安森美半導體完整ESD及EMI保護方案
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除了ESD鉗位屏幕截圖，另一種方法是測量傳輸線路脈沖(TLP)來評估ESD鉗位性能。由于ESD事件是一個很短的瞬態脈沖，TLP可以測量電流與電壓(I-V)數據，其中每個數據點都是從短方脈沖獲得的。TLP I-V曲線和參數可以用來比較不同TVS器件的屬性，也可用于預測電路的ESD鉗位性能。
本文引用地址：http://cqxgywz.com/article/124935.htm
圖3：典型TLP I-V曲線圖
安森美半導體提供的高速接口ESD保護保護器件陣容有兩種類型。第一類最容易實現，被稱為傳統設計保護。在這種類型設計中，信號線在器件下運行。這些器件通常是電容最低的產品。
另一類是采用PicoGuard® XS技術的產品。這種類型設計使用阻抗匹配(Impedance Matched)電路，可保證100 Ω的阻抗，相當于電容為零。這類設計無需并聯電感，有助于最大限度地減少封裝引起的ESD電壓尖峰。
圖4：傳統方法與PicoGuard® XS設計方法的對比
安森美半導體的保護和濾波解決方案均基于傳統硅芯片工藝技術。相比之下，其它類型的低成本無源解決方案使用的是陶瓷、鐵氧體和多層壓敏電阻(MLV)組合的材料。這類器件通常ESD鉗位性能較差。在某些情況下，傳遞給下游器件的能量可能比安森美半導體解決方案低一個量級。一些采用舊有技術的產品甚至可能在小量ESD沖擊后出現劣化并變得更糟。由于其材料性質，一些無源器件往往表現出溫度的不一致性，從而降低了終端系統在標準消費溫度和環境溫度范圍內運行的可靠性。
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