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意法半導(dǎo)體集成保護(hù)功能的氮化鎵柵極驅(qū)動器

—— 面向運動控制與電源系統(tǒng)
作者: 時間:2026-04-14 來源: 收藏

(STMicroelectronics)推出兩款半橋(GaN),專為轉(zhuǎn)換與系統(tǒng)的高速開關(guān)應(yīng)用設(shè)計。產(chǎn)品通過在單芯片內(nèi)集成核心控制與保護(hù)功能,助力實現(xiàn)更緊湊、更高效的系統(tǒng)方案。

對于從事工業(yè)驅(qū)動或級設(shè)計的讀者而言,這一發(fā)布體現(xiàn)了寬禁帶器件向高集成度發(fā)展的大趨勢,控制精度與保護(hù)能力的重要性日益凸顯。

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面向 GaN 開關(guān)的集成控制與保護(hù)

專為驅(qū)動增強型 GaN HEMT 設(shè)計,提供穩(wěn)定的 5V 柵極驅(qū)動信號。兩款器件分別支持最高220V600V高壓側(cè)工作電壓,主要面向電機驅(qū)動、高頻轉(zhuǎn)換器等應(yīng)用。

兩款產(chǎn)品均集成:

  • 高壓側(cè) / 低壓側(cè)低壓差線性穩(wěn)壓器(LDO)

  • 自舉二極管

  • 欠壓鎖定(UVLO)等保護(hù)功能

內(nèi)置比較器可在過流時立即關(guān)斷兩路開關(guān);SmartSD 智能關(guān)斷機制可將系統(tǒng)保持關(guān)斷足夠長時間,以應(yīng)對熱應(yīng)力;故障引腳統(tǒng)一上報過流、過熱、欠壓鎖定狀態(tài)。

內(nèi)部快速啟動穩(wěn)壓器可穩(wěn)定柵極驅(qū)動,確保開關(guān)行為一致,這對基于 GaN 的高速瞬態(tài)場景至關(guān)重要。

面向高速應(yīng)用的性能優(yōu)化

該系列 GaN 專為高速開關(guān)優(yōu)化:

  • 傳輸延遲僅      50ns

  • 高壓側(cè)與低壓側(cè)通道時序精準(zhǔn)匹配

  • 具備 ±200V/ns 抗      dV/dt 干擾能力

  • 高壓側(cè)啟動時間      5μs

可支持更高開關(guān)頻率,有望實現(xiàn)更快的電機轉(zhuǎn)速。

輸出級支持獨立調(diào)節(jié)開通 / 關(guān)斷阻抗,無需額外外接關(guān)斷二極管等元件,即可抑制開關(guān)瞬態(tài)干擾,減少物料清單(BOM)并簡化布局。獨立的灌 / 拉電流路徑(灌電流最高1.8A,拉電流0.8A)進(jìn)一步優(yōu)化開關(guān)性能。

產(chǎn)品還具備 20V 耐壓 邏輯輸入與專用關(guān)斷引腳,支持低功耗待機模式,采用 4mm×5mm QFN 封裝,工作溫度范圍 -40℃~125℃,并提供配套評估板。



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