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三星攜手GLOBALFOUNDRIES開發14nm工藝

作者: 時間:2014-04-21 來源:IC設計與制造 收藏

  根據為期多年的協議,將授權三星的FinFET器件, 和三星同步使用自己在美國和韓國的晶圓廠制造和生產14nm。這是在晶圓業第一個能從20納米真實面積縮放的FinFET技術,而這術平臺已經獲得了牽引作為高容量,低功耗的SoC設計中的首選。隨著和三星攜手合作,無晶圓廠半導體客戶將享有更多的選擇和靈活性,因為供應將來自多個世界源地。與此同時,無晶圓廠半導體客戶也能維持在流動性和IT基礎設施的領導地位。

本文引用地址:http://cqxgywz.com/article/236832.htm


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