由于人們對周遭環境(住宅、建筑、工廠、企業或基礎設施的內外環境)的視覺感知需求不斷增長，全球范圍的視頻監控市場都在飛速發展。然而，所部署系統的數量和部署位置更多地受限于視頻攝像頭供應方的經濟狀況，以及用于部署、管理和監控這些系統的基礎設施的復雜性。
上一次視頻監控行業的重大突破得益于圖像傳感器和數字化技術的一些重大改進，以及互聯網協議(IP) 網絡的廣泛應用。當下，一些強大的新技術趨勢——例如使用諸如美光科技提供的基于 3D
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NAND microSD
大廠3D NAND良率大躍進，供給過剩問題已經提前在2017年第四季引爆，至少2018年上半年恐怕都不會太理想。
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DRAM NAND
美光科技有限公司今日推出 Micron® 5200 系列 SATA 固態硬盤 (SSD)，該產品可提供業界領先的性能、一致性、容量、可靠性和整體基礎設施價值。美光 5200 系列固態硬盤基于美光科技業界領先的全新 64 層 3D NAND 技術構建，對于OLTP、BI/DSS、VDI、塊/對象和媒體流等在硬盤上無法一展身手的業務關鍵型虛擬化工作負載，可為其提供經濟實惠的 SATA 平臺。
利用廣受好評的 5100 SATA 固態硬盤的成熟架構和業界領先的性能及容量，美光 5200 系列提
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美光科技 NAND
2017年，整體內存產業不論DRAM或NAND Flash，都度過了一個黃金好年，那么2018年可否持續榮景呢? 綜合目前業界的看法，DRAM熱度可望延續，供不應求態勢依舊，但NAND部分，恐怕就不會那么樂觀了，由于大廠3D NAND良率大躍進，供給過剩問題已經提前在2017年第四季引爆，至少2018年上半年恐怕都不會太理想， 最快2018年第二季供需平衡，第三季再度供給吃緊，屆時產業由悲轉喜。
DRAM無新增產能
首先就DRAM部分，以大方向來說，2018年在Fab端并無新增產能，頂多就
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DRAM NAND
Nand Flash 是一個存儲芯片。 那么：這樣的操作很理“讀地址A的數據，把數據B寫到地址A” 問1：原理圖上的Nand Flash和SC2440之間只有數據線，怎么傳輸地址? 答：在Data0-Data7上既傳輸數據，又傳輸地址，當ALE為高電平時傳輸的是地址 問2：從Nand Flash芯片手冊可知，要操作Nand Flash需要先發出命令，怎么傳入命令。 答：在Data0-Data7既傳輸數據，又傳輸地址，也傳輸命令 當ALE為高
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Linux Nand
前言 全球的智能手機用戶一直在不斷尋求更好的移動體驗。他們不僅下載比以往任何時候都更多的應用，而且還使用更為復雜的應用來支持攝影、4K Ultra視頻的播放和錄制、電影流式播放、導航、圖像采集以及虛擬現實(VR)/增強現實(AR)等方面更大的技術進步。 在某些地區，智能手機是唯一與外界聯系的設備，因此用戶對它們的依賴程度非常高，已經習慣于讓手機不間斷地運行并管理他們的日常生活。中國擁有全球最大智能手機用戶群，這些用戶經常使用高級在線支付服務(如Alipay(支付寶)和Tenpay(財付通
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NAND 存儲
美光科技和英特爾今日發布了雙方 NAND 存儲聯合開發計劃的最新動態。這段成功的合作關系已幫助兩家公司開發出行業領先的 NAND 技術并順利推向市場。 此次發布內容包括兩家公司商定將各自獨立開發新世代 3D NAND 技術。雙方同意共同完成第三代 3D NAND 技術的開發，該技術將在 2018 年末交付，并持續到 2019 年初。在此技術節點之后，兩家公司將獨
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美光科技 NAND
三星、東芝等存儲器大廠已擬定3D NAND擴產計畫，新產能將在2019年后開出，屆時NAND Flash市場將供過于求。
