1引言

隨著晶片材料和半導體工藝技術水平的快速發展，本文作者通過扇型結構聲表面波換能器的拓撲設計，晶片材料和制作工藝流程的優化設計，研制出S、C波段聲表面波（SAW）微波延遲線，它比聲體波（BAW）微波延遲線的結構、生產工藝流程更加簡單，體積更小，延時精準度高、一致性好、可靠性高，更適合量產。可廣泛應用于雷達、電子對抗、高度計、通信、引信、信號處理器、目標模擬、微波信號存儲和鑒頻等系統中。在空間設備中應用具有強抗輻照能力。

2SAW微波延遲線基本工作原理

SAW微波延遲線的基本結構，如圖1所示，它由壓電晶片、輸入/輸出叉指換能器（IDT）、金屬屏蔽條和反射吸聲層組成。其工作原理是當電信號加載到輸入換能器后,利用逆壓電效應將電信號轉換成聲信號并以聲的速度（比電磁信號慢105）沿晶片表面傳播一段距離，經輸出換能器接收，利用壓電效應把聲信號還原成電信號，形成電信號的延遲。顯然改變兩個換能器間的相對距離，就可得到不同延遲時間的電信號，金屬屏蔽柵條用于輸入/輸出換能器間的電磁屏蔽，吸聲層用于吸收聲波反射。

圖1SAW微波延遲線的基本結構示意圖

3SAW微波延遲線的研制

3.1扇形拓撲IDT結構設計

SAW延遲線要實現微波頻段的工作頻率、寬的工作帶寬、高的三次渡越抑制、低的插入損耗和小的帶內波動,關鍵是IDT設計。根據工程項目的應用要求，同時考慮到溫度（-55℃～＋85℃）變化可能引起的漂移，以及工藝過程可能帶來的誤差，我們建立了一種扇形拓撲IDT的理論模型，經仿真優化確定了IDT拓撲設計新結構，從研制出的幾種SAW微波延遲線試驗結果和最終產品測試結果證明，這種新結構設計完全實現了項目要求的S、C波段工作頻率，寬的工作帶寬（200～500MHz），延時時間（0.05～3us），三次渡越抑制（40dB～55dB）和直通抑制（30dB～45dB）等指標要求。

3.2晶片材料選擇（2～4英寸圓晶片）

由于表面聲波是沿晶片表面傳播，所以在晶片材料的選擇上對其表面狀態的要求很高。對工作在微波頻段的SAW器件來講，在工藝制作過程中晶片材料的透光性可導致晶片背面形成漫散射，從而降低光刻襯度，導致失真的線寬，至使工作頻率、帶寬等性能產生偏差，同時IDT的指間隔非常小（1/4λ），很容易受到靜電釋放影響，導致IDT的燒毀。為此我們選用了具有弱熱釋電效應的2～4英寸標準晶片見圖2，有效解決了靜電釋放導致IDT燒毀和晶片開裂現象，同時光的漫散射也得到了有效抑制，成品率大幅提高。

圖24英寸圓晶片

3.3電磁屏蔽設計

電磁屏蔽是SAW微波延遲線設計的另一個難點。從圖1的結構看出，輸入與輸出換能器是在同一個水平面上。聲表面波器件是通過電-聲、聲-電變換的聲波傳播來實現電信號傳輸的，但電信號也可不經過電-聲、聲-電變換而直接從輸入IDT偶合到輸出IDT，尤其工作在微波頻段和要求延遲時間很短時，這種影響就更嚴重。為有效抑制IDT間的電磁輻射，我們通過優化輸入輸出IDT的結構，采用傾斜式金屬屏蔽柵條和隔板凹槽雙腔體隔離的封裝設計見圖3、圖4，有效抑制了輸入/輸出端電磁輻射，提高了SAW微波延遲線產品對直通信號抑制能力。

圖32.7GHz聲表面波微波延遲線封裝結構

圖44.3GHz聲表面波微波延遲線2種封裝結構

3.4制作工藝流程

SAW微波延遲線的生產過程是采用標準、成熟、通用的半導體平面工藝及流程如圖5所示，它只需1個工藝流程就可實現多芯片批生產，工藝過程穩定、可靠、重復性好、適于批量生產。

圖5SAW微波延遲線加工工藝流程圖

4結果與討論

我們按工程項目要求研制出4種中心頻率分別為1.5GHz，2.7GHz，2.85GHz，4.3GHz的SAW微波延遲線，主要性能分別如下。

4．11.5GHzSAW微波延遲線

主要實測技術指標見表1，頻域響應見圖6，時域響應見圖7。

表11.5GHzSAW微波延遲線實測指標

圖61.5GHzSAW微波延遲線頻域響應

圖71.5GHzSAW微波延遲線時域響應

4.227GHzSAW微波延遲線

主要實測技術指標見表2，頻域響應見圖8，時域響應見圖9。

表22.7GHzSAW微波延遲線實測指標

圖82.7GHzSAW微波延遲線頻域響應

圖92.7GHzSAW微波延遲線時域響應

4.3285GHzSAW微波延遲線

主要實測技術指標見表3，頻域響應見圖10，時域響應見圖11。

表32.85GHzSAW微波延遲線實測指標

圖102.85GHzSAW微波延遲線頻域響應

圖112.85GHzSAW微波延遲線頻域響應

4.34.3GHzSAW微波延遲線

主要實測技術指標見表4，頻域響應見圖12，時域響應見圖13。

表44.3GHzSAW微波延遲線實測指標

圖124.3GHzSAW微波延遲線時域響應

圖134.3GHzSAW微波延遲線時域響應

目前國內還沒有工作中心頻率在1.5～4.3GHz間SAW微波延遲線的研制報道，中科院聲學研究所率先研制成功，其中2.7GHz、2.85GHz和4.3GHz的SAW微波延遲線，在國內外均未查到相關報道，屬國際首創。

與國內外相近技術指標的聲體波（BAW）延遲線相比，關鍵的三次渡越抑制性能，SAW微波延遲線高于BAW微波延遲線17～27dB，為國際領先水平。見表5。

表5SAW延遲線與BAW延遲線指標對比

4結束語

本文介紹的SAW微波延遲線還具有以下優勢。

1）SAW微波延遲線是用標準的2～4英寸圓晶片制作，每個晶片上可排列幾十至幾百個芯片圖形，經過1個工藝流程即可完成幾十至幾百芯片的制作。而不像BAW延遲線需要在圓棒晶體的兩個端面經過4～6工藝流程、逐個調試修正完成制作，可見SAW微波延遲線產品的一致性、可靠性、延時精準性和批量生產能力等方面有著明顯優勢。

2）芯片裝配結構，SAW延遲線為片狀，易于表面貼裝，結構可靠性高。BAW延遲線是圓柱狀安裝結構復雜。

3）表聲波比體聲波的傳播速度慢1.5倍左右，因此SAW延遲線的體積和重量比BAW延遲線更小，易于小型化。

4）經批量試生產驗證，SAW微波延遲線批次產品的延遲時間的不一致性＜±0.05ns，插入損耗的不一致性＜±0.5dB，BAW微波延遲線是很難做到的。

本系列產品按工程項目要求，均一次通過了可靠性試驗，證明了本系列產品具有高可靠性和很好的環境適應性，在雷達、高度表、電子對抗等領域有著廣泛應用前景。