日前，Vishay Intertechnology, Inc宣布， 推出采用拋物線型透鏡實現±3°極窄半強角的新款850nm紅外發射器--- VSLY5850，擴充其光電子產品組合?；讵毺氐谋砻?a class="contentlabel" href="http://cqxgywz.com/news/listbylabel/label/發射器">發射器芯片技術，VSLY5850在100mA驅動電流下可提供高達600mW/sr的輻射強度、55mW的光功率和10ns的開關時間。

　　VSLY5850所采用的表面發射器技術代表了一種特殊的硅片結構，在這種結構中，半導體內產生的全部光線都會由芯片的頂側表面向外發射。這種結構大大減少了從器件的5mm T1¾塑料封裝的側面向外發射的光線，為用戶提供一個窄角度、定向良好的發射光束，而對側面的影響微乎其微。

　　發射器的超高輻射強度使其能在低驅動電流的情況下實現很高的發光強度，比同級別輻射強度的紅外發射器的功耗減少3倍，從而在電池供電的紅外應用中延長工作壽命。

　　VSLY5850針對CMOS攝像頭中的紅外照明、火災報警系統和煙感探測器進行了優化。發射器的快速開關時間還使其成為道路收費系統、交通流量控制和牌照燈中長距離數據傳輸的高調制頻率應用的理想之選。器件的高光功率使設計者能夠減少器件數量，并在這些應用中改善性能，或是用同樣數量的器件實現更好的性能。

　　新發射器可在-40℃～+85℃的溫度范圍內工作，適合高脈沖電流工作。VSLY5850符合RoHS指令2002/95/EC和WEEE 2002/96/EC，并符合IEC 61249-2-21的無鹵素規范。

　　新款VSLY5850發射器現可提供樣品，并已實現量產，大宗訂貨的供貨周期為八周到十周。