聯華電子與半導體邏輯非揮發性內存(NVM)硅智財領導廠商Kilopass日前共同宣布，雙方已簽署技術開發協議，Kilopass非揮發性內存硅智財將于聯華電子兩個28奈米先進制程平臺上使用，分別為：適用于生產可攜式裝置產品系統單芯片的高介電質金屬閘(High-k/Metal Gate) 28HPM;以及受消費性電子產品系統單芯片設計公司青睞的多晶硅(Poly /SiON) 28HLP制程。

　　聯華電子28奈米制程的芯片閘極密度為40奈米制程的兩倍。具成本效益的28HLP多晶硅(Poly/ SiON) 制程，與業界其它28奈米多晶硅(Poly /SiON) 制程相比，具備了更優異的效能及功耗上的提升。為配合系統單芯片設計公司不同的電源需求，此制程提供了多個電壓選項：1.8V，2.5V和2.5 /3.3V。而28HPM高介電質金屬閘(High-k/Metal Gate)制程，則提供了臨界電壓選項、內存儲存單元和降頻/超頻功能，有助于系統單芯片設計公司大幅提高產品整體效能和電池續航力。

　　聯華電子客戶工程暨硅智財研發設計支持副總簡山杰表示：「聯華電子不斷致力于先進技術開發和及時的產能導入，以充分滿足客戶的需求。為了確保我們客戶在28奈米制程上，不僅可以采用聯華電子eFlash、eE2PROM、eMTP、eOTP和eFuse的硅智財，也能獲取最佳第三方廠商之非揮發性內存硅智財，聯華電子十分樂意與Kilopass公司持續合作，以確保其多元化的反熔絲非揮發性內存(anti-fuse NVM)硅智財產品，能夠在我們28奈米制程平臺上提供給客戶采用。」

　　Kilopass公司董事長暨執行長Charlie Cheng表示：「對于Kilopass與聯華電子進行中的策略合作，我們感到非常高興。在聯華電子28奈米先進制程平臺上使用我們非揮發性內存(NVM) 硅智財產品，為兩家公司創造了雙贏。對于聯華電子來說，將可在其先進制程平臺上，為客戶提供更廣泛的硅智財產品組合;對于Kilopass而言，則可將業務范圍拓展到聯華電子28奈米制程市占率日益提升的行動設備與消費性電子系統單芯片之產品市場。」