存儲產(chǎn)品市場的長期增長預(yù)測

一直以來，存儲產(chǎn)品市場約占半導(dǎo)體總營收的25%，而其供需與價格歷來呈現(xiàn)高度波動的特點。這一市場的增長態(tài)勢，通常對半導(dǎo)體整體營收格局有著顯著影響。如在2000年代初期，DRAM——作為存儲產(chǎn)品市場中規(guī)模最大的品類——曾實現(xiàn)唯一一次連續(xù)三年的同比增長。此后二十余年間，DRAM市場僅出現(xiàn)過三次營收連續(xù)兩年增長的情形。值得關(guān)注的是，當(dāng)前趨勢顯示2025年將成為DRAM營收連續(xù)增長的第二年，且據(jù)行業(yè)預(yù)測，這一增長勢頭有望持續(xù)至2029年。若預(yù)測成真，這將成為DRAM乃至整個存儲行業(yè)前所未有的持續(xù)增長周期，深刻影響半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的營收結(jié)構(gòu)與市場預(yù)期。

推動存儲市場此輪漲勢的關(guān)鍵因素

存儲產(chǎn)品市場正經(jīng)歷一輪前所未有的上升周期。數(shù)萬億美元的AI基礎(chǔ)設(shè)施投資正在形成新資本引擎，推理需求增長和上下文窗口（Context Window）擴(kuò)展使存儲產(chǎn)品（而非算力）成為核心瓶頸。以HBM為中心的生產(chǎn)模式制約著DRAM供應(yīng)，并使市場保持緊張態(tài)勢。

●   資本擴(kuò)張: 公共資本、私人資本與金融資本正形成新型AI生態(tài)系統(tǒng)。

主權(quán)AI、超大規(guī)模云服務(wù)商和新云（Neo Cloud）投資形成多源資本引擎。2025-2029年全球8萬億美元的AI基礎(chǔ)設(shè)施資金使存儲產(chǎn)品需求的確定性空前明朗。資本密集度從GPU集群擴(kuò)展至以存儲產(chǎn)品為中心的基礎(chǔ)設(shè)施。

●   結(jié)構(gòu)性存儲產(chǎn)品需求：推理、上下文窗口和智能體AI重塑存儲產(chǎn)品使用方式。

AI需求從訓(xùn)練轉(zhuǎn)向推理（2025年起，超85%的存儲產(chǎn)品用于推理）。上下文窗口擴(kuò)展和智能體AI推動存儲產(chǎn)品負(fù)載指數(shù)級增長（HBM→DRAM→SSD→CXL）。存儲產(chǎn)品（而非算力）已成為AI的核心性能瓶頸。

●   供應(yīng)限制：以HBM為中心的生產(chǎn)模式限制了傳統(tǒng)DRAM的產(chǎn)能增長。

DRAM供應(yīng)增速（約20%）將持續(xù)落后于需求增速（超20%），這一趨勢將延續(xù)至2026年。供應(yīng)商優(yōu)先生產(chǎn)高利潤的HBM產(chǎn)品，導(dǎo)致傳統(tǒng)存儲產(chǎn)品增長放緩。結(jié)構(gòu)性緊張維持高價格水平，推動上升周期延續(xù)至2026年。

AI周期下一階段的潛在風(fēng)險因素

●   流動性收縮

AI投資熱潮依賴充足資本和低利率水平。貨幣緊縮可能延緩主權(quán)AI和新云（Neocloud）項目融資。

時間節(jié)點：新一輪加息周期啟動后（預(yù)計2026年后）將觸發(fā)潛在風(fēng)險。

●   供應(yīng)擴(kuò)張

創(chuàng)紀(jì)錄的盈利水平或觸發(fā)激進(jìn)的晶圓廠建設(shè)。到2028年，新增HBM/DRAM產(chǎn)能或?qū)е鹿?yīng)過剩。

時間節(jié)點：結(jié)構(gòu)性風(fēng)險取決于三星P4/P5工廠、SK海力士龍仁晶圓廠的擴(kuò)產(chǎn)進(jìn)度，美光博伊西新晶圓廠的進(jìn)展，以及長鑫存儲的擴(kuò)產(chǎn)決策。

