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GaN如何改進光伏充電控制器

作者: 時間:2025-07-25 來源:EEPW 收藏
編者按:本應用簡報介紹TI GaN器件如何改進光伏充電控制器。與MOSFET相比,使用TI GaN器件可提高效率并減小PCB尺寸,而且不會增加BOM成本。

電子電氣設備快速發(fā)展,需要提供的功率比以往任何時候都大得多。對于許多家庭來說,要縮減電費支出或助力實現(xiàn)綠色可持續(xù)的未來,太陽能都是不錯的選擇,而半導體在其中發(fā)揮著重要作用。

適用于光伏應用的緊湊型高效電源轉(zhuǎn)換器既能幫助用戶減少室內(nèi)占用面積,又能節(jié)省成本。氮化鎵 () 使得這一趨勢成為可能。TI 的新款中壓 設計通過集成驅(qū)動器并優(yōu)化電源環(huán)路,使設計得以大幅簡化。

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圖1 TI LMG2100

可與光伏 (PV) 陣列配合使用,采用最大功率點跟蹤 (MPPT) 算法為離網(wǎng)和混合離網(wǎng)應用中的電池和電氣負載發(fā)電。輸出電壓和輸出電流是經(jīng)過調(diào)節(jié)的結(jié)果。控制器可以安全地調(diào)節(jié)電池,防止過度充電或過度放電,從而延長電池壽命。光伏電控制器內(nèi)部的高效電源轉(zhuǎn)換器可以更大限度地提高太陽能發(fā)電量。

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圖2

TIDA-010042 參考設計是一款,支持 15V 至 60V 輸入電壓以及 12V/24V 電池,可提供 400W 以上的功率。在包含兩相交錯降壓轉(zhuǎn)換器的舊設計中,選擇了 CSD19531Q5A 作為主電源開關 MOSFET,每相開關頻率為 180kHz。

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圖3 舊TIDA-010042板

在 12V 和 24V 負載條件下以 0.6 的固定占空比對電路板進行測試。在 12V 負載下,峰值效率為 96.7%,歐洲加權效率約為 96.4%。在 24V 負載下,峰值效率為 97.3%,歐洲加權效率約為 96.4%。

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圖4 舊TIDA-010042效率曲線

器件可在相同或更低損耗下實現(xiàn)更高的開關頻率,只需將 MOSFET 更改為 TI 全新的中壓 GaN 器件 LMG2100 即可,這款器件具有更低的 Rds(on) 和低得多的寄生電容。具有更高開關頻率的轉(zhuǎn)換器可以使無源器件更小,從而減小 PCB 尺寸并降低成本。此外,更高的效率可降低熱耗散,在使用同一光伏電池板的情況下可輸出更多功率,從而節(jié)省散熱材料和電費。

新的 TIDA-010042 使用 LMG2100 作為單相降壓轉(zhuǎn)換器功率級,簡化了設計要求。通過引入 LMG2100,PCB 面積節(jié)省了約 37%,BOM 成本也下降了 37%。

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圖5 新 TIDA-010042板

在與采用 MOSFET 的 TIDA-010042 相同的條件下進行測試,但改用 GaN 和 2 層 PCB 且開關頻率為 250kHz;在 12V 負載和 24V 負載下的峰值效率分別為 98.4% 和 98.5%。歐洲加權效率分別為 97.5% 和 98.2%。與 MOSFET 版本相比,峰值效率提高了至少 1.2%,歐洲加權效率提高了至少 1.1%,同時 BOM 成本進一步降低。

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圖6 新TIDA-010042效率

為了充分利用 GaN 器件的功能,TI 建議使用至少 4 層 PCB,由于導通和關斷速度很快,因此其所需的降壓轉(zhuǎn)換器輸入環(huán)路電感極低。4 層 PCB 板非常小,因此可以通過優(yōu)化布局來幫助盡可能降低輸入環(huán)路電感,而且不會增加很多成本。通過增加 2 層,PCB 損耗和開關損耗大幅降低,同時效率進一步提高。在 12V 和 24V 負載下,歐洲加權效率分別為 97.9% 和 98.5%,與 2 層版本相比提升了 0.3% 左右。圖 7 所示為使用 TI GaN 和 MOSFET 的光伏充電控制器之間的效率比較情況,顯示出有很大的性能提升。

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圖7 使用12V負載系統(tǒng)進行測試

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圖8 使用24V負載系統(tǒng)進行測試

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圖9 BOM成本比較

圖 9 顯示了 BOM 成本比較情況。舊版本采用交錯降壓轉(zhuǎn)換器和 MOSFET,需要更多無源器件來降低成本并會增大尺寸。主要的節(jié)省來自電感器和無源器件。此外,在使用 4 層電路板的情況下,GaN 器件可以在 400W 的條件下將所有熱量散發(fā)到 PCB 中,無需添加風扇或散熱器,結(jié)溫遠低于安全工作區(qū)。圖 9 中未考慮散熱材料的節(jié)省情況。


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