基于封裝天線（AiP）的過孔分析
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圖4封裝天線等效電路圖
以上討論的均為過孔沿縱向布置，當其他參數不變，僅將過孔沿橫向布置時，天線性能沒有明顯改善甚至惡化，且某些情況下在預期頻帶不出現通帶。由于篇幅有限，沒有將具體數值給出。
4等效電路
按照空腔模型理論，將天線問題分為內場和外場。分析內場時，把同軸或者微帶饋電等效為從天線地流向貼片的且不隨流動方向變化的電流源，從而得到微帶天線的等效電路為一RLC并聯電路。
封裝天線由于其結構的特殊性，存在天線地和系統地。貼片、天線介質、天線地可以等效為RLC并聯電路，但封裝天線的饋電接地端是系統地，系統地通過過孔與天線地鏈接，為此提出了圖4所示等效電路。該等效電路主要包括貼片天線、饋電部分、連接天線地與系統地的過孔部分。由于過孔的存在，使得天線地上的電流分布發生了變化，這種變化用電感Lgnd表示，兩金屬地平面之間的電容效果由Cgnd表示，Lvia和Rvia分別代表過孔的電感和電阻。Lgnd與Cgnd的值是通過電路仿真軟件優化得到。最終的電路參數值在表5中給出。
表5電路參數值
Rant | Cant | Lant | Lfeed |
134.9Ohm | 4.9pF | 0.19nH | 0.43nH |
Lfeed1 | Cfeed1 | Cfeed | Cgnd |
1.31nH | 0.4pF | 0.24pF | 0.25pF |
Lgnd | Lvia | Rvia | |
0.1nH | 0.87nH | 0.2Ohm |
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