9月26日，韓國存儲芯片大廠SK海力士宣布，率先業界開始量產12層堆疊的HBM3E內存，達成了現有HBM產品中最大36GB容量的目標。

SK海力士表示，高帶寬內存（HBM）是一種高附加值、高性能的內存。與現有的DRAM產品相比，通過垂直互聯多個DRAM芯片，使數據處理速度顯著提高。該產品按照HBM第1代（HBM）-第2代（HBM2）-第3代（HBM2E）-第4代（HBM3）-第5代（HBM3E）的順序開發，HBM3E是HBM3的擴展版。

SK海力士指出，現有的HBM3E最大容量為24GB，由8顆3GB DRAM芯片垂直堆疊而成，公司將在2024年底前向客戶提供相關產品，這是繼2024年3月在業界率先向客戶供應8層堆疊HBM3E內存之后，僅時隔6個月再次展現出其壓倒性的技術實力。

SK海力士強調，自2013年全球首次推出第一代HBM（HBM1）內存，到先前推出第五代HBM（HBM3E）之后，公司是唯一一家開發完成，并能向市場供應全系列HBM產品的企業。SK海力士率先成功量產12層堆疊的產品，在針對AI的內存所需要的速度、容量、穩定性等所有方面都已達到全球最高水準，不僅滿足了AI企業日益發展的需求，同時也進一步鞏固了SK海力士在針對AI的內存市場的領導者地位。

SK海力士進一步指出，該新產品的運行速度提高至現有內存的最高速度9.6Gbps，其是在以搭載四個HBM的單個GPU運行大型語言模型（LLM）Llama 3 70B時，每秒可讀取35次700億個整體參數的水準。而堆疊12顆3GB DRAM芯片，達成與現有的8層堆疊產品相同的厚度，同時容量提升50%。為此，SK海力士還將單個DRAM芯片制造得比以前薄40%，并采用硅通孔技術（TSV）技術垂直堆疊。

此外，SK海力士也解決了在將變薄的芯片堆疊更多時產生的結構性問題。公司將其核心技術先進MR-MUF技術應用到此次產品中，放熱性能較上前一代提升了10%，并增強了控制翹曲問題，從而確保了穩定性和可靠性。

SK海力士AI Infra業務社長金柱善表示，“我們再次突破了技術壁壘，證明了我們在面向AI的內存市場中獨一無二的主導地位。為了迎接AI時代的挑戰，我們將穩步準備下一代內存產品，以鞏固全球頂級針對AI的內存供應商的地位。”

編輯：芯智訊-林子