英飛凌科技股份公司近日宣布推出一款適用于AI數據中心與服務器的12 kW高性能電源（PSU）參考設計。該參考設計兼具高效率和高功率密度的優勢，并采用了包含硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）在內相關半導體材料，為工程師們提供了理想的解決方案，助力加速開發進程。

英飛凌12kW PSU參考設計

英飛凌高級副總裁兼電源開關部門總經理Richard Kun?i?表示：“ 在AI對能源需求持續增長的當下，英飛凌的貢獻在于提供具有極高轉換效率的電源解決方案，助力節約每一度電。此次推出的 12 kW高密度PSU參考設計采用了先進的電源轉換拓撲，同時結合 CoolMOS?、CoolSiC?和 CoolGaN?技術，使其在能效、可靠性和功率密度方面實現全面突破。我們很自豪能走在賦能AI的前沿。”

為了實現高性能水平，該設計在 AC/DC和 DC/DC級中均采用了先進的功率轉換拓撲。前端AC/DC轉換器采用三電平飛跨電容交錯式功率因數校正（PFC）拓撲，峰值效率可達 99.0% 以上，同時減少磁性元件的體積。這一成果得益于英飛凌的 CoolSiC?技術，同時提供出色的開關性能與優越的熱性能。 DC/DC級則采用全橋 LLC 拓撲，通過使用兩個平面高頻變壓器及英飛凌的 CoolGaN?技術，達到超過 98.5%的峰值效率。這些架構與英飛凌最新的寬禁帶技術相結合，實現了高達 113 瓦 / 立方英寸（W/in3）的功率密度。

這款12 kW PSU參考設計的另一項關鍵特性是雙向能量緩沖器，它被集成于整體電源供應拓撲中。該轉換器不僅能滿足保持時間的要求，還顯著降低了電容需求。此外，能量緩沖器還具備電網調節功能，抑制電網瞬態波動和跌落產生的干擾，提高系統可靠性。