3月15日，中國臺灣漢磊集團董事長徐建華到訪愛仕特進行交流。雙方在以下方面達成重要合作，基于雙方2022年已簽署的LTA協議，漢磊將重點考慮滿足愛仕特的代工產能需求；為1700V和3300V SiC MOS的量產準備；共同合作開發SiC MOS trench工藝技術；共同合作開發SiC MOS 8英寸工藝技術。

交流中，徐建華介紹了漢磊集團SiC MOS現有的代工產能和新技術研發狀況，擴產的規劃和詳細進展，后續重點發展車規級芯片代工（長期為英飛凌車規級MOS提供代工服務）。

愛仕特方面，展示了公司自主研發并生產的全SiC MOS模塊，全部采用漢磊代工生產的1200V 17毫歐SiC MOS芯片，也是國內率先上車使用的自主研發的SiC MOS芯片。

資料顯示，漢磊科技成立于1985年，是全球第一家Linear Bipolar IC專業代工廠，具備化合物半導體氮化鎵 (GaN) 及碳化硅 (SiC)專業代工能力，擁有1座 4/5英寸晶圓廠、2座 6英寸晶圓廠。其中，4英寸月產能為1000 pcs、5英寸月產能為8000 pcs，6英寸月產能分別為17000 pcs和33000 pcs。

愛仕特主要從事第三代半導體碳化硅大功率電力電子芯片與模塊，以及相關系統方案的開發。產品涵蓋電壓650V-3300V、電流5A-150A的SiC MOS芯片，高功率低耗損的SiC MOS模塊，以及基于SiC MOS模塊的整機應用系統方案，各項性能指標達到國際水平，提供各類規格參數的SiC MOS定制化服務。

目前，愛仕特采用6英寸技術已量產20余款 650V-3300V 全系列 SiC MOSFET 產品，并建立起車規級的 SiC MOS 模塊工廠。

據悉，愛仕特團隊與臺灣漢磊有著長達十余年的合作歷史，雙方團隊深入合作，共同研發，配合默契，創造出多項行業領先奇跡：  2020年愛仕特SiC MOS六英寸工藝量產；  2021年愛仕特SiC MOS 1200V 17毫歐芯片量產，1200V 80毫歐芯片良率高達95%；  2022年愛仕特SiC MOS通過AEC-Q101認證。