●   基礎(chǔ)設(shè)施瓶頸

芯片生產(chǎn)可更快實現(xiàn)規(guī)模化，而基礎(chǔ)設(shè)施——數(shù)據(jù)中心和電網(wǎng)建設(shè)——卻滯后于此。電網(wǎng)擴(kuò)建周期（3-5年）通常長于數(shù)據(jù)中心建設(shè)或芯片供應(yīng)周期。在獲取電力或輸電容量方面的延誤可能導(dǎo)致AI項目延期甚至取消。

時間節(jié)點：自2026年起，若大規(guī)模AI集群面臨電力短缺或電網(wǎng)接入延遲，風(fēng)險將隨之顯現(xiàn)。

NAND價格復(fù)蘇：上漲趨勢將持續(xù)至2026年

NAND價格歷來呈現(xiàn)劇烈的周期性波動。2017年達(dá)到峰值后，因供應(yīng)過剩和需求疲軟，價格持續(xù)下跌至2022年，并于2023年跌至多年低點。2024年的反彈是自2017年以來最強(qiáng)勁的復(fù)蘇，由供應(yīng)商削減產(chǎn)能利用率、庫存正常化及CSP（云服務(wù)提供商）需求激增驅(qū)動。鑒于當(dāng)前處于低位起點且供應(yīng)條件趨緊，這一上漲趨勢將明確延續(xù)至2026年。

AI驅(qū)動的行業(yè)發(fā)展、供應(yīng)限制及新技術(shù)應(yīng)用，將深刻影響2026年存儲市場

1.AI前所未有的數(shù)據(jù)生成能力推動近線存儲需求激增，多模態(tài)和智能體AI推理技術(shù)預(yù)計將帶來更強(qiáng)勁的增長。另一方面，在2025年存儲層優(yōu)化已與HBM開發(fā)同等重要，成為AI工程領(lǐng)域極具前景的新前沿。由于產(chǎn)能擴(kuò)張極為有限，Omdia預(yù)測企業(yè)級SSD（ESSD）和企業(yè)級HDD（EHDD）的供應(yīng)緊張局面將持續(xù)至2026年年中，短缺狀況甚至可能延續(xù)至年底。

2.預(yù)計2026年AI投資將持續(xù)保持強(qiáng)勁，NAND制造商正將產(chǎn)能向企業(yè)級SSD轉(zhuǎn)移，但旺盛的需求可能推動SSD價格回升至2022年水平。同時，供應(yīng)短缺將加速Q(mào)LC（四層單元）和HAMR（熱輔助磁記錄）等擴(kuò)容技術(shù)的應(yīng)用。

3.Omdia認(rèn)為2026年是QLC ESSD的轉(zhuǎn)折點——并非因為其將作為HDD的替代品，而是由于AI推理應(yīng)用創(chuàng)造了極具吸引力的使用場景。HDD憑借經(jīng)驗證的可靠性和成本優(yōu)勢，仍是大規(guī)模近線存儲的首選，承載數(shù)據(jù)中心超80%的數(shù)據(jù)容量。盡管當(dāng)前NAND行業(yè)發(fā)展迅速，其擴(kuò)張速度在未來十年內(nèi)仍無法實現(xiàn)HDD的大規(guī)模替代。Omdia預(yù)計到2029年QLC ESSD與EHDD的成本差距將達(dá)6倍。

2026年存儲市場增長：協(xié)作與戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系是滿足AI需求的關(guān)鍵

Omdia預(yù)測2026年SSD和HDD市場將實現(xiàn)顯著增長。SSD和HDD制造商應(yīng)把握當(dāng)前市場機(jī)遇，與主要客戶深化協(xié)作，簽訂具有前瞻性的需求預(yù)判協(xié)議，并同步規(guī)劃產(chǎn)能擴(kuò)張及長期技術(shù)路線圖，以持續(xù)滿足AI領(lǐng)域不斷演進(jìn)的需求。

對于采購相關(guān)方，Omdia建議與SSD和HDD供應(yīng)商建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系，以確保獲得可靠的供應(yīng)保障。在HDD領(lǐng)域，長期協(xié)議（LTA）模式已得到廣泛應(yīng)用，為雙方建立穩(wěn)固的戰(zhàn)略合作關(guān)系奠定了堅實的基礎(chǔ)。