MOSFET的驅(qū)動(dòng)技術(shù)及應(yīng)用
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下圖是電流波形
紅色的是R3=1歐姆，綠色的是R3=100歐姆。可見R3越大，MOS的導(dǎo)通速度越慢。
可以看到，驅(qū)動(dòng)電阻增加可以降低MOS開關(guān)的時(shí)候得電壓電流的變化率。比較慢的開關(guān)速度，對EMI有好處。下圖是對兩個(gè)不同驅(qū)動(dòng)情況下，MOS的DS電壓波形做付利葉分析得到
紅色的是R3=1歐姆，綠色的是R3=100歐姆。可見，驅(qū)動(dòng)電阻大的時(shí)候，高頻諧波明顯變小。
但是驅(qū)動(dòng)速度慢，又有什么壞處呢?那就是開關(guān)損耗大了，下圖是不同驅(qū)動(dòng)電阻下，導(dǎo)通損耗的功率曲線。
紅色的是R3=1歐姆，綠色的是R3=100歐姆。可見，驅(qū)動(dòng)電阻大的時(shí)候，損耗明顯大了。
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