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中芯國際宣布首批45納米芯片通過良率測試

作者: 時間:2016-09-12 來源:網絡 收藏

中芯國際宣布,第一批45納米產品已成功通過良率測試,標志著其45納米工藝進入一個新的里程。

本文引用地址:http://cqxgywz.com/article/201609/304611.htm

2007年12月與IBM簽訂45納米低功耗和高性能芯片技術許可協議。中芯國際第一批完整工藝流程的300毫米芯片也是在IBM的測試條件下取得了出色的良率。

中芯國際45納米項目負責人俎永熙表示,“這是我們45納米合作項目的第一個重要里程碑,為我們給客戶提供IBM的技術與中芯國際完善的芯片代工服務鋪平了道路。”

中芯國際已與一系列高端客戶簽訂了45納米代工協定,計劃于2009年開始生產。

IBM授權的45納米芯片技術可應用于3G手機、全球定位系統以及多媒體處理器。該技術還可以支持圖形,網絡,存儲及一般消費性裝置的生產制造。

中芯國際人士表示,這證明了專注于邏輯代工的策略是十分正確的,同時也使中芯國際能夠為設計及系統廠商及時提供領先的45納米芯片代工解決方案。

據介紹,45納米技術為目前最先進的芯片制程技術。



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