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Mouser推出Cree的1200V高頻碳化硅半電橋模塊

—— 在單個半電橋封裝中結合SiC MOSFET和SiC肖特基二極管
作者: 時間:2013-06-04 來源:電子產品世界 收藏

   Electronics宣布備貨Cree公司的,這是業界首款在單個半電橋封裝中結合SiC MOSFET和SiC肖特基二極管的產品。  

本文引用地址:http://cqxgywz.com/article/146034.htm
 

  Cree 1200V高頻半電橋模塊是首款商用全(SiC)電源模塊。 它還是首款在單個半電橋封裝中結合SiC MOSFET和SiC肖特基二極管的合格模塊。這款新的二元模塊擁有適合高頻工作的超低損耗和高耐用性。的工作頻率最高可達100kHz,可在1200V阻斷電壓下提供100A電流處理能力。更高的工作頻率可實現緊湊而輕便的系統,而且可在系統中采用較為便宜的電感器和電容器。CAS100H12AM1非常適合工業應用,包括高功率轉換器、電機驅動器、太陽能轉換器、UPS和SMPS以及感應加熱。有關CAS100H12AM1產品更多信息,請訪問:http://datasheet.eepw.com.cn/datasheet/show/id/3120893

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