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存儲器 NAND
Nand-Flash/eMMC(帶有Flash控制器的Nand-Flash)作為一種非線性宏單元模式存儲器，為固態大容量存儲的實現提供了廉價有效的解決方案。Nand-Flash存儲器具有容量大，改寫速度快等優點，適用于大量數據的存儲，因而越來越廣泛地應用在如嵌入式產品、智能手機、云端存儲資料庫等業界各領域。
圖1 Nand-Flash與eMMC芯片 1.1存儲器件使用壽命 使用了Nand-Flash的主板出現丟數據掉程序現象，是一個讓無數工程師毛骨悚然的
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Nand-Flash eMMC
2017 年是 NAND Flash 閃存廠商豐收的一年，零售價格的暴漲帶動了廠商的營收，同時還對獲利有了巨大貢獻。 所以，當前全球的 4 大 NAND Flash 廠商，包括三星、Intel/美光、東芝、SK 海力士也有了充足的資金來進行新一波的投資。 而根據外電的報導，東芝就最新宣布，將拿出 70 億日圓的金額，準備興建第 7 座閃存工廠(Fab7)，地點就在日本的四日市(Yokkaichi)。
事實上，目前東芝的第 6 座工廠(Fab 6)正在建設當中，預計將于 2018 年第 4 季完工
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東芝 NAND
DRAM 與 NAND Flash 市場今年都處于供不應求狀態，產品價格同步高漲，而明年上半年將轉為供過于求。
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NAND DRAM
內存明年市況恐將不同調，DRAM市場仍將持續吃緊，NAND Flash市場則將于明年上半年轉為供過于求。
DRAM 與 NAND Flash 市場今年都處于供不應求狀態，產品價格同步高漲，只是業界普遍預期，明年 DRAM 與 NAND Flash 市況恐將不同調。
內存模塊廠創見指出，DRAM 市場供貨持續吃緊，價格未見松動跡象。 NAND Flash 方面，隨著 3D NAND Flash 技術日益成熟，生產良率改善，可望填補供貨缺口。
另一內存模塊廠威剛表示，短期內全球 DRAM
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DRAM NAND
圍繞著此輪DRAM產業的上漲行情，無論是“供需論”還是“壟斷說”，在DRAM一路瘋漲的背后，展現的是耐人尋味的眾生相，有需求者的無奈，領軍者的得意，入局者的尷尬以及監管者的警覺。
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DRAM NAND
DRAM嚴重供不應求，三星明年首季再漲價3%至5%之后，SK海力士 下季也將漲價約5%，全球DRAM價格連續七季上揚，是歷來漲勢最久的一次。
業界解讀，三星、海力士下季漲價態度堅決，等于向全球宣告，韓系大廠決定維持DRAM價格持穩不墜的決心，消除外界認為兩大韓廠打算調降售價格，防止中國DRAM競爭對手竄起的流言。
手機中國聯盟秘書長王艷輝認為，有人說三星瘋狂擴產存儲器是為了將中國存儲器產業扼殺在萌芽，有點太看得起自己，雖然明年大陸存儲器產業開始進入試產階段，要與三星、海力士抗衡，至少還需要
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DRAM NAND
今年全球NAND Flash產業成功轉換至64/72層3D NAND規格，隨著制程轉換完成，全球缺貨問題也逐漸紓解，群聯董事長潘健成指出，2018年底將進入96層的3D NAND技術世代，帶動單一芯片的容量提升至256Gb/512Gb，SSD控制芯片技術也全面提升至新層次，群聯的關鍵技術已經準備好了，呈現蓄勢待發的姿態!
今年的NAND Flash產業受到技術轉換不順、數據中心對于儲存容量需求快速攀升之故，導致產業供需失衡，芯片價格一直高居不下，但這樣的狀況停留太久后，導致終端產品的需求被抑制，
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