2026年半導(dǎo)體行業(yè)趨勢(shì)觀察（Part 2）
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晶圓廠擴(kuò)張以把握增長(zhǎng)周期
資本支出使得集成器件制造商（IDM）產(chǎn)能預(yù)計(jì)在2026年達(dá)到歷史新高
在經(jīng)歷了一段謹(jǐn)慎的產(chǎn)能擴(kuò)張階段后，IDM如今正進(jìn)行戰(zhàn)略性布局，以把握近期半導(dǎo)體行業(yè)上行帶來(lái)的晶圓廠投資機(jī)遇。
本輪增長(zhǎng)周期將主要由下一代AI數(shù)據(jù)中心基礎(chǔ)設(shè)施部署、半導(dǎo)體密集型電動(dòng)汽車滲透率提升以及工業(yè)市場(chǎng)廣泛數(shù)字化轉(zhuǎn)型所推動(dòng)。
晶圓產(chǎn)能擴(kuò)張將日益多元化，從核心邏輯芯片和存儲(chǔ)器延伸至分立器件、模擬芯片及微控制器，從而推動(dòng)整個(gè)行業(yè)進(jìn)入全面的產(chǎn)能增長(zhǎng)周期。
2026年，存儲(chǔ)芯片資本支出將加速增長(zhǎng)，在IDM資本支出中占據(jù)主導(dǎo)份額
在行業(yè)下行期，存儲(chǔ)IDM因產(chǎn)能利用率低、價(jià)格壓力和財(cái)務(wù)困境而收縮資本支出。隨著需求回升，此前推遲的擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃重新進(jìn)入規(guī)劃周期，導(dǎo)致2025–2026年支出急劇上升。
SK海力士、三星和美光正優(yōu)先擴(kuò)大HBM和先進(jìn)DRAM產(chǎn)能，這得益于AI數(shù)據(jù)中心持續(xù)多年的強(qiáng)勁需求。投資重點(diǎn)包括硅通孔（TSV）產(chǎn)能、混合鍵合、HBM堆疊、1納米級(jí)以下DRAM節(jié)點(diǎn)及新建大型晶圓廠。這些投資布局使存儲(chǔ)成為2026年前資本支出路徑最明確的領(lǐng)域。
非存儲(chǔ)IDM的資本支出仍受限于關(guān)稅不確定性、地緣政治風(fēng)險(xiǎn)、工業(yè)與汽車市場(chǎng)復(fù)蘇緩慢，以及政府激勵(lì)計(jì)劃申請(qǐng)超額。預(yù)計(jì)2026年MCU、模擬芯片和分立器件的資本支出將面臨適度削減。
高性能計(jì)算推動(dòng)晶圓代工收入增長(zhǎng)
純晶圓代工行業(yè)的預(yù)估晶圓出貨量
隨著人工智能技術(shù)加速向各應(yīng)用領(lǐng)域滲透并不斷推高算力需求，高性能計(jì)算（HPC）將在2026年主導(dǎo)晶圓代工行業(yè)的技術(shù)升級(jí)與營(yíng)收增長(zhǎng)。預(yù)計(jì)到2026年，采用7納米至2納米先進(jìn)工藝的芯片將貢獻(xiàn)純晶圓代工行業(yè)總營(yíng)收的59%，但其晶圓出貨量?jī)H占行業(yè)總量的10%，顯示出極高的價(jià)值密度。受此強(qiáng)勁需求驅(qū)動(dòng)，行業(yè)大部分資本支出將集中于這些先進(jìn)節(jié)點(diǎn)的產(chǎn)能擴(kuò)張與研發(fā)投入。
與此同時(shí)，為應(yīng)對(duì)海量數(shù)據(jù)處理需求，硅光子、芯粒（Chiplet）等新興技術(shù)雖基數(shù)尚小，其營(yíng)收將在2026年實(shí)現(xiàn)顯著增長(zhǎng)并獲得持續(xù)投資，而晶圓代工廠也將繼續(xù)引領(lǐng)先進(jìn)封裝技術(shù)的發(fā)展。
一線晶圓代工廠工藝路線圖
在技術(shù)路線方面，繼2納米工藝于2025年投產(chǎn)后，小于2納米的制造工藝預(yù)計(jì)自2026年起逐步進(jìn)入量產(chǎn)階段，標(biāo)志著晶圓代工業(yè)將持續(xù)推進(jìn)尖端制程迭代，以全方位滿足市場(chǎng)對(duì)更高算力的迫切需求。
評(píng)論