當地時間11月9日，存儲大廠美光科技宣布推出32Gb單片芯片128GB DDR5 RDIMM內存，速度高達8000MT/s，可支持當前和未來的數據中心工作負載。

據美光介紹，該產品采用美光1β(1-beta)技術，與競爭性3DS硅通孔(TSV)產品相比，位密度提高45%以上、能源效率提高高達24%、延遲降低高達16%、AI訓練性能提升高達28%。該產品旨在滿足數據中心和云環境中各種關鍵任務應用程序的性能和數據處理需求，包括人工智能(AI)、存儲數據庫(IMDB)）以及多線程、多核計數一般計算工作負載的高效處理。

美光32Gb DDR5內存解決方案采用創新的芯片架構選擇，可實現領先的陣列效率和最密集的單片DRAM芯片。電壓域和刷新管理功能有助于優化供電網絡，提供急需的能源效率改進。并優化了芯片尺寸縱橫比，以提高32Gb高容量DRAM芯片的制造效率。

美光預計2024年發貨4800MT/s、5600MT/s和6400MT/s128GB RDIMM產品，未來將提升至8000MT/s。