用于高端電機(jī)控制的新型瑞薩電子MCU系列
瑞薩電子推出了一款用于高端電機(jī)控制的新 MCU 組,命名為 RA8T2。RA8T2 器件基于 1 GHz Arm Cortex-M85 處理器和可選的 250 MHz Arm Cortex-M33 處理器,可實(shí)時(shí)控制工業(yè)設(shè)備、機(jī)器人和其他需要高速精密作的系統(tǒng)中的高端電機(jī)。
可選的 Cortex-M33 處理器使客戶能夠在單個(gè)芯片上將實(shí)時(shí)控制與通信功能和非實(shí)時(shí)作相結(jié)合,從而節(jié)省成本、功耗和電路板空間。

RA8T2 MCU 利用 Arm Cortex-M85 處理器的高性能和 Arm 的 Helium 技術(shù),為 DSP 和 ML 實(shí)施提供顯著的性能提升。這種增加的性能使人工智能功能能夠預(yù)測電機(jī)的維護(hù)要求,從而減少代價(jià)高昂的停機(jī)時(shí)間。
MCU 通過多個(gè)通信接口提供高速網(wǎng)絡(luò)支持,包括兩個(gè)帶 DMA 的千兆以太網(wǎng) MAC、一個(gè)雙端口 EtherCAT 從機(jī)等。高速通信在工廠自動(dòng)化中至關(guān)重要,每個(gè)設(shè)備都連接到工廠內(nèi)的網(wǎng)絡(luò),并與其他機(jī)器不斷同步以發(fā)送和接收命令和數(shù)據(jù)。
RA8T2 設(shè)備配備高達(dá) 1MB 的高速 MRAM,具有 100 MHz 訪問。與閃存相比,MRAM 提供更快的寫入速度以及更高的耐用性和保留率。
此外,RA8T2 還配備了 TCM(緊耦合內(nèi)存),Cortex-M256 為 85KB,Cortex-M128 為 33KB。TCM為用戶提供抖動(dòng)較小的高精度實(shí)時(shí)性能,在中斷和分支較多的電機(jī)控制處理中可以提供穩(wěn)定的性能。
這些器件包括定時(shí)器功能,支持高達(dá) 300 MHz 的 PWM 功能,可通過控制軟件輕松作,并高效生成用于驅(qū)動(dòng)逆變器的波形。GPT定時(shí)器的互補(bǔ)PWM功能,針對逆變器驅(qū)動(dòng)進(jìn)行了優(yōu)化,可以輕松實(shí)現(xiàn)控制算法,例如多相(包括單相和三相)的互補(bǔ)PWM輸出、死區(qū)時(shí)間的自動(dòng)插入、非對稱PWM的生成以及與AD和比較器的聯(lián)動(dòng)。
定時(shí)器還配備了相位計(jì)數(shù)功能,可以使用兩相脈沖編碼器控制需要軸位置信息的交流伺服系統(tǒng)。RA8T2 的 ADC 具有 16 位分辨率和特定通道的采樣和保持功能(三個(gè)通道),可實(shí)現(xiàn)三相電流值的高精度同步采樣。
配備兩個(gè)單元,可以同時(shí)對兩個(gè)電機(jī)的三通道電流進(jìn)行采樣。端口輸出使能 (POEG) 和高速比較器功能允許在檢測到過流時(shí)快速關(guān)閉 PWM 輸出。可根據(jù)逆變器規(guī)格選擇關(guān)閉狀態(tài)(Hi-z、Hi、Low)。
主要特征:內(nèi)核:1 GHz Arm Cortex-M85,帶氦氣和 TrustZone;可選 250 MHz Arm Cortex-M33
內(nèi)存:集成 1MB 高速 MRAM 和 2MB SRAM(包括 Cortex-M85 的 256KB TCM 和 M33 的 128KB TCM)
模擬外設(shè):兩個(gè)具有 30 個(gè)模擬通道的 16 位 ADC、兩個(gè) 3 通道 S/H、2 通道 12 位 DAC、4 通道高速比較器
通信外設(shè):帶 DMA 的雙千兆以太網(wǎng) MAC、EtherCAT 從站、USB2.0 FS 主機(jī)/設(shè)備/OTG、CAN2.0 (1Mbps)/CAN FD (8Mbps)、I3C(12.5Mbps)、I2C(1Mbps)、SPI、SCI、八進(jìn)制串行外設(shè) I/F
高級安全性:RSIP-E50D 加密引擎、FSBL 不可變存儲(chǔ)、安全調(diào)試、安全工廠編程、DLM 支持、篡改保護(hù)、DPA/SPA 保護(hù)
定時(shí)器:14 通道 PWM 定時(shí)器、4 通道高分辨率、4 通道低功耗定時(shí)器(16 位 x2 通道和 32 位 x2 通道)
封裝:176-HLQFP、224 和 289 以及 303-BGA











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