在 NVIDIA 放行其 12 層 HBM3e 產品之后，韓國記憶體巨頭 Samsung Electronics 正加速進入下一代高帶寬記憶體（HBM）技術的競賽。據報道，該公司將在 2025 年 “Samsung Tech Fair 2025” 技術展覽會上亮相其下一代 12 層 HBM4 產品。這場展會據稱將于 10 月 27 日至 31 日在韓國京畿道龍仁市的三星半導體綜合園區舉行。

報道稱，在該活動上，三星下屬的設備解決方案事業部（Device Solutions, DS）將展示其第六代 12 層 HBM4，并計劃今年晚些時候進入量產階段。此舉意在顯示其在質量認證速度與整體技術水平上已縮小，與競爭對手（如 SK hynix 與 Micron Technology）之間的差距。

除了 HBM4，報道還指出，三星的 DS 部門將在展會上展示包括全球最小 2 億像素影像傳感器技術、專為半導體場景打造的 AI 創新，以及其 DX（Device eXperience）事業部將發布 115 英寸 Micro RGB 電視，以對抗激烈的中國競爭。此外，三星研究院（Samsung Research）預計將展示其在 Galaxy 生態系統中通過設備端 AI 代理實現的愿景。

值得注意的是，今年的三星技術展以 “REBOOT: DESIGNING WHAT’S NEXT” 為主題，恰逢同月在韓國舉行的 APEC CEO Summit 2025（亞太經合組織首席執行官峰會）。據報道，NVIDIA CEO Jensen Huang 有望出席該峰會，并在 10 月 28-31 日之間，與三星電子及 SK hynix 等關鍵記憶體芯片供應商的高管會面。

此外，早前三星已在 2025 OCP Global Summit 上披露了其 “HBM4e” 技術的規格：據 SeDaily 和 TweaksTown 報道，HBM4e 目標單針腳傳輸速率超過 13 Gbps，峰值帶寬約 3.25 TB/s，約為現有 HBM3e 的 2.5 倍。