導體器件供應商兆易創新GigaDevice近日宣布,旗下GD25/55全系列車規級SPI NOR Flash獲得由國際公認的測試、檢驗和認證機構SGS授予的ISO 26262:2018 ASIL D汽車功能安全認證證書。這一成就不僅有力印證了GD25/55全系列車規級SPI NOR Flash在嚴苛汽車應用場景中的卓越安全性能和可靠性,也進一步鞏固了公司在SPI NOR Flash領域的領導地位。隨著汽車電子電氣組件數量的指數級增長,其安全性需求日益凸顯。ISO 26262作為國際權威汽車功能
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兆易創新 SPI NOR Flash
根據TrendForce集邦咨詢最新調查,由于Server(服務器)終端庫存調整接近尾聲,加上AI推動了大容量存儲產品需求,2024年第二季NAND
Flash(閃存)價格持續上漲,但因為PC和智能手機廠商庫存偏高,導致第二季NAND
Flash位元出貨量季減1%,平均銷售單價上漲了15%,總營收達167.96億美元,較前一季增長了14.2%。第二季起所有NAND
Flash供應商已恢復盈利狀態,并計劃在第三季擴大產能,以滿足AI和服務器的強勁需求,但由于PC和智能手機今年上半年市場表現不佳,
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TrendForce 集邦咨詢 NAND Flash AI SSD
IT之家 9 月 9 日消息,TrendForce 集邦咨詢今天下午發布報告指出,由于服務器終端庫存調整接近尾聲,加上 AI 推動了大容量存儲產品需求,今年第二季度 NAND Flash(閃存)價格持續上漲。但由于 PC 和智能手機廠商庫存偏高,導致 Q2 NAND Flash 位元出貨量環比下降 1%,平均銷售單價上漲了 15%,總營收達 167.96 億美元(IT之家備注:當前約 1193.37 億元人民幣),較前一季實現環比增長 14.2%。各廠商營收情況如下:三星:第二季時積極回應客戶對
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內存 NAND Flash
第八代BiCS FLASH已然投入量產,意味著基于BiCS FLASH的產品也將得到新一輪升級。全新的BiCS FLASH無論在存儲密度、性能都有了顯著提升,特別是2Tb QLC NAND是當下業界內最大容量的存儲器。為了讓第八代BiCS FLASH突破存儲限制,鎧俠通過專有工藝和創新架構,實現了存儲芯片的縱向和橫向縮放平衡,所開發的CBA(CMOS directly Bonded to Array,外圍電路直接鍵合到存儲陣列)和3.6Gbps接口速度,給AI應用、數據中心、移動設備提供了更多潛在可能。技
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BiCS FLASH 閃存 flash 鎧俠
Lam Research 推出低溫蝕刻新技術,為 1000 層 3D NAND 鋪平道路。
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NAND Flash
《科創板日報》4日訊,鎧俠產線稼動率據悉已在6月回升至100%水準、且將在7月內量產最先進存儲芯片(NAND
Flash)產品,借此開拓因生成式AI普及而急增的數據存儲需求。據悉,鎧俠將開始量產的NAND
Flash產品堆疊218層數據存儲元件,和現行產品相比,存儲容量提高約50%,寫入數據時所需的電力縮減約30%。 (MoneyDJ)
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鎧俠 NAND Flash
三星電子計劃實現“PB級”存儲器目標。三星高層曾預期,V-NAND在2030年疊加千層以上。最新消息指出,三星考慮用新“鐵電”材料鉿基薄膜鐵電(Hafnia Ferroelectrics)實現目標,且可能是關鍵。目前,三星已經推出了290層的堆疊第九代V-NAND快閃存儲器,而據業內消息,三星計劃于明年推出第10代NAND芯片,采用三重堆疊技術,堆疊層數將達到驚人的430層。三星的目標是盡快實現超過1000 TB的存儲容量里程碑,為大數據、云計算等領域的發展提供強大的存儲支持。最新消息是,KAIST的研究
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三星 NAND Flash
據TrendForce集邦咨詢最新預估,第二季DRAM合約價季漲幅將上修至13~18%;NAND Flash合約價季漲幅同步上修至約15~20%,全線產品僅eMMC/UFS價格漲幅較小,約10%。403地震發生前,TrendForce集邦咨詢原先預估,第二季DRAM合約價季漲幅約3~8%;NAND
Flash為13~18%,相較第一季漲幅明顯收斂,當時從合約價先行指標的現貨價格就可看出,現貨價已出現連續走弱,上漲動能低落、交易量降低等情況。究其原因,主要是除了AI以外的終端需求不振,尤其筆電、智能手機
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DRAM NAND Flash TrendForce
Teledyne Technologies[紐交所代碼:TDY]旗下公司、全球成像解決方案創新者Teledyne e2v宣布擴展其Flash? CMOS圖像傳感器系列,推出Flash 2K LSA,該產品專門適用于需要使用大沙姆角(LSA)的激光輪廓應用。Teledyne
e2v的Flash系列CMOS圖像傳感器專為三維激光輪廓/位移應用和高速/高分辨率檢測量身定制。Flash 2K LSA是Flash
2K傳感器的衍生產品,適用于需要大沙伊姆弗勒角度的應用,其角度響應在30°角度下為四倍以上,在
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CMOS 圖像傳感器 Flash
5月6日消息,供應鏈爆料稱,SK海力士將對旗下LPDDR5、LPDDR4、NAND、DDR5等產品提價,漲幅均有15%-20%。按照消息人士的說法,海力士DRAM產品價格從去年第四季度開始逐月上調,目前已累計上漲約60%-100%不等,下半年漲幅將趨緩。靠著存儲漲價,三星電子2024年第一季營業利潤達到了6.606萬億韓元。財報顯示,三星電子一季度存儲業務營收17.49萬億韓元,環比增長11%,同比暴漲96%,在整體的半導體業務營收當中的占比高達75.58%。三星表示,一季度存儲市場總體需求強勁,特別是生
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SK海力士 三星 DDR5 NAND Flash 上漲
前幾天看到群里在討論存儲器,有些人一直搞不懂,今天給大家分享一篇文章總結一下。存儲器分為兩大類:RAM 和 ROM。RAM 就不講了,今天主要討論 ROM。rom最初不能編程,出廠什么內容就永遠什么內容,不靈活。后來出現了prom,可以自己寫入一次,要是寫錯了,只能換一片,自認倒霉。人類文明不斷進步,終于出現了可多次擦除寫入的EPROM,每次擦除要把芯片拿到紫外線上照一下,想一下你往單片機上下了一個程序之后發現有個地方需要加一句話,為此你要把單片機放紫外燈下照半小時
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存儲器 flash EEPROM
近日,存儲廠商群聯公布了2024年3月份營運結果,合并營收為新臺幣67.75億元,年成長達73%,刷新歷史單月營收新高紀錄。全年度營收累計至3月份達新臺幣165.26億元,年成長達64%,為歷史同期次高。群聯表示,2024年3月份SSD控制芯片總累計總出貨量年成長達96%,其中PCIe SSD控制芯片總出貨量年增率達176%,刷新歷史單月新高。此外,全年度累計至3月份之整體NAND閃存位元數總出貨量的年成長率(Bit Growth Rate)也達80%,刷新歷史同期新高,顯示整體市場需求持續緩步回升趨勢不
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群聯 SSD固態硬盤 NAND Flash
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