AI數據中心用電需求快速增長。傳統供電架構采用體積龐大的低頻變壓器，效率低、占地大，難以適配下一代數據中心高壓直流配電需求。

Navitas Semiconductor與洛桑聯邦理工學院推出全新解決方案。

2026年APEC展會上，兩家機構聯合發布了一款250kW固態變壓器（SST）方案，在德克薩斯州圣安東尼奧首次公開亮相。該方案由 EPFL 電力電子實驗室依托 HeatingBits 項目研發。

核心技術是單級模塊化橋式整流SST拓撲，直接從3.3kV交流電轉換為800V直流電，輸出功率250kW。去掉了傳統低頻變壓器這一中間環節，供電鏈路的體積和復雜度都大幅降低。

器件層面，方案采用Navitas GeneSiC系列碳化硅器件，包括3,300V超高壓和1,200V高壓SiC溝槽輔助平面MOSFET及SiC模塊。SiC相比傳統硬器件，在高壓、高頻場景下損耗更低，支撐了整套方案在效率和可靠性上的設計裕量。

EPFL電力電子實驗室主任Drazen Dujic教授對此評價，這一固態變壓器平臺在中壓交流電網與800V直流數據中心架構之間，提供了一個具備電氣隔離、靈活可擴展的高效接口，同時也構成了先進分布式控制研究的真實實驗環境。他還指出，借助Navitas SiC器件組合，EPFL得以在系統效率和設計裕量之間實現最優平衡。

為什么是800V直流？

數據中心配電正經歷結構性轉變。高壓直流配電線路損耗更低、轉換級數更少，在超大規模AI算力集群中優勢突出。800V是下一代數據中心架構的重要方向，核心挑戰在于高效緊湊地完成中壓交流到800V直流的轉換。固態變壓器單級拓撲打通這一環節，減少多級轉換帶來的效率損耗與硬件堆疊。

該技術從實驗室原型走向數據中心落地仍需工程化推進。本次發布證明，SiC器件可支撐高壓大功率固態變壓器實用化，高壓直流配電技術路徑更加清晰。