基于XPM存儲器RFID高頻接口設計
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100%和10% ASK 調制仿真結果
調制的數據和天線的波形圖
4.結論
基于 SMIC 0.18um one poly four metal 標準CMOS 工藝設計的符合ISO15693 國際標準協議的RFID 射頻前端電路. 電路仿真的結果表明: 此射頻前端電路可以有效地從 13.56MHz 的RF 信號中恢復出直流電壓1.8v, 并提出數字部分需要的時鐘,和解調出指令數據。整個芯片的版圖照片如圖所示.芯片的面積為960um*600um.流片后測試發現在7.5A/m 場強下可以工作在12CM.滿足設計規格要求。
整個芯片的照片
本文作者創新點：在標準0.18um CMOS process 上實現了滿足ISO15693 國際標準的 RFID 射頻前端電路的設計，并流片驗證通過。而且成功的把XPM 存儲器技術(標準CMOS 的One time program memory)集成到RFID 芯片中, 實現了世界上第一次采用XPM 存儲器技 術成功的RFID 芯片。
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