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　　碳化硅肖特基二極管thinQ!™——采用TO封裝的高能效1200V器件

　　隨著時間的推移，英飛凌推出的第二代碳化硅肖特基二極管，已經成為不成文的行業標準。現在，英飛凌進一步擴充了這個本已十分廣博的產品組合，推出了采用新的TO-247HC(長爬電距離)封裝的1200V碳化硅二極管。

　　這種新的封裝完全兼容行業標準TO-247，因而可輕松用于現有的設計，而無需付出額外的努力。更長爬電距離，可提高系統安全性，有效防止系統內部的灰塵或污垢導致的短路，特別是電弧。這樣，就不需要使用額外的化學(硅膠或硅霜)或機械(護套或箔)手段來避免封裝引線之間存在任何污染，從而充分發揮快速的精益生產工藝的所有優勢。碳化硅肖特基二極管thinQ™系列的目標應用包括太陽能系統、UPS、SMPS和電機逆變器等，可全面滿足客戶不斷提高能效和功率密度的需求。

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　　全新60V邏輯電平OptiMOS“606”系列小信號MOSFET

　　英飛凌以提供適用于汽車(AEC Q101)的品質優異的小信號MOSFET而聞名于世。現在，新推出的60V邏輯電平OptiMOS“606”家族，進一步豐富了這個產品組合。這種60毫歐姆邏輯電平器件，具備出類拔萃的單位面積RDSon，并且具有很低的Qg，可以實現更好的輕載效率。這種產品采用流行的SOT89、TSOP6和SC59封裝，特別適于強調節省空間、降低功耗的應用。目標應用包括，作為低功率DC/DC電源轉換器的外接FET、在用于電動汽車、混合動力汽車和外充電式混合動力汽車的電池能量控制模塊(BECM)中發揮平衡作用，以及用作多種微控制器的外接FET。