據中芯國際集成電路制造有限公司資深研發副總季明華撰文披露，2010年，中芯國際將加強65納米的嵌入式工藝平臺和32納米關鍵模塊的研發;同時力爭實 現45納米和40納米技術的小批量試產。

　　在第四屆(2009年度)中國半導體創新產品和技術評選中，中芯國際有兩項技術獲獎，其一是 “65納米邏輯集成電路制造工藝技術”，其二是“0.11微米CMOS圖像傳感器工藝技術”。

　　據介紹，目前，中芯國際已經完成了65納米CMOS技術的認證，并于2009年第三季度開始在北京廠小批量試產。中芯國際65納米技術前段采用的是應力工程(即硅應變技術)和鎳硅合金(柵極)工藝，后段采用的是低介電常數(low-k)銅互連工藝。中芯國際還將繼續在65納米技術節點上拓展更多的技術種類。

　　在65納米技術節點上，CMOS器件的電學參數更難以控制，為此，中芯國際引入了DFM(可制造性設計)，這樣不但提高了設計服務的能力，而且拓寬了IP庫。中芯國際和國內的設計公司協作，不僅研發出了通用的IP，而且為中國市場開發出定制的IP。

　　0.11微米圖像傳感器技術是中芯國際和相關設計公司合作開發的、具有國際先進水平的集成電路制造技術。該技術結合并優化了動態存儲器及邏輯工藝，優化了像素設計，形成了一個通用的工藝平臺，可以服務于從30萬到300萬像素的產品。中芯國際的0.11微米CMOS圖像傳感器技術不僅提供更高像素的圖像，而且其數字信號處理的能力更強，該技術可以滿足手機和圖像傳感器應用的所有需要。中芯國際的此項工藝完全自主研發，所用的工藝步驟優于國外同行，有著明顯的成本優勢，其結構、技術水平和光學性能都達到了國際先進水平。

　　2010年對于中芯國際來講是非常重要的一年，因為我們要完成一系列的里程碑式的任務：45/40納米的邏輯工藝平臺要為試生產做好準備，要增強65和40納米節點上的IP等等。所有這些技術創新都會增強中芯國際的芯片制造能力、IP能力、設計服務能力，最終一定會增強公司的贏利能力。