MOSFET的驅動技術及應用
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其核心的東西，就是紅圈里的boot二極管，和Level shift電路。
本文引用地址：http://cqxgywz.com/article/201809/388426.htmISL21XX驅動橋式電路示意圖：
驅動雙管電路：
驅動有源鉗位示意圖：
當然以上都是示意圖，沒有完整的外圍電路，但是外圍其實很簡單，參考datasheet即可。
ISL21XX驅動橋式電路示意圖：
驅動雙管電路：
驅動有源鉗位示意圖：
當然以上都是示意圖，沒有完整的外圍電路，但是外圍其實很簡單，參考datasheet即可。
自舉電容主要在于其大小，該電容在充電之后，就要對MOS的結電容充電，如果驅動電路上有其他功耗器件，也是該電容供電的。所以要求該電容足夠大，在提供電荷之后，電容上的電壓下跌最好不要超過原先值的10%，這樣才能保證驅動電壓。但是也不用太大，太大的電容會導致二極管在充電的時候，沖擊電流過大。
對于二極管，由于平均電流不會太大，只要保證是快速二極管。當然，當自舉電壓比較低的時候，這個二極管的正向壓降，盡量選小的。
電容沒什么，磁片電容，幾百n就可以了。但是二極管，要超快的，而且耐壓要夠。電流不用太大，1A足夠。
隔離驅動。當控制和MOS處于電氣隔離狀態下，自舉驅動就無法勝任了，那么就需要隔離驅動了。下面來討論隔離驅動中最常用的，變壓器隔離驅動。
看個最簡單的隔離驅動電路，被驅動的對象是Q1。
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