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用創(chuàng)新封裝簡(jiǎn)化電源設(shè)計(jì)

作者：Hawk Lee, Jingen Qian， Kim Norton Vishay 時(shí)間：2011-02-21 來(lái)源：電子產(chǎn)品世界 收藏
        與兩片功率6x5封裝或兩片SO-8封裝相比，除了節(jié)省空間以外，這種器件還能夠簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)，對(duì)于那些正在使用兩片功率3x3封裝的工程師，這種器件還能再節(jié)省點(diǎn)空間。前面已經(jīng)提到，在很多10A級(jí)的計(jì)算應(yīng)用中，功率3x3封裝已經(jīng)成為一種趨勢(shì)，因?yàn)檫@種封裝比通常使用的標(biāo)準(zhǔn)SO-8封裝尺寸更小，工作溫度更低。功率雙片封裝能夠很容易地用一個(gè)器件替代兩片功率3x3封裝，甚至還能再省出在PCB上布線和打標(biāo)記的空間，如圖1所示。因此，對(duì)于5A~15A的DC-DC應(yīng)用，雙片封裝是一個(gè)很合理的設(shè)計(jì)，也是提高功率密度的一種方法。

本文引用地址：http://cqxgywz.com/article/117017.htm

　　雙片PowerPAIR功率封裝使用對(duì)稱結(jié)構(gòu)，適用于DC-DC降壓轉(zhuǎn)換器。這種封裝適合高邊MOSFET的裸片和硅片降壓轉(zhuǎn)換器的低邊MOSFET，并做了優(yōu)化。這意味著，如圖2所示，由于焊盤區(qū)的大小不一樣，低邊MOSFET的導(dǎo)通電阻比高邊MOSFET的導(dǎo)通電阻更低。

　　事實(shí)上，低邊MOSFET的導(dǎo)通電阻是器件的關(guān)鍵特性。即便封裝尺寸變小了，這種封裝還是能在4.5V電壓下獲得小于5mΩ最大RDS(on)等級(jí)。這有助于提高最大負(fù)載情況下的效率，盡管器件的尺寸不大，工作時(shí)的溫度則更低。

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