日刊工業新聞報導，由于擴展應用范圍及降低成本不易，爾必達(Elpida)計劃停止研發相位變化隨機存取存儲器 (PRAM)。

　　爾必達監于30納米技術已是DRAM產品細微化的技術極限，遂轉而研發PRAM，甚至已送樣容量為128MB的產品，然爾必達社長本幸雄認為PRAM成本很難降到比Flash低，且應用范圍難以擴大，故決定停止研發該產品。日后研發重心將轉至矽穿孔(Through Silicon Via;TSV) 3D IC技術。

　　爾必達于2009年內已開始量產40納米技術DRAM產品，緊接著將朝矢量產30納米技術DRAM產品邁進。